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Dianci bileiqi, 2010 专利申请号:CN200710104342.8公开号:CN101064430公开日:2007.10.31请人:桂林工学院本发明公开了一种智能电源避雷器,综合采用物理的和智能的方法实现劣化后的脱扣保护机制,它由智能化的嵌入式控制系统和温度传感器组成,温度传感器嵌入在电源避雷器的氧化锌压敏电阻表面,并与氧化锌压敏电阻进行电气的绝缘处理,另有一个温度传感器感测环境温度 ...
doaj
Dianci bileiqi, 2009 综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,
巫欣欣 +4 more
doaj
Gaoya dianqi为了比较不同类型冲击电流对氧化锌（ZnO）压敏电阻直流老化的影响，将相同类型的ZnO压敏电阻样品分别开展2 ms方波（峰值为2 kA）耐受试验和4/10 μs冲击电流（峰值为100 kA）试验。实验结果表明，在1~3轮（3~9次）的冲击耐受下，2 ms方波对ZnO压敏电阻的老化特性能起到一定优化作用，而4/10 μs大电流冲击则使得ZnO压敏电阻老化特性持续劣化。利用扫描电子显微镜（SEM）、光谱仪、数字源表研究其微观结构以及电气性能参数变化。结合实验结果分析原因，4/10 ...
赵江泽 +4 more
doaj
Dianci bileiqi氧化锌（ZnO）压敏陶瓷是金属氧化物避雷器的核心元件。ZnO电阻片的残压比、电位梯度、漏电流等性能参数与避雷器的保护性、可靠性、轻便性有着直接关联。通过调控ZnO电阻片在烧结降温过程中900℃ -400℃温度区间内的降温速率，实现了残压比、电位梯度和漏电流的协同优化。通过宽带介电温谱，发现本征点缺陷浓度随降温速率增加而增大，锌填隙缺陷浓度的增加相较于氧空位缺陷浓度的增加更为显著。通过解耦残压比和电位梯度的影响因素，发现ZnO电阻片残压比的变化主要受降温速率影响，而电位梯度的变化主要受最高烧结温度影响 ...
厍海波 +9 more
doaj +2 more sources
Dianci bileiqi, 2014 用MOV（氧化锌压敏电阻）的静态参数（压敏电压U1mA和漏电流IL）判定其劣化程度,只能直观反映压敏电阻的整体性能,而不能及时有效地的表征出压敏电阻的老化劣化趋势。根据MOV的U-I特性,结合肖特基势垒模型及离子迁移理论,提出MOV劣化过程中必然伴随着动态电阻Rd的变化。通过针对同一型号的MOV在不同脉冲电流下的大量实验分析得出:劣化前,8/20下Rd都呈"U"型分布,10/350下Rd呈缓慢递增后急速上升的趋势;劣化后,8/20下Rd没有明显变化,只有局部降低趋势而10/350下的Rd则出现不规则震荡。
徐乐 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2013 探讨了氧化锌压敏电阻SPD的传统脱扣方法的不足:脱扣不及时、不精确乃至误脱扣,以及低电压电源系统避雷器智能脱扣系统的要求与实现的难点,并设计了基于电流互感器数据差分方法在线检测压敏电阻漏电流和微控制器数据处理的智能脱扣方法,所述脱扣器动作准确及时,可长期复用。
胡勇坚
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Dianci bileiqi研究了环氧粉末包封料、助焊剂残留及清洗剂、氧化锌压敏电阻器引线直径、硅胶内涂、环氧粉末包封料固化温度和时间、冷热冲击条件等多种因素对于氧化锌压敏电阻器耐冷热冲击性的影响。通过研究发现，不同环氧粉末包封料影响较大。助焊剂残留会严重劣化耐冷热冲击性，不同清洗剂的清洗效果存在差异。环氧粉末包封料固化不充分，会降低耐冷热冲击性。硅胶内涂因为与环氧的相容性差，会明显劣化耐冷热冲击性。不同的耐冷热冲击条件，其中低温区影响更加明显。
周庆丰
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Dianci bileiqi氧化锌压敏电阻在重复过电压下性能会逐渐劣化，最终可能导致短路、起火或爆炸，目前单次耐受测试无法全面反映ZnO压敏电阻在实际使用中的预期性能，亟需对其冲击老化特性及失效机理进行深入研究。文中建立了ZnO压敏电阻重复冲击电流试验实验平台，研究了以压敏电压、冲击残压及泄漏电流为表征的ZnO压敏电阻保护特性劣化特性。研究结果表明，压敏电阻的冲击老化寿命随着冲击密度的增加而显著减少，这是由于电阻片尺寸效应引起的微观缺陷增加所致。此外，不同电流幅值条件下的冲击间隔对老化过程也有显著影响 ...
李宣健楠 +4 more
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Dianci bileiqi通过材料配方中掺杂不同含量的氧化铈（CeO2）探究其对氧化锌压敏电阻的微观形貌、晶粒尺寸、电学性能和大电流冲击测试后退化规律的影响。采用XRD表征了压敏电阻的晶相组成。研究发现，当CeO2掺杂量为0.11wt%时，样品表现出更均匀的晶粒尺寸分布和较优异的电学性能。其电位梯度由未掺杂时的327.8 V/mm提高至349.4 V/mm，非线性系数和残压比分别为60.8和2.408。通过了6次8/20 µs波形下20kA(电流密度6170A/mm2)的脉冲浪涌模拟测试。在经过第10次8/20 ...
金鹿江 +8 more
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Dianci bileiqi, 2017 针对目前主要通过压敏电压U1mA和漏电流I两个参数来检测氧化锌压敏电阻的劣化程度,然而因为U1mA和I存在"拐点效应",无法及时有效地判断氧化锌压敏电阻的劣化程度。因此研究一种能反映氧化锌压敏电阻劣化程度的方法尤为重要。根据氧化锌压敏电阻的热稳定性和老化机理,提出氧化锌压敏电阻劣化过程中会伴随着温度的变化。通过对氧化锌压敏电阻进行热稳定劣化试验,试验分析发现:氧化锌压敏电阻的变温区域为阀片内部,随着热阻的变化,氧化锌压敏电阻的温度也发生变化。得出变温率可以作为一个考量氧化锌压敏电阻劣化程度的量,同时 ...
张过有
doaj