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Effects of Alloy Elements Nb and V on the Microstructure and Expansion Property of 4J32 Austenite [PDF]
Using optical microscope， scanning electron microscope， and dilatometer etc， this work investigated the effects of alloy elements Nb and V on the austenite microstructure and expansion property of 4J32 alloy.
Wang Yu, Huang Li, Wang Fuming
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Dianci bileiqi, 2023 文章研究了烧结温度对SnO2压敏电阻微观结构和电学性能的影响。通过XRD和SEM观察到烧结温度对样品致密化和晶粒尺寸具有很大影响。通过C-V曲线、E-J曲线及复阻抗图谱计算各电学参数。当烧结温度为1 250℃时，样品的电压梯度为762.27 V/mm,非线性系数为36.59,泄漏电流为3.27μA/cm2。在烧结过程中，形成的氧空位和深层缺陷提高了界面态密度，进一步提高了势垒高度。晶界势垒的提高会提高非线性系数，减小泄漏电流。
孙冠岳 +3 more
doaj
Effect of nano-ZrC powders on microstructure and properties of 90W−7Ni−3Fe alloys [PDF]
To effectively inhibit the growth of tungsten grains during the liquid phase sintering, the ZrC dispersion-strengthened heavy tungsten alloys (WHAs) were prepared by liquid phase sintering at 1500 ℃.
DONG Longlong +4 more
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Dianci bileiqi, 1987 在显微结构分析的基础上,结合几种电瓷材料的弯曲强度和断裂韧性,提出了电瓷材料的表面缺陷可以等效地看作一半圆形表面裂纹,裂纹的半径近似于最大气孔尺寸与最大晶粒尺寸之和;并在几种电瓷材料断口分析的基础上,讨论影响电瓷材料断裂韧性的主要因素,提出在现有工艺条件下,提高瓷中晶相总量和加强玻璃基质（使玻璃基质中生成二次莫来石等）将是提高电瓷材料断裂韧性的重要途径。
谢清云
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Research on Mo-Based Lanthanide Oxides (Tm2O3，Dy2O3 and Tb2O3) Neutron Absorber Materials [PDF]
, 2017 堆芯控制棒在核反应堆正常运行和事故工况下非常重要，以用于控制核反应性，其关键在于内部的中子吸收体芯块。本论文采用高能球磨、冷等静压成型和氩气保护烧结的工艺制备出了性能优异的核反应堆灰控制棒用中子吸收体钼基氧化铥、钼基氧化镝和钼基氧化铽芯块。深入分析了球磨过程中混合粉末的微观结构演变行为，探讨了球磨过程中的热力学机制和动力学驱动机理。研究了球磨时间和烧结温度与烧结时间对烧结块体物相与显微硬度的影响，分析了烧结块体的物相与微观组织结构，并测试了烧结块体的显微硬度、热物理性能和致密度等。 经过高能球磨后 ...
罗勇
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Dianci bileiqi, 2017 采用固相反应法在10551095℃制备了CaCu3Ti4O12电介质陶瓷材料（以下简称CCTO）,并研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷介电性能的变化,优化出了最佳制备CCTO陶瓷的工艺参数。利用XRD技术研究了不同烧结温度下CCTO陶瓷立方钙钛矿结构的晶格常数的演变过程,通过观察SEM证明了CCTO陶瓷的巨介电常数和晶粒尺寸大小成正比例,最后结合阻抗谱分析技术证明了CCTO陶瓷的低频介电损耗主要由晶界电阻决定,而晶粒电阻的大小直接影响着CCTO陶瓷的巨介电常数 ...
张家祥, 索娜, 罗发
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Dianci bileiqi, 2020 通过改变氧化锑的含量,分析不同含量对氧化锌电阻片电位梯度、泄漏电流等性能的影响。氧化锑在烧结过程中与氧化锌可以形成尖晶石相,可以抑制氧化锌晶粒尺寸的大小,进而调整电阻片电位梯度。在传统五元配方体系中,通过改变氧化锑的增加,电阻片收缩率逐渐增大,致密度逐渐增加;掺杂适量的氧化锑可以提高电位梯度,降低泄漏电流;掺杂过量的氧化锑会降低电位梯度。
刘亚芸, 厍海波, 杨军, 刘明新
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Gaoya dianqi, 2023 为提高二维旋转磁特性测量装置的励磁性能，文中首先通过二维电磁场有限元分析对比了4种基于圆形样片的励磁结构，提出了新型两相绕组式新型二维旋转磁特性励磁结构，得出两相绕组励磁结构在相同磁动势下，样片磁通密度均匀性最高；其次，为减小励磁结构空间杂散磁场对样片磁化均匀性的影响，提出纳米晶合金屏蔽层结构，并通过三维有限元分析计算了不同磁化角度下的屏蔽性能，验证了屏蔽结构提升样片磁化均匀性的有效性。最后，为确定文中所提出励磁装置的最终尺寸，提出了耦合支持向量机与自适应粒子群算法的装置尺寸设计参数寻优方法 ...
熊晗, 陈龙, 易琼洋
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Research on Ingot Casting of Solar-grade Silicon from Physical Process Route [PDF]
, 2016 目前晶体硅太阳电池占据光伏发电的主流市场，多晶硅太阳电池占晶体硅太阳电池70％以上。多晶硅市场竞争日趋激烈，物理法因其安全、环保、低能耗的优势，未来可能成为生产太阳能级多晶硅的主流技术之一，于是研究高效的物理法太阳能级多晶硅铸锭工艺具有重要的意义。由于物理法制造的太阳能级硅中同时存在B和P元素，二者的分凝系数分别为0.8和0.35，导致其铸锭顶部容易出现p-n转型，从而大大降低了p型多晶硅锭的得率；另一方面，物理法多晶硅金属杂质的含量也会影响多晶硅锭的得率。本论文研究了高效坩埚 ...
唐清
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MgO对（Sr·K）·TiO3-Bi2O3·TiO2系介质陶瓷微观结构与介电性能的影响
Dianci bileiqi, 1991 研究了在Sr—Bi—K—Ti系统中,添加MgO对微观结构与介电性能的影响。结果表明,添加少量MgO就能使晶粒尺寸明显减小,由此而获得了介电常数高、介质损耗小、抗电强度高、温度特性好的,适合制作高压陶瓷电容器的瓷料。
金放鸣, 郑家范, 游恩溥
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