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一种共掺杂的硅基杂质中间带材料的制备方法,包括如下步骤：步骤1：取一硅片；步骤2：在硅片中注入Al；步骤3：将过渡性金属元素注入到含Al的硅片中；步骤4：将含有Al和过渡性金属元素的硅片进行退火处理 ...
左玉华 +5 more
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, 2007 采用固相合成法制备了SnO2掺杂的TiO2基压敏电阻系列样品，并通过XRD和SEM分析，以及I-V曲线测量对材料的结构和电学性能进行了研究。结果表明：SnO2的掺杂抑制了晶粒的生长，晶界相含量增加。电性能测试结果显示，SnO2的掺杂量在0～1.5 mo1％内，击穿场强随SnO2掺杂量的增加单调递增；非线性系数先增加后又减小，掺杂量为0．8 mo1％ 的样品具有最大的非线性系数(α=8.3 ...
李志祥 +7 more
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本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，过程简单、成本低 ...
范亚明, 应杰, 张兴旺
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, 2017 以KMnO_4、MnSO_4、Co(NO_3)_2·6H_2O和H2_SO_4为反应原料,采用水热法合成了一系列掺杂过渡金属Co的氧化锰八面体分子筛(OMS-2),采用X-射线衍射、扫描电镜、红外光谱、低温氮气物理吸脱附和H_2程序升温还原对样品进行了表征,研究了Co的掺杂对OMS-2分子筛的结构、形貌和氧化还原性质等的影响,并对该系列催化剂进行了CO氧化性能评价。结果表明,掺杂Co并未改变OMS-2的晶体结构,并充分分散在OMS-2骨架结构中;掺杂Co的OMS ...
张建 +9 more
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, 2007 采用固相合成法制备出系列Fe掺杂的Bi2Sr2Co2Oy样品，并对样品进行XRD分析，电阻率(ρ)、热电势(S)和顺磁共振研究。结果表明：Fe掺杂浓度x ≤0.3时样品基本为单相。Fe掺杂使体系的电阻率略微增大，热电势显著升高，这可能与Fe掺杂降低了空穴载流子浓度有关。Fe掺杂浓度x=0.05样品获得最大的功率因子(power factor，S2/ρ)。顺磁共振结果显示，不掺Fe的样品有着较强的顺磁共振(ESR)信号，随着Fe含量的增加，ESR信号向低频方向移动，并逐渐宽化减弱直至消失 ...
李志祥 +7 more
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, 2006 采用溶胶-凝胶法通过分步控制工艺制备了镍离子不同掺杂方式的TiO2薄膜.通过甲基橙的光催化降解动力学来表征其光催化活性.结果表明：镍离子非均匀掺杂在掺杂量0.5%时可以明显增强TiO2的光催化活性,而均匀掺杂提高TiO2的光催化活性较小.光电化学表征结果显示：镍离子非均匀掺杂TiO2薄膜的瞬时光电流信号较强,说明其光生载流子易于生成且分离效果较好;循环伏安曲线表明,光照时Ni非均匀掺杂的TiO2薄膜改变了体系的氧化还原电位,说明了薄膜内建电场的建立.基于半导体的P ...
徐刚, 于华, 李新军, 郑少健
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Dianci bileiqi, 2019 使用固相反应法制备了不同浓度K+掺杂的CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K+优先替代了Ca2+形成受主掺杂。根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小。当掺杂浓度超过6 mol%时,晶胞膨胀形成了Cu空位。介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大。
曹壮, 成鹏飞, 宋江
doaj
Gongye shui chuli, 2012 采用阳极恒电流电沉积技术制备不锈钢基PbO2电极及掺杂Fe-PbO2电极。采用XRD、SEM、EDS等方法对电极的物相结构、表面形貌、元素组成进行了表征和分析,对PbO2电极及掺杂Fe-PbO2电极电催化氧化酚类模拟废水的降解率进行研究,结果表明:掺杂Fe-PbO2电极表面形貌及衍射强度发生不同程度的改变,添加的Fe3+可能进入了表层内部,掺杂Fe-PbO2电极较普通的PbO2电极对酚类废水具有更好的电催化氧化降解性能。
王艳坤, 吴崇珍, 张建民
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, 2017 本申请公开了一种磷掺杂硅‑石墨复合材料，所述磷掺杂硅‑石墨复合材料中含有磷掺杂的N型硅和石墨。所述磷掺杂硅‑石墨复合材料为负极活性材料用于锂离子电池，能够抑制硅巨大的体积膨胀，具有高容量及良好的循环稳定性的优点。本申请还公开了上述磷掺杂硅‑石墨复合材料的制备方法包括步骤：第一步球磨：将硅与磷在球磨罐中球磨；第二步球磨：将第一步球磨产物与石墨粉末在球磨罐中进一步球磨。本申请还公开了含有上述磷掺杂硅‑石墨复合材料和 ...
黄世强, 沈彩
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稀土Gd3+的掺杂对Sr2CeO4∶Eu中Eu3+发光的影响
四川大学学报. 自然科学版, 2005 采用共沉淀方法,合成了Gd3+和Eu3+共掺杂的Sr2CeO4荧光体.当Eu3+浓度较小(掺杂浓度为2%)时,Gd3+离子对Sr2CeO4的蓝带发射及附着在其上面的Eu3+的特征跃迁起猝灭作用;而当Eu3+的浓度较高(掺杂浓度为8%)时,Gd3+离子对Sr2CeO4的蓝带发射及附着在其上面的Eu3+的特征跃迁起敏化作用,尤其是当Gd3+离子的掺杂浓度为3%时,Eu3+的5D0-7F2跃迁发射(615nm)增强为原来的132%.
石士考, 周济, 栗俊敏
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