Results 51 to 60 of about 319 (106)
MgO对(Sr·K)·TiO3-Bi2O3·TiO2系介质陶瓷微观结构与介电性能的影响
研究了在Sr—Bi—K—Ti系统中,添加MgO对微观结构与介电性能的影响。结果表明,添加少量MgO就能使晶粒尺寸明显减小,由此而获得了介电常数高、介质损耗小、抗电强度高、温度特性好的,适合制作高压陶瓷电容器的瓷料。
金放鸣, 郑家范, 游恩溥
doaj
采用固相反应法在10551095℃制备了CaCu3Ti4O12电介质陶瓷材料(以下简称CCTO),并研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷介电性能的变化,优化出了最佳制备CCTO陶瓷的工艺参数。利用XRD技术研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷立方钙钛矿结构的晶格常数的演变过程,通过观察SEM证明了CCTO陶瓷的巨介电常数和晶粒尺寸大小成正比例,最后结合阻抗谱分析技术证明了CCTO陶瓷的低频介电损耗主要由晶界电阻决定,而晶粒电阻的大小直接影响着CCTO陶瓷的巨介电常数 ...
张家祥, 索娜, 罗发
doaj
以共沉淀法制备的Yb:YAG粉体为原料,采用凝胶注模成型方法和真空烧结技术制备出了Yb:YAG透明陶瓷.通过扫描电子显微镜(SEM)对素坯和陶瓷的微观形貌进行了表征.结果表明,凝胶注模成型工艺所得的素坯致密度高,均匀性好;陶瓷晶粒排列紧密,晶界清晰无杂相,平均晶粒尺寸约为20nm.得到的透明陶瓷样品光学质量较好,在1064nm处直线透过率达到77%.表明凝胶注模成型是一种用来制备Yb:YAG透明陶瓷的有效的成型方法.
关永兵 +5 more
doaj
综述了近年来添加剂对氧化锌电阻片电学性能影响方面的研究进展,分析了不同添加剂对氧化锌电阻片电学性能的影响机理。通过比较发现,纳米添加剂可以降低高温烧成时的烧成温度,进而抑制晶粒长大,改善烧成均匀性,氧化锌晶粒平均尺寸可控制在1μm左右,泄漏电流2μA,通流容量可达250J/cm3。指出纳米添加剂进一步在氧化锌电阻片生产中的应用是今后研究的方向。
马书蕊 +4 more
doaj
通过建立CuCr合金中晶粒尺寸影响饱和蒸气压进而影响截流值的热力学模型,从理论上初步探讨了CuCr合金中组织细化降低截流值的规律。指出触头材料显微组织细化和超细化,是降低CuCr合金截流的一种重要手段。
严群, 杨志懋, 丁秉钧, 王笑天
doaj
通过改变氧化锑的含量,分析不同含量对氧化锌电阻片电位梯度、泄漏电流等性能的影响。氧化锑在烧结过程中与氧化锌可以形成尖晶石相,可以抑制氧化锌晶粒尺寸的大小,进而调整电阻片电位梯度。在传统五元配方体系中,通过改变氧化锑的增加,电阻片收缩率逐渐增大,致密度逐渐增加;掺杂适量的氧化锑可以提高电位梯度,降低泄漏电流;掺杂过量的氧化锑会降低电位梯度。
刘亚芸, 厍海波, 杨军, 刘明新
doaj
系统探究了Bi₂O₃-Sb₂O₃-CoO-MnO-NiO添加剂预煅烧温度(650-900℃)对ZnO压敏电阻微观结构和电性能的调控机制。通过XRD、SEM及电学测试发现:650-850℃预煅烧促进了添加剂物相的均一化,其晶粒尺寸随温度升高而增大,在烧结阶段抑制ZnO晶粒增大(平均尺寸由7.43μm降至6.16μm)。850℃样品综合性能最优:电压梯度达213.34V/mm,漏电流接近0μA,非线性系数α为50.50,残压比1.652。C-V测试显示其晶界势垒高度(φ≈2.97eV)与表面态密度(Ns=3.
徐祥凯 +7 more
doaj
[Research progress of electroactivity graphene-based materials in bone repair]. [PDF]
Kang R, Yuan W, Zhu Y.
europepmc +1 more source
[Bioactive substances delivery for bone repair via nanocomposites: advantages, mechanisms, and emerging trends]. [PDF]
Ma Y, Du Z, Wang J, Li X.
europepmc +1 more source
[Effect of slurry proportion on the microstructure and properties of dental lithium disilicate ceramics manufactured through 3D printing]. [PDF]
Lin B, Chen X, Li R, Wan Q, Pei X.
europepmc +1 more source

