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一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法及其产品

open access: yes, 2015
本发明公开了一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法,采用磁控溅射的方法,以富碳材料作为溅射靶材,以氮气或者氮气与氩气的混合气体作为溅射气氛,以金属、无机半导体材料或无机绝缘材料作为衬底制备氮掺杂碳膜,所述衬底温度为20~500℃;在真空、氮气气氛或惰性气氛中,在300~1000℃下,氮掺杂碳膜经热处理10秒~20小时后,得到所述的氮掺杂多孔碳薄膜材料。本方法无需模板,不消耗有机溶剂,简单易行;本方法制备的氮掺杂多孔碳薄膜材料具有N含量、孔尺寸可调的特点,N含量最高可达30 ...
曹鸿涛, 陈浩, 诸葛飞
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MgO掺杂对Ba0.65Sr0.35TiO3陶瓷结构和性能的影响

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 2005
用传统固相反应法制备不同MgO含量的BST陶瓷,并研究MgO掺杂对BST陶瓷结构和性能的影响.MgO掺杂后陶瓷的XRD图谱显示存在单一的钙钛矿结构,且XRD衍射峰随着MgO含量的增加向低角度方向漂移.密度测量表明,MgO掺杂后BST陶瓷的密度有所增加,并且随着MgO含量的增加而增加,FESEM照片也证实MgO掺杂后BST陶瓷的致密性有所增加.介电性能测量结果表明,MgO掺杂后介电常数和介电损耗均减小,介电色散也减弱.介电温谱显示,MgO掺杂后介电峰被压抑和展宽,表明出现扩散相变.14 ...
章天金, 江娟, 毛鸿, 张柏顺
doaj  

一种过渡金属掺杂的介孔碳材料的制备方法

open access: yes, 2009
本发明属于介孔碳材料,具体涉及一种高比表面积的过渡金属掺杂的介孔碳材料的制备方法。其以过渡金属掺杂的高分子为碳化前驱物,以嵌段聚合物为成孔剂,利用两者在易挥发的溶剂中形成的超分子自组装结构,于固化剂存在下,在一定的温度下固化,形成过渡金属掺杂的高分子介观结构。通过在惰性气氛下焙烧除去成孔剂,可以制备过渡金属掺杂的介孔高分子材料。将制得的过渡金属掺杂的介孔高分子材料在惰性气氛下高温碳化,得到过渡金属掺杂的介孔碳材料 ...
包信和, 王春雷, 马 丁
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ZnO掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷的性能与微结构

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 2005
利用企业的电子陶瓷工艺制备了ZnO掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5Ti O3无铅压电陶瓷,研究了ZnO掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响.X射线衍射结果表明,当ZnO含量小于0.5wt%时,掺杂的ZnO扩散进入了Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5Ti O3钙钛矿结构的晶格;SEM观察结果表明,少量的ZnO掺杂可以改善该陶瓷的微结构;介电压电性能研究结果表明,当掺杂量较少时,ZnO对该体系陶瓷的介电压电性能有一定的改善,但不明显.
廖运文   +6 more
doaj  

铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质

open access: yes, 2008
研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容易获得浓度为10~(18)~10~(19)cm~(-3)的n型ZnO单晶,掺入杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,ZnO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In ...
董志远   +4 more
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C掺杂锐钛矿TiO2电子结构和光学性质的第一性原理计算

open access: yes四川大学学报. 自然科学版, 2011
基于第一性原理,计算了碳掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质.计算结果表明,纯TiO2的晶格参数与实验值以及其它的理论结果符合的很好;碳掺杂TiO2的带隙间出现了三个孤立的非纯态;掺杂TiO2的带隙和结构参数随着掺杂碳的含量和分布方式变化;碳掺杂TiO2可以吸收波长更长的太阳光,有助于提高TiO2的可见光催化活性.
朱博   +4 more
doaj  

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