Results 51 to 60 of about 53,681 (204)
, 2015 本发明公开了一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法，采用磁控溅射的方法，以富碳材料作为溅射靶材，以氮气或者氮气与氩气的混合气体作为溅射气氛，以金属、无机半导体材料或无机绝缘材料作为衬底制备氮掺杂碳膜，所述衬底温度为20～500℃；在真空、氮气气氛或惰性气氛中，在300～1000℃下，氮掺杂碳膜经热处理10秒～20小时后，得到所述的氮掺杂多孔碳薄膜材料。本方法无需模板，不消耗有机溶剂，简单易行；本方法制备的氮掺杂多孔碳薄膜材料具有N含量、孔尺寸可调的特点，N含量最高可达30 ...
曹鸿涛, 陈浩, 诸葛飞
core
四川大学学报. 自然科学版, 2005 制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量.发现B位掺杂可以显著增加陶瓷的2Pr,同时可以改善抗疲劳性能.研究结果表明掺杂离子半径和价数都对剩余极化有一定影响,此外掺杂离子和氧离子的电子轨道杂化也会影响材料的剩余极化.
顾骏, 李伟, 吕笑梅, 朱劲松
doaj
[Preparation of Antibiotic-Loaded Copper-Doped Hydroxyapatite Microspheres and Evaluation of Their Antibacterial and Osteogenic Effect]. [PDF]
Sichuan Da Xue Xue Bao Yi Xue Ban, 2021 Jiang BB, Li SH, Zheng W.
europepmc +1 more source
, 2008 研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容易获得浓度为10~(18)～10~(19)cm~(-3)的n型ZnO单晶,掺入杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,ZnO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In ...
董志远 +4 more
core
Gongye shui chuli, 2018 采用溶胶凝胶法及浸渍提拉法，制备了Fe/N、Cu/N共掺杂以及Fe、Cu、N单一离子掺杂改性的TiO2薄膜，并进行SEM表征。在紫外光和太阳光照条件下，考察了改性TiO2薄膜对盐酸四环素的光催化降解效果。结果表明：紫外光照下，Cu、N单一掺杂TiO2薄膜对盐酸四环素的降解效果较Fe/N、Cu/N共掺杂TiO2薄膜的效果好。太阳光照下，Cu/N掺杂TiO2薄膜对盐酸四环素的降解率达到69%，比其他改性TiO2薄膜的降解效果要好，且制备条件简单易行。
沈亨杰, 刘楠楠, 骆尚廉
doaj +2 more sources
Dianci bileiqi, 2006 研究了铌对Ce,Nb掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,在1 350℃烧结条件下,掺入0.8%Nb2O5的样品具有优良的综合电性能,显示出低的压敏电压（U1mA=7.22V/mm）、高的非线性系数（α=5.76）,是一种很有潜力的新型电容-压敏陶瓷材料。铌掺杂主要是Nb5+对Ti4+的掺杂取代,该掺杂存在一饱和值。Nb2O5在不同的掺杂浓度下,存在的形式和位置不同,同时与一些低熔点化合物相如Ce2Ti2（Si2O7）O4等相互作用,使得样品的电性能发生变化。
姬颖敏 +4 more
doaj
, 2004 通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验表明，钼的最佳掺杂方式为在薄膜底层掺杂，在表层及体相掺杂的效果均比未掺杂的TiO2差；其中以Mo的摩尔分数为1．0％、在薄膜底层掺杂时TiO2薄膜的光催化活性最佳 ...
陈俊涛 +4 more
core
MgO掺杂对Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷结构和性能的影响
四川大学学报. 自然科学版, 2005 用传统固相反应法制备不同MgO含量的BST陶瓷,并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构和性能的影响.MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛矿结构,且XRD衍射峰随着MgO含量的增加向低角度方向漂移.密度测量表明,MgO掺杂后BST陶瓷的密度有所增加,并且随着MgO含量的增加而增加,FESEM照片也证实MgO掺杂后BST陶瓷的致密性有所增加.介电性能测量结果表明,MgO掺杂后介电常数和介电损耗均减小,介电色散也减弱.介电温谱显示,MgO掺杂后介电峰被压抑和展宽,表明出现扩散相变.14 ...
章天金, 江娟, 毛鸿, 张柏顺
doaj
[Adsorption characteristics of six bisphenol compounds on magnetic three-dimensional nitrogen-doped carbon nanomaterials and their use in effervescent reaction-assisted dispersive microextraction]. [PDF]
Se Pu, 2022 Liu T +8 more
europepmc +1 more source
过渡金属元素X(X=Mn,Fe,Co,Ni)掺杂对ZnO基阻变存储器性能的影响
, 2018 实验表明掺杂是一种改善阻变存储器性能的有效手段，但其物理机理鲜有研究.本文采用第一性原理方法系统研究了过渡金属元素X（X=Mn，Fe，Co，Ni）掺杂对ZnO基阻变存储器中氧空位迁移势垒和形成能的影响.计算结果表明Ni掺杂可同时有效降低+1和+2价氧空位在掺杂原子附近的迁移势垒，X掺杂均减小了氧空位的形成能，特别是掺杂Ni时氧空位的形成能减小最为显著（比未掺杂时减少了64%）.基于该结果制备了未掺杂和Ni掺杂ZnO阻变存储器，研究表明通过掺杂控制体系中氧空位的迁移势垒和形成能 ...
Jia-Jun Guo +4 more
semanticscholar +1 more source