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, 2002 低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比,制作工艺简单,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压,降低了漏电电流,改进了器件参数空间分布的均匀性.我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术,成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器。Low temperature metal induced unilaterally crystallized polycrystalline silicon thin film transistors (TFTs)
孟志國, Zhiguo +2 more
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, 1989 本论文的重点是晶体数据库的在线管理及初步应用。主要包括三个方面：（1）、晶体数据库的在线管理 在美国国家标准局结晶数据文件（NBSCDF）的基础上，采用①.商品化软件DATATRIEVE，②.专用FORTRAN程序，③.命令过程文件三种手段合理结合的软件策略，高效率地建立了容量70兆字节的NBS无机晶体在线检索系统CRYDB，与引进开发的有机晶体结构库CSD、无机晶体结构库ICSD构成国内第一套完整的晶体数据库在线系统。同时也提供了一种在小型机上快速建立在线数据库的方法。（2）、键价计算程序 ...
张英
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, 2009 邁向二十一世紀，資訊系統已不再是一種單純的支援工具，而是足以影響公司策略的重要元素。由於資訊領導人的角色會影響資訊系統在公司策略上的運用，因此了解資訊主管的角色就顯得更為重要了。本研究的目的是要調查我國資訊主管的背景及其所從事的工作活動，樣本涵蓋193家大企業的資訊主管，研究結果顯示國內的資訊主管商管經驗不足，他們花較多時間在技術性課題而花較少的時間在管理性與策略性課題上，資訊主管多強調技術性角色而降低管理性及策略性角色的重要性 ...
陶蓓麗; 廖則竣
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, 1992 用自行研制的SOS型氢离子敏场效应晶体管, 结合聚乙烯醇膜和赖氨酸脱羧酶膜, 研制成场 效应晶体管型赖氨酸传感器, 其线性响应范围为: 0.02%—0.10%, 响应灵敏度75±3mV,响应时间约2min。传感器寿命达60d, 在pH6.2的磷酸盐缓冲液中(含10~(-3)mol/L磷酸吡哆醛), 37℃时器件性能最优, 同时还考察了硅烷化及膜厚对器件性能的影响。用该传感器初步 检测强化赖氨酸饮料的含量, 结果与经典的茚三酮显色法基本一致 ...
汪正孝, 俞宝明, 李幼荣
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, 2010 [[abstract]]在應用資訊科技以促進知識管理的議題中，多數研究是針對知識管理系統之探討，其主要的研究方向則可以從管理的角度或是由資訊科技的角度來切入。在管理層面，如何使知識管理系統符合組織策略、提升團隊工作績效、如何應用知識管理系統使組織成員能適當取得所需知識是主要的重點考量，是以組織活動為思考對象；而資訊科技的層面則是以知識管理系統為主要思考對象，主要的議題在於如何應用新的資訊科技使系統更有效率、實現知識管理架構、知識管理功能等。許多知識管理系統研究案例多屬於功能性導向 ...
施博議;謝仲杰;簡伊汝;謝昆霖
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本发明公开了一种双极型晶体管与半导体激光器单片集成器件的制作方法，该方法包括：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上依次生长缓冲层、下包层、亚集电极层、集电极层、基极层、量子阱有源区层、发射极层、上包层以及接触层；步骤3：制作该单片集成器件的激光器单元；步骤4：制作该单片集成器件的晶体管单元。利用本发明，由于激光器与双极型晶体管具有相同的材料结构以及制作工艺 ...
梁松, 王圩, 朱洪亮
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本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种NPN异质结双极型晶体管激光器，包括衬底(1)、缓冲层(2)、下包层(3)、亚集电极层(4)、集电极层(5)、基极层(6)、量子阱有源区层(7)、发射极层(8)、上包层(9)和接触层(10)。其中量子阱有源区层位于所述基极层与发射极层之间，一方面减少了基极层中掺杂杂质Zn向有源区层的扩散，另一方面也减少了基极层中掺杂杂质Zn向发射区层的扩散，有助于同时提高器件的光学和电学性能。由发射极注入的电子一部分在量子阱有源区层中辐射复合发光，另一部分被集电极层收集 ...
梁松, 王圩, 朱洪亮
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