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软溶液技术制备钼酸钙薄膜

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 2005
作者报道了利用软溶液法制备了钼酸钙的溶胶.用XRD对薄膜的晶相结构进行了分析,用SEM对薄膜的表面形貌进行了分析,用EDAX对薄膜的表面化学组分进行了分析.实验结果表明在近室温(40℃至50℃)的条件下就得到了四方相的钼酸钙多晶薄膜,表面分析的结果表明晶粒的尺寸在纳米的范围内,能谱分析表明薄膜成分的化学计量比钙与钼接近1∶1.
胡国兵, 余萍, 王欢, 肖定全
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国外MOA用ZnO电阻片的剖析与思考(续)

open access: yesDianci bileiqi, 2007
在SEM镜下呈深绿色主要原因是含Co、Cr高,只少见两种以上矿物相呈现浸染状,主体矿物为深绿色ZnO,说明Co、Cr固溶于其晶格。粒径2μm~6μm(包括尖晶石),平均4μm。气孔孔径6μm~20μm,其形状不规则;位于边缘的气孔含量8.16%~8.87%,位于中心的气孔含量11.16%~11.98%。相比之下G试样的气孔比A的多,但比J的少,气孔尺寸也大,图12中黑色者为气孔。
王振林, 李盛涛, 王玉平
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CuCr触头材料微观特性对其宏观性能的影响

open access: yesGaoya dianqi, 2000
本文总结和分析了CuCr真空开关触头材料的含气量、晶粒尺寸、致密度及成分均匀分布等微观特性对其分断能力、耐压性能、截流值等宏现性能的影响,并简要分析了现有的一些工艺方法,为真空开关CuCr触头材料的研究开发和应用提供参考。
修士新, 邹积岩, 何俊佳
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[Effects of surface treatment on the phase and fracture strength of yttria- and magnesia-stabilized zirconia implants]. [PDF]

open access: yesBeijing Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban, 2023
Ding Q   +5 more
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钾元素对氧化锌压敏电阻电性能的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2008
采用溶液添加法在中压压敏电阻中引入金属K+离子,研究不同含量的K+对ZnO压敏电阻电性能的影响及其机理,结果表明:K+能增强ZnO压敏电阻的稳定性,富集在晶界处的K+因补充了晶界处正点中心的数量,使耐受8/20μs峰值电流冲击性能提高;K2O的高温液相烧结促使瓷体的气泡等烧结缺陷减少,使其2ms方波脉冲冲击性能提高;随着K掺入量的增加和烧结时间的延长,晶粒尺寸增大,压敏电压梯度减小。
洪俊伟   +3 more
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La-Nb双施主掺杂BaTiO3陶瓷的研究

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 2005
采用固相法进行La2O3和Nb2O5两种施主添加剂复合掺杂(Ba1-xLa2x/3)(Ti1-xNb4x/5)O3陶瓷改性研究.研究结果表明,La-Nb双施主掺杂(Ba1-xLa2x/3)(Ti1-xNb4x/5)O3陶瓷烧结体晶相为准立方相.当x=0.05时,陶瓷烧结体内存在Ba6Ti17O40富钛的第二相.当x>0.2时,Ba3La3Ti5Nb5O30固溶体作为第二相析出.随着La-Nb双施主掺杂剂掺量的增加,晶粒尺寸减小,介电常数下降,介电常数随温度变化率降低,表现明显的移峰、展峰作用.
王悦辉   +4 more
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提高ZnO电阻片性能的研究

open access: yesDianci bileiqi, 1994
本研究着重进行了配方组成、ZnO预处理、电阻片规格尺寸、成型工艺等方面的研究。实践证明,ZnO原料本体的预处理,添加适量的Al3+和采用相应的工艺条件,能降低ZnO晶粒本体电阻,可以改善ZnO电阻片在大电流下的非线性特性,并且根据配方组成,确立了合理的成型制度,提高了性能,在国内达到了较高的水平。
陈廷吉, 何晓明
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[Progress in preparation and application of sodium alginate microspheres]. [PDF]

open access: yesSheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2023
Liu X   +6 more
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[Effect of porous surface structure on fatigue strength of 3D printed zirconia]. [PDF]

open access: yesBeijing Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban
Zhao J   +6 more
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