Results 61 to 70 of about 53,681 (204)
, 2016 本发明涉及一种碳纤维热塑复合材料的焊接方法及其中所用到的掺杂树脂，属于复合材料连接固定技术领域。该掺杂树脂包括基体材料和掺杂材料，所述基体材料为透明的热塑性树脂，所述掺杂材料为能够吸收光能转换为热能的有色颗粒，所述掺杂材料在所述掺杂树脂中的体积百分比为0.01％-1％。该掺杂树脂可用做碳纤维热塑复合材料焊接的填充树脂，在焊接时，于待焊接的碳纤维热塑复合材料之间填充一层上述掺杂树脂，并以激光照射该掺杂树脂，激光束在此掺杂树脂内部传输，被该掺杂树脂吸收形成一条热源带 ...
王强 +4 more
core
Dianci bileiqi, 2010 采用固相法制备Sc2O3掺杂ZnO压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了Sc2O3对氧化锌压敏瓷电性能和显微组织影响机理。Sc2O3掺杂氧化锌压敏瓷1 000℃烧结的性能较好;当Sc2O3掺杂量掺杂浓度（摩尔分数）为0.3%时氧化锌压敏瓷的综合电性能最好,其压敏电位梯度为821 V/mm,非线性系数为62,漏电流为0.16μA。
徐东, 史小锋, 程晓农
doaj
[Mn2+-doped Prussian blue nanoparticles for T1-T2 dual-mode magnetic resonance imaging and photothermal therapy in vitro]. [PDF]
Nan Fang Yi Ke Da Xue Xue Bao, 2021 He G +5 more
europepmc +1 more source
, 2012 本发明涉及一种银纳米掺杂的碲酸盐玻璃及其制备方法，该银纳米掺杂的碲酸盐玻璃是由65～90mol％的TeO2、5～25mol％的ZnO、 1～20mol％的Na2O以及质量百分比浓度是2％～10％的银离子化合物制备而成。本发明根据银纳米掺杂具有较好物理性质的原理提供了一种熔制工艺简 单、可获得高非线性以及高响应时间光学玻璃材料的银纳米掺杂的碲酸盐玻璃及其制备方法。
林傲祥, 周志广, 湛欢, 何建丽
core
Gongye shui chuli, 2013 考察了酸析预处理对水性油墨废水CODCr的去除效果,并对酸析沉淀物进行了红外分析。探讨了通过电沉积法制备的未掺杂、掺杂Fe、掺杂Bi、掺杂Fe+Bi 4种钛基二氧化铅电极对酸析后的水性油墨废水的处理效果,对板间距、电解时间、电流密度和pH等工艺条件进行了优化。结果表明:酸析预处理对水性油墨废水具有较好的处理效果;掺杂Fe+Bi钛基二氧化铅电极板的电催化处理效果最好；最优工艺条件:pH为9,电流密度为30 mA/cm2,电解时间为210 min,板间距为1 cm。
杨鹏, 王中琪, 王军
doaj +2 more sources
ZnO掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5TiO3无铅压电陶瓷的性能与微结构
四川大学学报. 自然科学版, 2005 利用企业的电子陶瓷工艺制备了ZnO掺杂Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5Ti O3无铅压电陶瓷,研究了ZnO掺杂对该体系陶瓷的介电压电性能与微观结构的影响.X射线衍射结果表明,当ZnO含量小于0.5wt%时,掺杂的ZnO扩散进入了Bi0.5(Na1-x-yLixKy)0.5Ti O3钙钛矿结构的晶格;SEM观察结果表明,少量的ZnO掺杂可以改善该陶瓷的微结构;介电压电性能研究结果表明,当掺杂量较少时,ZnO对该体系陶瓷的介电压电性能有一定的改善,但不明显.
廖运文 +6 more
doaj
, 2012 本发明提供了一种稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体的制备方法，解决了纳米材料极易发生团聚的技术问题，具体制备方法如下：1)将原料加入到玻碳坩埚中混合均匀，搅拌条件下在200～250℃反应10～24h；2)将步骤1)中的反应体系的温度升高至320～350℃，搅拌条件下反应3～8h后，对产物进行离心获得沉淀，然后洗涤该沉淀，获得稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体。本发明的反应温度较低，反应条件温和，所获得的稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体不易发生团聚，通过低温反应——水热合成法制备的稀土掺杂聚磷酸盐纳米晶体分散均匀、晶型完美 ...
崔晓霞, 韦玮, 王中跃, 彭波
core
四川大学学报. 自然科学版, 2011 基于第一性原理,计算了碳掺杂锐钛矿相TiO2的电子结构和光学性质.计算结果表明,纯TiO2的晶格参数与实验值以及其它的理论结果符合的很好;碳掺杂TiO2的带隙间出现了三个孤立的非纯态;掺杂TiO2的带隙和结构参数随着掺杂碳的含量和分布方式变化;碳掺杂TiO2可以吸收波长更长的太阳光,有助于提高TiO2的可见光催化活性.
朱博 +4 more
doaj
一种深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器,包括：一硅或SOI衬底；一第一掺杂层,制作在硅或SOI衬底上；一第二掺杂层,制作在第一掺杂层上；一迎光面介质钝化层,制作在第二掺杂层上；一第一金属电极,为E字形结构,该第一金属电极制作在第二掺杂层上；一第二金属电极,为E字形结构 ...
毛雪, 韩培德
core
, 2003 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si ...
朱世荣 +6 more
core