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在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中,注入到入射端量子阱中的电子,首先经过子带间弛豫填充到较低能级,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构,流入收集电极,完成了整个输运过程.通过比较带间光荧光谱中E_2 -HH_1与E_1-HH_1两峰的强度,我们发现外加垂直磁场可以抑制子带间的LO声子和LA声子散射,使能量较高的子带上出现了明显的非热平衡占据.这一发现提供了一种新的控制子带间散射速率(量子级联激光器的主要机制)的有效方法 ...
杨富华 +6 more
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优势区相图是一种包含有化学反应的体系的广义化相图, 在化工、冶金、材料等领域经常会用到。当需要特定体系的优势区相图时,早期科学工作者都只能用手工计算,工作量大,计算结果也难以完整确切。八十年代曾经开发过基于无机热化学数据库的在计算机上自动绘制优势区相图的程序,能够准确地绘制logP_j~logP_j优势区相图,为用户带来了很大方便。然而:1)该程序是用FORTRAN语言开发的,运行该程序的操作系统为DOS,用户不能应用图形接口,界面的友好性欠佳。2)该程序为单机版本 ...
蔡宁
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研制成功具有场板结构的AlGaN/GaN HEMT器件,对源场板、栅场板器件的性能进行了分析.场板的引入减小了器件漏电和肖特基漏电,提高了肖特基反向击穿电压.源漏间距4μm的HEMT的击穿电压由常规器件的65V提高到100V以上,肖特基反向漏电由37μA减小到5.7μA,减小了一个量级.肖特基击穿电压由常规结构的78V提高到100V以上.另外 ...
魏珂, 和致经, 吴德馨, 刘新宇
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Local Public Goods Provision in the Post-Agricultural Tax Era in Rural China [PDF]
This paper investigates regional differences in local public goods provision in rural area in the 2000s, using large village sample surveys (CHIP 2002 and 2007 surveys, a survey in Ningxia).
Hiroshi Sato, Sai Ding
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一种氮化镓基高电子迁移率晶体管结构,包括:一衬底;一低温氮化镓成核层,该低温氮化镓成核层制作在衬底上面;一非有意掺杂氮化镓高阻层,该非有意掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层上面;一非有意掺杂高迁移率氮化镓层,该非有意掺杂高迁移率氮化镓层制作在非有意掺杂氮化镓高阻层上面;一氮化铝插入层,该氮化铝插入层制作在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上面;一非有意掺杂铟铝氮势垒层,该非有意掺杂铟铝氮势垒层制作在氮化铝插入层上面;一非有意掺杂铝镓氮势垒层 ...
王翠梅 +6 more
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优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量
一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的In_xGa_(1-x)As缓冲层的MOCVD生长.在这种In_xGa_(1-x)As缓冲层上生长的In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-x)As双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质.超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H高阶机制吸收峰,表明超晶格界面质量很好.主要应用X射线双晶衍射方法,给出了样品中各层的应变状态.据此 ...
王玉田 +5 more
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研究了77K温度下掺杂弱耦合GaAs/AlAs窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运,发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同。当在压力下AlAs垒层中的X基态子能级降至E_(Γ1)子能级和E_(Γ2)子能级中间或更低能量位置时,未观察到Γ-Γ共振隧穿到Γ-X共振隧穿的转 变,I-V曲线上的平台并未随压力增大而收缩,反而稍有变宽。同时,平台电流随压力增大而增加,直到与E_(Γ1)-E(Γ1)共振峰电流相当。认为,由于垒层很薄,Γ电子隧穿通过垒层的几率很高,E_(Γ1)-E_(Γ1)共振峰显著高于E_(Γ1 ...
武建青 +3 more
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肖特基(Schottky)精密质量谱仪,是建立在GSI所(当今核研究的领导所)电子冷却存储环(ESR)上的精密质量谱仪,它对轻中量核与重核的测量精度Δm/m分别达到5×10-6,和5×10-7.该谱仪为非阻挡型极灵敏的,甚至可测出一个裸核的测量设备,是冷却存储环束流诊断的可靠仪器,又是一台作核反应和核谱学研究的精密质量测定的谱仪.A Schottky precise mass spectroscope in lightmedium and in heavier nuclei with the mass
戴光曦
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