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N掺杂p型ZnSe电子结构的第一性原理计算

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 2009
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理全电子势线性缀加平面波方法(FPLAPW),对 N 掺杂 ZnSe 晶体的几何结构进行了优化,从理论上给出了 N 掺杂 ZnSe 晶体结构参数并对中心 Zn 原子近邻和次近邻位 N 掺杂前后总态密度及分态密度进行了对比分析,讨论了不同 Se 位 N 掺杂对 ZnSe 晶体性能的影响,在次近邻掺杂中,晶体表现出更为优良的半导体性质.
李宗宝, 王霞
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Edge‐Fluorinated Flower‐Like Porous Graphene Microspheres With Enlarged Interlayer Spacing for High‐Performance Potassium‐Ion Batteries

open access: yesRare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.
ABSTRACT The utilization of carbonaceous anodes in electrochemical systems, particularly potassium‐ion batteries (PIBs), remains hindered by sluggish kinetics and modest capacities, which are caused by the intrinsic ion storage mechanisms and constrained interlayer spacings.
HaiSong Chen   +7 more
wiley   +1 more source

B位掺杂Bi4Ti3O12的研究

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 2005
制备了不同半径和价数的离子B位掺杂的BTNb,BTV,BTZr,BTHf陶瓷,并且对其性能进行了测量.发现B位掺杂可以显著增加陶瓷的2Pr,同时可以改善抗疲劳性能.研究结果表明掺杂离子半径和价数都对剩余极化有一定影响,此外掺杂离子和氧离子的电子轨道杂化也会影响材料的剩余极化.
顾骏, 李伟, 吕笑梅, 朱劲松
doaj  

Investigating the Origin of Topological‐Hall‐Like Resistivity in Zn‐Doped Mn2Sb Ferrimagnet

open access: yesRare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.
ABSTRACT Skyrmions and other chiral spin textures have been extensively studied as potential building blocks for novel spintronic devices. Hall‐resistivity anomalies that deviate from magnetization scaling, known as the topological Hall effect, have been widely employed as evidence for the presence of chiral spin textures in magnetic materials. However,
BoCheng Yu   +9 more
wiley   +1 more source

Zr/TiO2与Ni/InVO4的控制掺杂及光催化活性

open access: yes, 2006
光催化具有能耗低、操作简单、无二次污染等突出特点,在污染物处理、有机合成、催化制氢等能源环境领域具有潜在的发展前景。但是光催化活性和转化效率普遍较低仍是光催化应用最大的瓶颈之一。本文通过对TiO2的Zr离子控制掺杂,来探讨提高光催化剂活性的途径,并运用到可见光催化剂InVO4的控制掺杂改性上,最后分析了控制掺杂提高光催化剂活性的机理。 本文采用溶胶-凝胶法,利用控制掺杂工艺,制备了Zr非均匀分布TiO2薄膜催化剂、Ni非均匀分布InVO4薄膜催化剂,并合成了Ni-InVO4复合粉末催化剂。通过XRD ...
樊俊林
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铋和氮共掺杂TiO2的制备及光催化性能的研究

open access: yesGongye shui chuli, 2013
以钛酸四丁酯、硝酸铋和尿素为原料,采用溶胶-凝胶法制备了不同掺杂量的铋和氮的单掺杂及共掺杂TiO2光催化剂。以活性黑KN-B为模拟染料废水考察了所制备TiO2的光催化性能,研究了染料光催化降解的影响因素。结果表明,铋和氮共掺杂TiO2比TiO2及单掺杂TiO2的光催化活性要高。当Bi0.5N8.0/TiO2的投加量为4.0 g/L,活性黑KN-B初始质量浓度为40 mg/L,pH为2.23,在125 W汞灯下光照20 min时,活性黑KN-B的降解率接近99.9 ...
姜聚慧, 梁宁, 宋世理, 郭颖
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一种掺杂类金刚石薄膜及其制备方法

open access: yes, 2015
本发明提供一种掺杂类金刚石薄膜的制备方法,其包括如下步骤:a根据第一性原理计算模拟金属原子与碳原子的成键特征,筛选出与碳原子具有反键特征的掺杂金属元素;b通过离子束法形成类金刚石薄膜,并在类金刚石薄膜的成膜过程中通过磁控溅射法向所述类金刚石薄膜掺杂至少一种该掺杂金属元素,得到掺杂类金刚石薄膜,其中该掺杂金属元素的原子百分含量为0.13%~40 ...
徐胜   +5 more
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氧化钪掺杂氧化锌压敏瓷的显微组织和电性能

open access: yesDianci bileiqi, 2010
采用固相法制备Sc2O3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了Sc2O3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。Sc2O3掺杂氧化锌压敏瓷1 000℃烧结的性能较好;当Sc2O3掺杂量掺杂浓度(摩尔分数)为0.3%时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好,其压敏电位梯度为821 V/mm,非线性系数为62,漏电流为0.16μA。
徐东, 史小锋, 程晓农
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一种可恒温的掺杂剂组件装置

open access: yes, 2014
一种可恒温的掺杂剂组件装置。由本体、上盖、密封圈和掺杂剂玻璃瓶构成。本体是一个可放置掺杂剂玻璃瓶的顶端开放式腔体,该腔体上下端分别连接着一个进气管和一个出气管,本体底部嵌入一个加热棒和一个温度传感器,本体顶端外壁有外螺纹;上盖内壁有内螺纹,上盖内嵌了密封圈;本体与上盖之间通过螺纹而连接在一起,并通过上盖内嵌密封圈来实现密封。通过本体的加热棒、温度传感器等控制单元来控制组件装置的温度并保持恒温,空气通过本体的进气管进入,流经掺杂剂玻璃瓶并与渗透出来的掺杂剂混合,经本体的出气管流出 ...
 李京华   +3 more
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铌掺杂对Ce-Nb-TiO2系压敏陶瓷结构与电性能的影响

open access: yesDianci bileiqi, 2006
研究了铌对Ce,Nb掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,在1 350℃烧结条件下,掺入0.8%Nb2O5的样品具有优良的综合电性能,显示出低的压敏电压(U1mA=7.22V/mm)、高的非线性系数(α=5.76),是一种很有潜力的新型电容-压敏陶瓷材料。铌掺杂主要是Nb5+对Ti4+的掺杂取代,该掺杂存在一饱和值。Nb2O5在不同的掺杂浓度下,存在的形式和位置不同,同时与一些低熔点化合物相如Ce2Ti2(Si2O7)O4等相互作用,使得样品的电性能发生变化。
姬颖敏   +4 more
doaj  

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