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极不均匀场下SF6/CF4混合气体中环氧树脂绝缘子沿面闪络特性研究
Gaoya dianqi, 2018 文中通过实验手段研究SF6/CF4混合气体中环氧树脂复合材料绝缘子试样的直流沿面闪络特性,实验中采用针—板电极结构模拟极不均匀电场情况,分析了气体压强、SF6混合比以及电压极性对闪络电压的影响规律。实验中,电极间距为5 mm,实验气压为0.10.4 MPa。实验结果表明:当混合气体中SF6混合比为40%时,在实验气压范围内,绝缘子闪络电压可达到相同气压SF6中闪络电压的60%以上。针—板电极下SF6/CF4混合气体闪络电压的协同效应在正、负极性下区别显著,负极性下的协同效应较弱。同时 ...
翟芷萱 +4 more
doaj
Synthesis of Ⅱ-Ⅵ(ZnO,CdSe) nanostructured materials and its application as photodetector [PDF]
, 2015 本文的研究内容主要分为两个部分：一ZnO纳米材料的制备及其在光电探测领域内的应用；二基于CdSe材料的光电导探测器的研制。 PartAZnO纳米材料的制备及其在光电探测领域内的应用 本部分的研究工作与成果如下： 一:研究不同激光能量密度的248nm脉冲激光对ZnO材料的影响，发现随着能量密度的增加，制备的ZnO薄膜材料的结构发生变化，当能量密度达到2.5J/cm2时，ZnO薄膜变成纳米片结构材料，其原因可能是来自高能量密度激光产生的非线性效应。 二 ...
徐强
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Gaoya dianqi, 1999 [问]请介绍一下在进行高电压试验时的大气条件校正方法.[答]试品外绝缘耐受电压与试验时的大气条件有关,而标准中规定的额定耐受电压均为相应于标准参考大气条件的数值.标准参考大气条件温度t0=20℃压力b0=101.3kPa绝对湿度h0=11g/m3因此,若试品在进行耐受电压试验时,试品周围的大气条件不符合标准参考大气条件时,应进行大气条件的校正.耐受电压试验时的耐受值正比于大气校正因数Kt.而Kt又是空气密度校正因数K1和湿度校正因数K2的乘积 ...
陈默
doaj
, 2018 为了了解等离子体中原子与离子组分的膨胀特性及背景气体存在状态下其运动状态的改变规律,设计了一系列实验,并进行了深入探究.采用波长为532 nm的纳秒激光剥蚀铝样品形成等离子体,并使用配有em ICCD检测器的C-T型三光栅单色仪对等离子体进行时序采集,同时使用2400 g·mm-1的光栅替代窄带滤光片进行不同组分成像诊断,得到铝等离子体中Al I(396.1 nm),Al II(466.3 nm),Al III(447.9 nm)的光谱分辨图像.在不同背景气压下采集了等离子体各组分光谱图像 ...
杭纬, 林芷伊, 王小华, 简俊涛
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Investigation and Development of the High-Efficiency Vertical Chip [PDF]
, 2015 GaN基LED一般生长在蓝宝石衬底上，由于蓝宝石是绝缘体和不良的导热物质，使得传统的正装芯片在大功率下工作时，容易因散热不佳导致失效。本论文利用外延转移技术把蓝宝石衬底更换成更好的导热导电衬底，制备成薄膜垂直芯片，以利于大电流，大功率下应用。 本论文所述芯片，使用ICPdamage作为电流阻挡层，使用基板键合技术将导电导热衬底和GaN结合，然后用激光剥离方式将蓝宝石衬底去除，为了增加出光效率，对GaN表面进行粗化。 我们发现PCB-ICP条件会导致垂直结构LED在老化过程发生漏电 ...
梁兴华
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Gaoya dianqi, 2014 由于SF6气体的温室效应,减少SF6气体的使用具有深远的社会意义,用SF6/N2混合气体取代纯SF6气体作为高压电器设备的绝缘介质是减少使用SF6气体的有效措施。介绍了SF6/N2混合气体的优点。从气体放电理论出发,对不同比例SF6/N2混合气体的绝缘性能进行了分析,结果表明:SF6体积分数仅为20%的SF6/N2混合气体击穿强度为相同气体压力纯SF6的70%左右;若SF6体积分数为20%的SF6/N2混合气体的击穿强度要达到纯SF6气体的击穿强度,其总压力应为纯SF6气体的1.4倍 ...
牛文军, 魏俊梅, 张铎, 孙永恒
doaj
Preliminary study on assimilation of significant wave heights from T/P altimeter [PDF]
, 2017 2003-2004 > Academic research: refereed > Publication in refereed journalVersion of ...
Li, CW, Li, YS, Qi, Y, Shi, P, Zhang, Z
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Gaoya dianqi, 2017 为研究在空气污染加剧、雾霾天气频繁等新大气特征下,空气间隙放电与特殊天气的关联性。文中采用全自动放电监测装置对广州地区自然条件下气隙击穿电压和各大气参数（如相对湿度、能见度等）进行实时连续监测,并结合当地气象局发布的空气质量数据,通过大数据分析研究气隙击穿电压大幅降低与雾霾天气的关联性并分析其原因。研究结果表明:雾霾天气里出现击穿电压大幅下降的概率远大于全年平均值,击穿电压大幅下降主要集中出现在空气质量指数小于120的空气质量为优、良及轻度污染区域,而仅灰霾污染天气条件下几乎不出现击穿电压的大幅下降 ...
牛海清 +4 more
doaj
Study of vertical structure InGaN/GaN MQWs solar cells [PDF]
, 2015 近年来，以氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）和氮化铟（InN）为代表的第三代半导成为国际研究热点。它们具有吸收系数高、迁移率高、抗辐射能力强等特性，是很好的光伏材料。合金材料InGaN的带隙可调，其光谱响应区域可覆盖大部分太阳光光谱，是高效率太阳能电池的理想材料。垂直结构的InGaN太阳能电池具有电流分布均匀且可通过生长底部反射镜的方法减少光透过损失的特长受到极大关注。在本文研究中，我们对垂直结构InGaN/GaN多量子阱太阳能电池的制作、性能测试和理论模拟进行了详细的研究。具体内容如下： （1 ...
余健
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Fabrication of ZnO based type-II core/shell nanowires for photovoltaic applications [PDF]
, 2015 近来，由于持续增长的能源危机和环境保护意识，光伏器件已成为一个热门的课题。许多研究都集中在如何提升这类使用氧化物半导体，如ZnO，TiO2，的太阳能电池和光电化学电池（PEC）的效率上。这些氧化物半导体有这大且固定的带隙，使得它们都不能有效地吸收太阳光的可见光区域，从而导致电池效率低下。一个可选的策略是在纳米线外包裹一层窄带隙半导体，例如ZnSe，CdSe，CdS，PbSe和ZnCdSe，应用这个方法已经把材料的吸收拓展至可见光区域。由于光俘获范围有限以及光激发电子注入效率低等原因 ...
WASEEM AHMED BHUTTO
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