Results 31 to 40 of about 4,190 (168)
Rare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.ABSTRACT Engineering the semiconductor/dielectric interface is crucial for advancing two‐dimensional (2D) nanoelectronics, where device performance is predominantly governed by interfacial defects and dielectric coupling. Optoelectronic doping based on carrier trapping at the h‐BN/SiO2 interface has enabled non‐volatile and reversible carrier ...
Zhe Zhang +6 more
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The Basic Study on Rare Earth Nd3+ Ion Doped Polymer Optical Waveguide Amplifier [PDF]
, 2016 近年来，有机聚合物材料以其独特的性能、低廉的成本受到越来越多的重视。聚合物光电子器件如阵列波导光栅、电光调制器、光开关和光波导放大器等几乎已经涉及了集成光学的各个领域。光波导放大器的原理是利用掺入光波导中的稀土离子在泵浦光作用下产生受激辐射来实现信号光的放大。本论文以三元钕配合物Nd(TTA)3(TPPO)2作为有源材料，制备了硅基聚合物光波导放大器，研究了器件在1060nm波长处的增益特性。所做的具体工作如下： 1.合成了三元钕配合物Nd(TTA)3(TPPO)2(HTTA:2 ...
李小龙
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Rare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.ABSTRACT Graphitic carbon nitride (g‐C3N4) doped with 3d transition metals (3d‐TM@g‐C3N4) has gained attention as a noble metal‐free alternative for oxygen evolution and reduction reactions (OER/ORR). Yet the key mechanisms driving its performance remain debated, especially across different charge states.
Jing Zhang +6 more
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Guangtongxin yanjiu, 2012 对光触发晶闸管应用中使用较广泛的一种特种光纤进行了性能分析,对该光纤的芯层与包层的掺杂和包层/芯层直径比等关键光学特性进行了系统的研究,为光触发晶闸管寻找到性价比较优的特种光纤提供了参考。通过对比分析得出,在光触发晶闸管触发应用中,光纤设计类型为芯层直径200μm,包层直径250μm;采用阶跃折射率分布设计;芯层掺杂为锗氟共掺,芯层掺杂量为锗元素16mol%、氟元素5mol%;包层掺杂为氟元素,包层掺杂量为1mol%的光纤触发性能较优,适合光触发晶闸管的应用。
董朝阳 +7 more
doaj
Dianci bileiqi, 2023 研究了不同含量Ga3+掺杂对ZnO基压敏电阻微观结构，电学性能的影响。微观结构上，掺杂Ga3+没有对压敏电阻的相组成产生改变但抑制了氧化锌晶粒的生长，并使得尖晶石数量增多，尺寸减小；电学性能上，因为势垒下降和晶界电导率提高少量增加的Ga3+掺杂就显著增大了漏电流，降低了非线性，提高了压敏电阻的梯度。当Ga3+掺杂量增加到0.014 mol%时，压敏电阻在5 kA冲击下达到了最小残压比为1.72,此时电位梯度309.05 V/mm,非线性系数为18.0,漏电流为20μA。
江海波 +6 more
doaj
Zhejiang Daxue xuebao. Lixue ban, 2003 用晶体场理论研究了MgTiO3:Fe3+(Mn2+)的EPR参量D和掺杂晶体局域结构间的内在联系,计算值与实验值符合好.结果表明,掺杂后,MgTiO3:Fe3+和MgTiO3:Mn2+局域结构的畸变均趋向Oh对称,且MgTiO3:Fe3+的畸变程度大于MgTiO3:Mn2+.
LIFu-zhen(李福珍) +1 more
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Preparation and application of graphene based transparent flexible conductive films [PDF]
, 2016 二维材料石墨烯兼具优异的电学、光学、热学和机械性能，在透明导电薄膜领域具有重要的研究价值和应用前景，有望取代传统透明导电薄膜氧化铟锡(ITO)在光电子、微电子、军事和通讯领域的广泛应用。本文着眼于石墨烯透明导电薄膜的产业化应用，围绕大面积高质量石墨烯的生长、转移和掺杂，对石墨烯基透明导电薄膜的制备与应用展开全面的研究。主要贡献及创新包括： 石墨烯生长方面，提出并利用同位素示踪原子技术证实一种碳源铜箔内表面到外表面扩散的新的石墨烯生长机制 ...
单智发
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Rare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.ABSTRACT Metal oxide‐based catalysts for oxygen reduction reaction (ORR) have drawn great attention in recent years. However, it remains technically challenging for the precise regulation of the overall performance due to the trade‐off effect among the activity, selectivity, and stability of electrocatalysts. Herein, a balancing strategy to control the
Haoran Ma +7 more
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Dianci bileiqi, 2019 使用固相反应法制备了不同浓度K+掺杂的CaCu3Ti4O12（CCTO）陶瓷试样,采用XRD、SEM、EDS、XPS、宽频介电谱仪对掺杂后的CCTO陶瓷的相结构、显微结构、晶粒与晶界内阳离子分布、阳离子氧化态、介电性能进行了表征,结果表明:K+优先替代了Ca2+形成受主掺杂。根据电荷守恒,晶粒内以生成氧空位为主,金属离子析出被抑制,此时晶粒尺寸趋于减小。当掺杂浓度超过6 mol%时,晶胞膨胀形成了Cu空位。介电性能的变化与点缺陷和显微结构的变化有关,K+掺杂后,晶粒尺寸先减小,然后随掺杂浓度的增加而增大。
曹壮, 成鹏飞, 宋江
doaj
A DFT Study on C-H Bond Activation of Methane by CeO2 and CeO2-doped with Metal Cations [PDF]
, 2015 甲烷是天然气的主要成分，是燃料和化学品中非常出色的原材料，但甲烷又是非常稳定的分子，其活化常需较高的温度，因此，研究有效活化甲烷，特别是较低温下转化甲烷的催化剂，具有理论和实际的研究意义。近年来，研究表明二氧化铈基纳米催化剂具有良好的低温活化甲烷性能，但其活性中心本质和活化机理尚不很清楚。为此，我们采用密度泛函理论(DFT)方法，对二氧化铈及掺杂不同金属阳离子的二氧化铈体系活化甲烷C-H进行了计算研究。其主要研究内容和结果如下： 1.以(CeO2)m(m=1-3)团簇为模型对甲烷C ...
陈蓉芳
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