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Dianci bileiqi, 2020 为了提高ZnO压敏电阻综合电气性能,采用单一变量法研究了Bi2O3、Co2O3和Ni2O3不同比例掺杂对ZnO压敏电阻微观结构、电气性能及冲击老化特性的影响。研究结果表明:随着Bi2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸增大,直流1 mA参考电压减小,非线性系数先增大后减小,泄漏电流先减小后增大;随着Co2O3掺杂含量的增加,ZnO压敏电阻晶粒尺寸几乎没有变化,但晶粒间尖晶石数量增加,使得直流1 mA参考电压增大,非线性系数增大,泄漏电流先减小后增大;随着Ni2O3掺杂含量的增加 ...
曹伟 +5 more
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Dianci bileiqi, 2017 采用传统的电子陶瓷工艺制备了CaCu3Ti4O12（以下简称CCTO）陶瓷,主要研究了1 100℃空气气氛下淬火对CCTO介电性能的影响。SEM和XRD研究表明,淬火并未改变CCTO陶瓷的晶粒尺寸大小,但会增加陶瓷表面CuO的析出。介电谱测试发现,经过淬火的CCTO陶瓷在低频下的介电常数和介电损耗均明显增大,而高频介电常数和介电损耗几乎不变。阻抗谱分析进一步表明,淬火后试样的晶界电阻显著降低,可能是晶界氧化相对不足,晶界界面态密度下降,导致耗尽层厚度减小,于是低频介电常数和介电损耗同时增大 ...
宋江, 成鹏飞, 武康宁, 贾然
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掺锰改性(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06TiO3压电陶瓷的性能和微结构
四川大学学报. 自然科学版, 2005 采用传统陶瓷生产工艺制备了新型(Bi0.5Na0.5)0.94(Ba0.5Sr0.5)0.06Ti O3+x(wt%)MnO2体系无铅压电陶瓷,研究了陶瓷的晶相结构、表面形貌、压电和介电性能.结果表明,该体系具有单一的钙钛矿结构;具有良好的压电性能,其压电常数d33为101pC/N,机电耦合系数kp为0.21,机械品质因素Qm为192,且具有较低的介质损耗(tanδ=0.0217).在1200℃,2h的烧结条件下,能够获得致密的陶瓷体;MnO2的添加量对晶粒生长具有一定的限制作用,随着Mn元素的含量增加,
尹奇异, 肖定全
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四川大学学报. 自然科学版, 2015 采用醇水共沉淀法批量制备Yb:YAG粉体,对其母液和相应粉体进行ICP和EDS分析,发现有Al流失和沉淀不均匀现象,导致粉体物相不纯,实验采用Al过量来改善这种现象,发现Al过量的粉体相均为纯相,但随着过量比例的增加,粉体的晶粒尺寸变小,颗粒尺寸呈现先变小后变大的现象,说明过量的Al形成的Al2O3作为第二相起到了晶粒长大抑制剂的作用,同时Al2O3存在也一定程度提高粉体的烧结活性.
赵宇 +4 more
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Dianci bileiqi, 2006 针对镨系ZnO电阻片磨片前后非线性性能的变化,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜及X射线能谱仪对电阻片表面和本体进行分析。结果表明:镨系ZnO电阻片表面层与本体从组分、物相以及微观结构方面均有较大差异,表面层ZnO晶粒尺寸较小,为（2.0～3.1）μm,大小比较均匀,并且在晶界存在约0.7μm的富Pr相,有利于非线性的形成;而本体内的晶粒尺寸较大,为（3.0～4.8）μm,晶界几乎无杂相。磨片后ZnO电阻片表面成分的磨损是导致其非线性性能变差的主要原因。
贺西民, 刘炜
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四川大学学报. 自然科学版, 2006 作者根据惯性约束聚变(ICF)靶材料研究的需要,采用自悬浮定向流法制备了金属间化合物CuAl2-Al纳米复合微粉.经TEM和XRD检测表明所制备的纳米颗粒基本呈球形,粒径分布在30～50nm之间,颗粒的主要组成相为CuAl2,并有少量的Cu9Al4和Al.CuAl2复合纳米微粒热稳定研究所采用的退火方案基于DTA实验数据,实验表明在DTA曲线中的548℃和769℃处的吸热峰对应着Cu9Al4向CuAl2的相转变,并伴随着一定程度的晶粒尺寸长大,并且热处理前后样品的相结构和晶粒尺寸变化的结果表明 ...
韦建军 +5 more
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四川大学学报. 自然科学版, 2005 采用新型的丝网印刷晶粒定向技术,以Bi2O3,CaCO3和Ti O2纳米粉体为原料,无需模板晶种直接制备出高度织构化的CaBi4Ti4O15陶瓷.系统研究了烧结温度、时间、升温速度以及原料粉体颗粒度对晶粒定向的影响,在1000～1180℃范围内烧结4h后获得高达94.1%的晶粒取向度.利用XRD和SEM等手段探讨了丝网印刷工艺的晶粒定向生长机理,认为丝网印刷可获得极薄的颗粒层,层间存在间隙,各层内的颗粒由于在平行界面方向生长不受限制,使其该界面方向的晶粒尺寸大于其它方向,从而最终得到晶粒高度定向的陶瓷.
李永祥 +3 more
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四川大学学报. 自然科学版, 2002 用近空间升华法制备CdTe薄膜 .研究了在不同衬底材料、基片温度下薄膜的微结构 .衬底温度在 4 0 0℃以上薄膜结晶状况较为完整 .结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大 ,尺寸均匀 .对CdTe薄膜进行了加热后处理研究 ,结果表明 ,加用CdCl2 ...
蔡伟 +4 more
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Gaoya dianqi在高电压环境下，显微缺陷结构的存在会导致绝缘材料内产生电场畸变，是影响氧化铝陶瓷绝缘强度的重要因素之一。为了研究高电压环境下氧化铝陶瓷典型缺陷结构对材料内电场分布的影响，建立了包含缺陷结构的细观陶瓷结构模型，并采用有限元软件分析了晶粒尺寸、玻璃相以及气孔的存在对电场分布的影响规律。结果表明：晶粒尺寸对电场畸变程度的影响较小，而玻璃相的存在对电场畸变程度的影响较大。玻璃相对电场畸变的影响与晶界方向有关，晶界与电场方向夹角越大，玻璃相处的电场畸变程度越大。与晶粒尺寸和玻璃相的影响相比 ...
李平安 +4 more
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