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Thermal stability of NiGe(Si) films and eletrical characteristics of NiGe(Si)/Ge(Si) contacts [PDF]
, 2013 SiGe和Ge材料拥有比硅材料更高的载流子迁移率且与硅工艺相兼容等优点，是制备高速器件的理想材料。Ni(Si1-xGex)和NiGe合金具有低的薄膜电阻率和低的形成温度等优点，是实现SiGe或GeMOSFET器件源漏区的重要接触电极材料。本文围绕Ni(Si1-xGex)和NiGe薄膜的热稳定性以及Ni(Si1-xGex)/SiGe和NiGe/Ge的接触电学特性，较系统地研究了Ni(Si1-xGex)形成过程中Ge的偏析、相变和表面形貌等特性，分析了Ge组份及其偏析对Ni(Si1-xGex ...
汤梦饶
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Fabrication and Photovoltaic Properties of InGaN Solar Cells [PDF]
, 2010 III族氮化物（InN、GaN、AlN及其合金）由于其良好的光、电学特性已被广泛应用于制作短波长光电器件。近几年来，由于InGaN材料表现出来的优越的光伏特性，如禁带宽度大小可调（对应的光波长几乎覆盖整个太阳光谱）、电子迁移率高、吸收系数大、抗辐射能力强等，吸引人们探索其在高效率太阳能电池方面的应用。在本论文中，我们制作具有不同p-接触方案的InGaN同质结太阳能电池，并研究电池在不同In组分、照射光强度、环境温度下的光电响应特性。具体的研究内容如下： 1、制作具有Ni/Au半透明电流扩展层（SCSL ...
曾绳卫
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Alloy Conditions Impact on Al/n~+-Ge Ohmic Contact [PDF]
, 2013 gE比SI具有更高的电子和空穴迁移率,且gE材料可以应用于1.3~1.5μM近红外波段,因此gE成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于gE的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-gE的欧姆接触成为一个难题。采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-gE材料,掺杂浓度为1.5x1019CM-3;依据圆形传输线模型(CTlM)制备了一系列Al/n+-gE样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响。实验结果表明,Al/n+-gE样品通过400℃快速热退火(rTA)30 ...
李成 +5 more
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Modification of polarization field in III-nitride semiconductors [PDF]
, 2008 III族氮化物半导体在短波长高亮度发光二极管、高功率激光器、高灵敏度光探测器、以及高温大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。不同于传统的III-V族化合物半导体，纤锌矿结构的III族氮化物半导体具有极强的自发极化和压电极化效应。极化效应在III族氮化物的应用中起着双刃的作用，既有其危害处也有其得利处。对III族氮化物半导体中的极化场加以调控，避其短扬其长，是人们渴望深入了解的课题。本论文围绕III族氮化物半导体的极化效应和极化场调控，结合第一性原理计算方法、MOVPE生长技术、材料的结构和性能测试 ...
李金钗
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[Clinical practice guideline for point-of-care ultrasound-guided peripherally inserted central catheter placement in neonates (2026)]. [PDF]
Zhongguo Dang Dai Er Ke Za ZhiAsia-Pacific Health Association Pediatric Medicine Branch +3 more
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