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Dianci bileiqi, 2014 残压比是衡量压敏电阻性能的一项重要指标,针对压敏电阻在冲击老化过程中残压比的变化问题,通过对压敏电阻样品进行8/20μs雷电流冲击老化试验,发现残压比在标称电流（In）冲击老化试验过程中呈现缓慢降低--缓慢增加--快速上升的变化趋势;根据双肖特基势垒理论及热老化理论分析,得出冲击过程中残压比的大小主要由晶界层状态所决定,残压比快速上升阶段是由于晶界层大量破坏的结论;提出了利用残压比变化率来衡量压敏电阻老化程度的方法,在实际应用中具有参考价值。
陈璞阳 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2018 针对ZnO压敏电阻在直流电压作用下老化劣化的问题,通过对ZnO压敏电阻内部离子迁移和晶界肖特基势垒的理论分析。采用ZnO压敏电阻正极性直流作用和负极性直流交替作用的试验方法。利用理论与试验相结合,得出以下结论:1)老化前压敏电阻正、负极性伏安特性曲线几乎一致,没有产生极性效应;2)在单一正极性直流作用下,压敏电阻发生老化,且随时间和电流的增加,正极性老化程度大于负极性;3)在正、负极性直流交替作用下,压敏电阻老化时间推迟,程度减小,压敏电压和漏电流变化趋势较单一正极性趋势减弱,且极性效应趋于消失;4 ...
李祥超, 马骁骐
doaj
Dianci bileiqi, 2013 传统MOV（氧化锌压敏电阻）主要用于后级保护,不进行10/350μs波形冲击测试。随着MOV通流量等性能的提升,已有部分MOV产品应用于首级高暴露区线路,此时有必要开展MOV在10/350μs波形冲击下的性能研究。根据双肖特基势垒模型,结合离子迁移理论,首次对MOV在10/350μs与8/20μs冲击波形下的动态伏安特性曲线进行对比分析得出:在两种脉冲电流冲击下,动态伏安曲线都可以用一个峰值△U来校准测量值;两者的动态伏安曲线中后期都有一个先上升后缓慢回环下降的趋势,前期10 ...
徐乐 +4 more
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Dianci bileiqi, 1990 成分为PbO-B2O3-Al2O3-BaO-CaO-SiO2系统的几种玻璃添加物已被应用于成分为97mol％ZnO—1mol％Sb2O3—0.5mol％(Bi2O3、CoO、MnO2、Cr2O3的ZnO非线性电阻（以下简译为NLR）,研究了添加与不添加玻璃的NLR的电气特性和老化性能。添加Gl玻璃1wt%（63wt％PbO+25wt％B2O3+12wt％SiO2）,改善了Ⅴ-Ⅰ特性,泄漏电流变小,非线性不变。添加G2（88wt％G1-12wt％Al2O3）和G3（15.4wt％CaO—18.1wt ...
王振林
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Dianci bileiqi, 2014 氧化锌压敏电阻的压敏电压U1 m A和漏电流Ileak作为判断压敏电阻老化的检测参数,在及时性和有效性方面存在一定的不足,故需一种新的方法来保证检测的及时有效。通过对双肖特基势垒畸变理论和热破坏理论的分析,以及氧化锌压敏电阻的冲击试验,提出压敏电阻老化过程中存在电容量的变化,该变化可以作为判断老化的依据。试验证明在标称电流（In）冲击下,电容量呈现先小幅下降,后不断上升趋势,电容量和压敏电压的乘积在老化初期基本不变,老化到一定程度后急剧下降,在最大电流（Imax）冲击下 ...
陈璞阳 +4 more
doaj
Dianci bileiqi, 2017 为研究多脉冲电流冲击特性,设计一台十脉冲电流冲击设备,其主要由8/20μs波形发生器,高压开关以及由D触发器组成延时电路等组成,利用其对压敏电阻进行冲击试验,试验表明十脉冲冲击下,ZnO压敏电阻U1 mA变化呈现初期快速减小,中期平缓,后期快速减小趋势。泄漏电流变化呈初期缓慢上升,中期进入平缓区,后期快速增大直至损坏。与单脉冲冲击下,泄漏电流变化规律相同,但泄漏电流变化的平缓区域远远小于单脉冲冲击下的平缓区域。通过对压敏电阻热行为分析发现,在十脉冲冲击下,ZnO压敏电阻内部晶粒热导率开始下降 ...
卢慧慧 +4 more
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[Mechanical and light-activated antibacterial properties of resin filled with Ag-TiO2 nanoparticles]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2022 Pan S, Lu S, Li R, Zhang X, Chen W.
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Dianci bileiqi系统探究了Bi₂O₃-Sb₂O₃-CoO-MnO-NiO添加剂预煅烧温度（650-900℃）对ZnO压敏电阻微观结构和电性能的调控机制。通过XRD、SEM及电学测试发现：650-850℃预煅烧促进了添加剂物相的均一化，其晶粒尺寸随温度升高而增大，在烧结阶段抑制ZnO晶粒增大（平均尺寸由7.43μm降至6.16μm）。850℃样品综合性能最优：电压梯度达213.34V/mm，漏电流接近0μA，非线性系数α为50.50，残压比1.652。C-V测试显示其晶界势垒高度（φ≈2.97eV）与表面态密度（Ns=3.
徐祥凯 +7 more
doaj
[Research progress in thin flap and flap thinning technique]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi, 2019 Jiang C, Yang Y, Zeng F, Wang X, Fang B.
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[Clinical practice guideline for point-of-care ultrasound-guided peripherally inserted central catheter placement in neonates (2026)]. [PDF]
Zhongguo Dang Dai Er Ke Za ZhiAsia-Pacific Health Association Pediatric Medicine Branch +3 more
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