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本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，过程简单、成本低 ...
范亚明, 应杰, 张兴旺
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, 2007 采用固相合成法制备了SnO2掺杂的TiO2基压敏电阻系列样品，并通过XRD和SEM分析，以及I-V曲线测量对材料的结构和电学性能进行了研究。结果表明：SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长，晶界相含量增加。电性能测试结果显示，SnO2的掺杂量在0～1.5 mo1％内，击穿场强随SnO2掺杂量的增加单调递增；非线性系数先增加后又减小，掺杂量为0．8 mo1％ 的样品具有最大的非线性系数(α=8.3 ...
李志祥 +7 more
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Gongye shui chuli, 2012 采用阳极恒电流电沉积技术制备不锈钢基PbO2电极及掺杂Fe-PbO2电极。采用XRD、SEM、EDS等方法对电极的物相结构、表面形貌、元素组成进行了表征和分析,对PbO2电极及掺杂Fe-PbO2电极电催化氧化酚类模拟废水的降解率进行研究,结果表明:掺杂Fe-PbO2电极表面形貌及衍射强度发生不同程度的改变,添加的Fe3+可能进入了表层内部,掺杂Fe-PbO2电极较普通的PbO2电极对酚类废水具有更好的电催化氧化降解性能。
王艳坤, 吴崇珍, 张建民
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四川大学学报. 自然科学版, 2001 掺金 (Au)和掺铂 (Pt)技术已被广泛用于减小硅中少数载流子的寿命 .掺金器件的VF～trr特性优于掺铂器件 ,但高温反向电流远大于掺铂器件 .作者通过金铂双掺杂技术 ,得到了VF～trr特性和高温反向漏电流介于单独掺金和掺铂快恢复二极管之间的结果 ;并通过全面衡量器件各参数认为 ,金铂双掺杂技术有利于器件参数的优化 .
金德虎 +3 more
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Dianci bileiqi, 2023 笔者主要研究了Fe3+离子掺杂引入对ZnO基压敏电阻微观结构及综合电气性能的影响。实验结果表明，随着铁离子掺杂量的增加，ZnO压敏电阻的电位梯度持续不断升高，非线性系数先升高而后降低，漏流先减小再增大，压比逐渐增加。分析认为，掺杂少量Fe3+时，可作为受主元素提高表面态密度，从而使非线性系数升高；随着掺杂量的增加，Fe3+转变为Fe2+进入ZnO晶粒内部，作为替位离子取代了部分Zn2+,由于r(Fe2+)>r(Zn2+),该取代产生了压应力对ZnO晶格产生挤压，减小晶格空隙，从而阻止了其他掺杂离子的进入，
李竹韵 +6 more
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, 2007 采用固相合成法制备出系列Fe掺杂的Bi2Sr2Co2Oy样品，并对样品进行XRD分析，电阻率(ρ)、热电势(S)和顺磁共振研究。结果表明：Fe掺杂浓度x ≤0.3时样品基本为单相。Fe掺杂使体系的电阻率略微增大，热电势显著升高，这可能与Fe掺杂降低了空穴载流子浓度有关。Fe掺杂浓度x=0.05样品获得最大的功率因子(power factor，S2/ρ)。顺磁共振结果显示，不掺Fe的样品有着较强的顺磁共振(ESR)信号，随着Fe含量的增加，ESR信号向低频方向移动，并逐渐宽化减弱直至消失 ...
李志祥 +7 more
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Dianci bileiqi, 2010 掺杂稀土氧化物可改变ZnO晶粒的尺寸,从而改变了等效偏析层的厚度,并分析了偏析层在导电过程中的作用。发现未掺杂试样的导电过程由晶界偏析层控制,而稀土氧化物Ce2O3、Y2O3掺杂后,由于晶粒尺寸的下降,试样的导电过程转变为界面态能级控制。因此对于多掺杂体系或小晶粒体系,应考虑偏析层对压敏陶瓷宏观的电气性能的影响。
成鹏飞, 王玉平
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Guangtongxin yanjiu, 2003 文章主要介绍了用MCVD工艺及溶液掺杂法制备掺Yb3+双包层结构石英光纤的优化设计、原理及制作工艺.制作出Yb3+掺杂浓度高（吸收损耗在976nm时为2～10dB/m）、本底损耗低（在1.3μm时为10dB/km）的掺Yb3+双包层结构石英光纤.
衣永青, 宁鼎, 荆光明, 梁小红
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, 2017 本申请公开了一种磷掺杂硅‑石墨复合材料，所述磷掺杂硅‑石墨复合材料中含有磷掺杂的N型硅和石墨。所述磷掺杂硅‑石墨复合材料为负极活性材料用于锂离子电池，能够抑制硅巨大的体积膨胀，具有高容量及良好的循环稳定性的优点。本申请还公开了上述磷掺杂硅‑石墨复合材料的制备方法包括步骤：第一步球磨：将硅与磷在球磨罐中球磨；第二步球磨：将第一步球磨产物与石墨粉末在球磨罐中进一步球磨。本申请还公开了含有上述磷掺杂硅‑石墨复合材料和 ...
黄世强, 沈彩
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Guangtongxin yanjiu, 1982 用氟代硼掺杂到光纤中也可使纤维的折射率降低,並能改善纤维的性质。掺氟用化合物要求沸程在0°～100℃范围,适合此沸程的氟化合物很少。提出通过代入重卤素到碳硅硫的氟化物中的方法来获得适宜的掺杂用化合物,並对这些化合物在制备上进行了探讨。最后讨论了它们在掺杂过程中所发生的反应。
袁启华 +3 more
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