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, 2005 测量了CaN肖特基结紫外探测器在有、无光照下的I-V异常特性。分别用362nm和368nm光束对有源区进行横向扫描，得到了光照不同部位时探测器在无偏压、2V反向偏压下的电流。紫外光照到肖特基结压焊电极附近及透明电极边沿附近区域时，探测器在反向偏压下有较大增益，空间响应均匀性变差，在禁带内有两个增益响应峰波长——364nm和368nm。探测器在810nm光照射下，反向偏压下的光响应增益、持续光电导存在光淬灭现象。探测器紫外光照完后 ...
刘宗顺 +6 more
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Building Dynamic Model Based on Organizational Core Competency for Competitive Advantage
, 2007 组织核心胜任特征能产生战略异质性资源,是组织获取持续性竞争优势的基础。本文试图在已有研究的基础上 ...
梁建春, 肖凌, 时勘
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, 1994 利用双势垒结构磁电容曲线，测量了垂直磁场下二维电子态密度。采用高斯型朗道 态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线，与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好 ...
李承芳 +4 more
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, 2016 本文通过化学气相沉积法制备了具有不同层数的高质量石墨烯薄膜,并利用其与硅纳米线阵列间的肖特基结制备了新型太阳能电池。相较于传统的硅块体材料,硅纳米线阵列具有陷光、减反效应,同时可以有效缩短载流的迁移距离,因此基于石墨烯/硅纳米线阵列的肖特基太阳能电池不仅可以降低硅材料的用量,同时更有潜力获得更高的效率。本文系统的研究了石墨烯层数对肖特基太阳能电池性能的影响,并通过粉体石墨烯对界面层的修饰进一步改善器件效率。研究发现太阳能电池的效率与石墨烯的层数具有正相关性;这可能是由于:第一 ...
段春阳, 赵栋, 任贝, 王钰
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温度引起的ZnSe/Zn_（0.84）Mn_（0.16）Se超晶格中势阱层和势垒层的反转
, 1999 测量了ZnSe，Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金和ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格的10～300K的变温光致发光谱。发现ZnSe的带隙在10K时比Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se合金的带隙小，而在300K时比合金的带隙大。预计ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中在130K附近会发生势阱层和势垒层的反转。在ZnSe/Zn_(0.84)Mn_(0.16)Se超晶格中观测到了这种反转但发生在80K附近。超晶格中Zn_(0.84)Mn_(0.16)
李国华 +6 more
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磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合
, 1996 报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周 期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.良好的 振荡特性可作为定量研究Γ ...
李承芳 +5 more
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ABABA型方形双势垒结构中随质量和入射角变化的共振贯穿研究
, 2005 通过对双势垒结构中电子有效质量的变化及电子束不同的入射角度引起的共振贯穿现象的研究 ...
许怀哲, 徐大鹏, 徐徐, 徐进章
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, 2003 提出了一种考虑Schottky结势垒不均匀性和界面层作用的SiC Schottky二极管(SBD)正向特性模型，势垒的不均匀性来自于SiC外延层上的各种缺陷，而界面层上的压降会使正向Schottky结的有效势垒增高．该模型能够对不同温度下SiC Schottky结正向特性很好地进行模拟，模拟结果和测量数据相符．它更适用于考虑器件温度变化的场合，从机理上说明了理想因子 ...
王姝睿, 刘忠立, 尚也淳
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