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High‐Value Targeted Conversion of Copper Slag as LiFePO4 Material for Lithium‐Ion Batteries
Rare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.ABSTRACT The massive stockpiling of copper slag (CS) presents severe environmental and resource‐waste challenges. Existing strategies for CS valorization typically yield low‐value‐added products. Herein, we propose an innovative hierarchical regulation approach to transform CS into high‐performance LiFePO4 (LFP) cathode materials.
Yuyun Li +5 more
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Dianci bileiqi, 2021 研究了不同掺杂含量的Gd2O3对氧化锌（ZnO）压敏电阻片的电气性能、微观特性、物相特性和介电特性的影响。研究表明,掺杂Gd2O3对ZnO敏电阻片的电气性能具有重要影响,掺杂过量的Gd2O3对ZnO敏电阻片的晶粒生长具有抑制作用,锌填隙浓度提升,具体表现在电位梯度、泄漏电流提升而非线性系数大大减小。而掺杂少量的Gd2O3提升氧空位浓度,减小锌填隙浓度,进而抑制泄漏电流。此时掺杂量在0.5%（摩尔分数）Gd2O3电气参数分别为526 V/mm、15μA/cm2、非线性系数28 ...
赵霞 +6 more
doaj
Study of ICP-induced In doping and the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2015 GaN材料属于第三代半导体材料，具有宽的直接带隙以及优异的物理和化学性质，是制作发光器件和光伏器件的理想材料。在信息显示领域，GaN基高亮度蓝、绿发光二极管可以用于户外大屏幕全色显示以及交通信号灯等方面；在照明领域，GaN基白光LED可以用于背光源、路灯和景观照明以及通用照明等。GaN基器件的研究已经取得巨大进展，但是在器件的制备过程中仍存在一些问题，如GaN材料的p型欧姆接触问题则是限制GaN器件发展的主要因素之一。有两方面的原因阻碍低阻p-GaN欧姆接触的实现：一方面是难以生长高空穴浓度的p ...
曾勇平
core
Rare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.ABSTRACT The dual challenges of environmental sustainability and rising energy needs underscore the necessity for high‐energy‐density batteries, making lithium–sulfur (LSB) systems with their high theoretical capacity highly attractive. However, the polysulfide shuttle, coupled with inherent kinetic limitations in the sulfur reduction reaction ...
Bingbo Ni +4 more
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Dianci bileiqi, 2006 研究了铌对Ce,Nb掺杂的二氧化钛压敏陶瓷结构和电性能的影响。结果表明,在1 350℃烧结条件下,掺入0.8%Nb2O5的样品具有优良的综合电性能,显示出低的压敏电压（U1mA=7.22V/mm）、高的非线性系数（α=5.76）,是一种很有潜力的新型电容-压敏陶瓷材料。铌掺杂主要是Nb5+对Ti4+的掺杂取代,该掺杂存在一饱和值。Nb2O5在不同的掺杂浓度下,存在的形式和位置不同,同时与一些低熔点化合物相如Ce2Ti2（Si2O7）O4等相互作用,使得样品的电性能发生变化。
姬颖敏 +4 more
doaj
Preparation of Copper doped Vanadium Pentoxide Thin Films Electrodes and Its Application in Micro-scale All Solid State Li-ion Batteries [PDF]
, 2015 随着微机电系统（MEMS）的发展，微型设备已经进入人们的生活。大体积的外接电源限制了微设备的推广应用，同时电源也逐渐向微小型化方向发展，进一步研究将微电源跟微设备集成在同一芯片上成为了新的发展趋势。全固态薄膜锂离子电池具有能量密度高、电压高、循环性能好和安全稳定等优点，并且制备工艺与MEMS的集成相兼容，是最适合应用于MEMS器件上的集成微能源。本论文目的是研究铜掺杂对V2O5薄膜的电化学性能的影响，并以V2O5及其掺杂铜的Cu2.1VO4.4薄膜做为负极薄膜，研制了微型全固态薄膜锂离子电池 ...
张梁堂
core
Rare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.ABSTRACT Sodium‐ion batteries (SIBs) have emerged as promising candidates for large‐scale energy storage due to their cost‐effectiveness and resource abundance. However, challenges such as sluggish ion diffusion kinetics, structural degradation, and interfacial instability hinder their practical applications.
Yunze Wang +7 more
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Dianci bileiqi, 2010 采用固相法制备Sc2O3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了Sc2O3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。Sc2O3掺杂氧化锌压敏瓷1 000℃烧结的性能较好;当Sc2O3掺杂量掺杂浓度（摩尔分数）为0.3%时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好,其压敏电位梯度为821 V/mm,非线性系数为62,漏电流为0.16μA。
徐东, 史小锋, 程晓农
doaj
Dianci bileiqi, 2022 通流容量是ZnO压敏电阻的重要的电气参数，其大小决定着避雷器性能的优劣。笔者研究了B2O3和Ga2O3掺杂对ZnO压敏电阻预击穿区和翻转区下的电流-电压特性的影响。在预击穿区，B3+和Ga3+的掺杂提高了样品的晶界势垒，抑制了泄漏电流的增加，从而改善了样品在工作条件下的老化稳定性。而在翻转区，三价施主离子(B3+和Ga3+)的掺杂致使I-V曲线右移，扩大了样品的非线性区，提高了样品对高脉冲电流放电的能力。掺杂0.3（摩尔分数）B2O3、0.1（摩尔分数）Ga2O3的样品具有优异的电气性能 ...
程宽, 赵洪峰, 周远翔
doaj
Roll-to-roll growth of oversize hexagonal BN films and its applications in 2D optoelectronic devices [PDF]
, 2016 随着半导体材料和器件技术地迅速发展，实际应用中，对于短波长光电器件、高功率和高频率电子器件的开发和需求日益增加，逐步揭示了限制光电子器件发展的问题。首先，大规模生产的新型光电子器件对所需的二维材料有了更高的要求，强烈需要一个大尺寸（晶圆尺寸以上）的薄膜合成。其次，从光电子器件的基本结构角度来看，为了实现光电转换功能，电注入和pn结仍然是主流结构，也就是说从材料合成走向实际器件应用，p、n型导电层的制备通常都扮演着关键性的角色。最后，就是利用材料的各项特性，将其应用到各种研究领域。本文针对这三大方面问题 ...
伍臣平
core