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Gaoya dianqi, 2014 激光泵浦系统的脉冲电容器在工作一段时间之后会出现一定的残余电压,而且残压会越来越大,残余电压会对激光装备造成严重影响。笔者通过充放电试验,研究了影响脉冲电容器残余电压的因素,以及残余电压产生和升高的机理。结果表明:残压与电容充电电压以及损耗都有关。损耗越大残压越大,当损耗在一定的范围内时,残余电压随着电容充电电压的升高基本呈现线性递减的趋势,损耗越大递减越慢;当损耗超出这一范围时,残余电压随着充电电压的升高不再呈现线性递减,而是在一定的水平浮动。随着充放电过程的进行,残压呈现变化越来越快的趋势 ...
林德江 +6 more
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Gongye shui chuli, 2012 胜利油田压裂作业后产生的残余压裂液具有COD、黏度、浊度高的特点，采用破胶—絮凝—深度氧化法来处理残余压裂液．筛选出性能优良的破胶剂、无机混凝剂、有机絮凝剂和深度氧化体系并确定最佳实验条件，最终得到胜利油田残余压裂液室内处理配方:每100 mL残余压裂液需加破胶剂JPC 0.5 g、聚铝0.25 g、聚丙烯酰胺溶液3 mL、5 mL Fenton试剂〔n(FeSO4.7H2O)∶n(H2O2)=8∶1〕．室内实验结果表明:处理后残余压裂液的各项污染物大幅下降，除COD外，其余污染物含量已经远低于GB ...
马超, 徐良伟, 刘源, 白波
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Dianci bileiqi, 2014 残压比是衡量压敏电阻性能的一项重要指标,针对压敏电阻在冲击老化过程中残压比的变化问题,通过对压敏电阻样品进行8/20μs雷电流冲击老化试验,发现残压比在标称电流（In）冲击老化试验过程中呈现缓慢降低--缓慢增加--快速上升的变化趋势;根据双肖特基势垒理论及热老化理论分析,得出冲击过程中残压比的大小主要由晶界层状态所决定,残压比快速上升阶段是由于晶界层大量破坏的结论;提出了利用残压比变化率来衡量压敏电阻老化程度的方法,在实际应用中具有参考价值。
陈璞阳 +4 more
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Dianci bileiqi, 2018 针对浪涌保护器接地线过长问题,以风电机组变流器网侧SPD为例,首先根据GB 50057—2010标准结合风电机组实际情况,分析网侧SPD选型,然后利用雷电冲击试验平台,对SPD接地线对残压的影响进行研究。结果表明:变流器网侧可选择II级SPD。随着冲击电流的增大,SPD残压会增大。随着接地线长度增加,残压增大。当线长达到1 m时,残压理论计算值5.1kV,高于实际冲击残压4.78kV。变流器工作状态下冲击,会导致SPD残压抬高。
王朝明
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Gaoya dianqi, 2012 按GB 18802.1—2002之规定进行8/20μs冲击电流下的电涌保护器（SPD）残压测试时,测试结果常受到各种因素的影响。笔者通过试验验证,理论探讨,分析了SPD两端引线、高压探头与被测SPD之间的连线方式、残压信号传输线缆等多种因素对残压测量结果的影响。确定了电涌保护器残压测量过程中的各种影响因素及影响趋势,提出准确测量残压的方法。
高鑫 +4 more
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Dianci bileiqi, 2009 ZnO压敏陶瓷残压的高低决定了MOA的保护水平,针对残压的形成机制尚不清楚,测量了传统工艺制备的ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷的小电流区、大电流区及部分中电流区的伏安特性,通过对中电流区和大电流区伏安特性的数据拟合发现,中电流区晶界电压降与电流密度之间符合隧道电流导电机制,且当进入大电流区时该晶界击穿电压最终达到一稳定值。计算表明,晶界击穿电压所引起的残压占总残压的90%左右,因此降低残压应主要考虑降低晶界上的击穿电压。
成鹏飞, 李盛涛, 王玉平, 朱斌
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Dianci bileiqi, 2018 配电避雷器是一种重要的过电压保护装置。雷电流冲击下的残压特性是描述避雷器过电压保护能力的重要参数。现行标准下针对氧化锌避雷器雷电流的残压特性实验和整只避雷器现场运行情况并不等效,通过比例单元残压特性实验测试的避雷器在现场运行中故障率仍然较高。本文选取了五个常用厂家的整支避雷器进行8/20μs的雷电流冲击实验,获得了不同厂家整支避雷器的残压特性曲线。五个厂家中的三个厂家的整支避雷器残压特性符合标准要求,另外两个厂家的整支避雷器残压值超过标准要求,其在试验过程中也发生了爆炸。试验结果表明 ...
齐伟强 +5 more
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Dianci bileiqi, 2017 研究温度传感器接口的抗雷电冲击能力以及气体放电管内的残留电荷对420 mA温度传感器残压的影响。发现:幅值为50 V的脉冲电压即可导致温度传感器接口损坏,说明温度传感器接口不具备抗雷电浪涌能力;气体放电管内的残留电荷,使气体放电管的残压有逐渐减小的趋势;随着冲击电压的增加,同一冲击电压下多次冲击后,气体放电管的残压值逐渐稳定。
王石成, 周杰, 刘俊
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Dianci bileiqi, 2016 针对雷电瞬时过电压对精密电子设备的性能所带来的干扰及破坏等问题,通过对瞬态抑制二极管的原理进行分析,并对10种不同启动电压的瞬态抑制二极管进行雷电模拟冲击试验,利用示波器采集残压及通流的数据,计算瞬态抑制二极管的残压比。试验结果得出:瞬态抑制二极管两端施加的冲击电压越高,其两端残压及通流也将越大;且冲击电压和瞬态抑制二极管的残压比呈正相关;随着瞬态抑制二极管启动电压的增大,瞬态抑制二极管能够正常工作的雷电冲击电压值变化区间在不断减小。当瞬态抑制二极管损坏时,其内部PN结损坏 ...
陈云帆, 周中山, 张云峰
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Dianci bileiqi, 2011 金属氧化物压敏电阻（MOV）是防护电气电子设备因受雷电闪击及其他瞬态电磁干扰造成传导过电压危害的有效器件,它的性能直接影响安全保护效果。国内外常将几片MOV并联在一起使用,这样不仅可降低残压,还可起到分流延长MOV寿命的作用。利用PSPICE仿真工具,对不同并联片数MOV进行大量仿真模拟,绘制出残压、通流的变化关系,得到推论:5片以上并联设计可使残压降低大约35%;当并联片数达到6片时,再增加MOV,对残压和通流的优化作用已相当有限;MOV的并联使用情况依然符合伏-安特性 ...
应凌云, 孙涌, 张雷
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