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Direct growth of hexagonal BN films on various substrates and induction of ZnO nanorod array for piezoelectric nanogenerators [PDF]
, 2016 近年来，随着二维材料受到广泛的关注，六角氮化硼(h-BN)由于其类石墨烯的层状晶体结构，且拥有独特的特性，如宽禁带(6.0eV)、高的热稳定性(>800ºC)、强机械强度等，成为新型材料研究的热点。在短波长光电器件、高功率和高频率电子器件的开发和需求日益提升的过程中，h-BN薄膜材料研究中也面对了几个关键性、挑战性的难题：其一，大规模生产的新型光电子器件对所需的二维材料有了更高的要求，强烈需要一个大尺寸（晶圆尺寸以上）的薄膜合成，特别是在大小有限的反应腔体中合成大尺寸的h-BN薄膜；其二 ...
ABDUL MAJID
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Gaoya dianqi, 2023 GIS是现代电力系统中的重要设备，SF6因其电气强度高等特点而被广泛应用于GIS等气体绝缘设备中。GIS设备运行过程中，SF6气体状态的变化会影响设备的局部放电。为了考察气体气压、温度与湿度对于SF6局部放电的影响，搭建了气体气压、温度与湿度可调的局部放电测试平台，利用特高频法与脉冲电流法测量了不同气压、温度与湿度下的局部放电起始电压与局部放电发展特性。试验结果表明，局部放电起始电压随气压升高而升高、随湿度升高先下降后上升以及随温度升高而升高。同时对局部放电基本特性随气压 ...
李军浩 +5 more
doaj
A combined process for algae-laden water treatment based on hydroxyl radical [PDF]
, 2016 我国水体的富营养化问题日益严重，导致大量水源地出现季节性的藻类爆发现象。由于藻类爆发的水体中藻细胞浓度急剧增加、有机物含量升高，传统饮用水处理工艺已无法满足处理要求。因而，需要改造原有处理工艺以解除高藻水引发的饮用水供水卫生安全威胁。本文依托国家科技支撑计划项目“高藻水源地供水卫生保障羟基自由基氧化技术研发与示范”(NO.2013BAC06B00)，利用大气压强电离放电制备羟基自由基(•OH)技术，以厦门市水源地高藻水为研究对象，构建了高藻水•OH处理系统，探索了高藻水预处理条件，
满化林
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荷兰COQ公司L—7—150型双母线全绝缘密封式成套配电装置
Gaoya dianqi, 1967 本装置(見图1)用21大气压的压缩空气灭弧,用6大气压的压缩空气作絕緣。双母綫三相成套配电装置几何尺寸为寬2.4米深7.2米及高3.7米。
doaj
Zhongguo shiyan zhenduanxue, 2016 目的通过动物实验观察不同套囊内压对气管黏膜的影响,探索出对气管黏膜具有保护作用的最适套囊内压力范围。方法健康家兔60只,3-3.5月龄,雌雄不限,体重3-4kg,随机分为3组,每组20只。即低套囊内压组(A组):套囊内压20mmHg;中套囊内压组(B组):套囊内压25mmHg;高套囊内压组(C组):套囊内压30mmHg。气管导管型号:ID3.5mm,生产厂家:Covidien IIc。于套囊充气的第1、2、3、4、5h及实验结束后分别取套囊压迫处气管黏膜送病理。结果 C组气管黏膜病理学改变程度较重 ...
周升柱 +8 more
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, 2013 建立不同末端形状纳米纤维的黏附接触模型,主要分析了蘑菇状,铲状,柱状等不同末端形貌及蘑菇状纤维的几何参数对单纤维/基底黏附界面强度的影响,进一步分析了Y型纤维结构的黏附行为。进一步揭示一类生物的微观黏附机制提供了理论依据 ...
彭志龙, 陈少华
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极不均匀场下SF6/CF4混合气体中环氧树脂绝缘子沿面闪络特性研究
Gaoya dianqi, 2018 文中通过实验手段研究SF6/CF4混合气体中环氧树脂复合材料绝缘子试样的直流沿面闪络特性,实验中采用针—板电极结构模拟极不均匀电场情况,分析了气体压强、SF6混合比以及电压极性对闪络电压的影响规律。实验中,电极间距为5 mm,实验气压为0.10.4 MPa。实验结果表明:当混合气体中SF6混合比为40%时,在实验气压范围内,绝缘子闪络电压可达到相同气压SF6中闪络电压的60%以上。针—板电极下SF6/CF4混合气体闪络电压的协同效应在正、负极性下区别显著,负极性下的协同效应较弱。同时 ...
翟芷萱 +4 more
doaj
Roll-to-roll growth of oversize hexagonal BN films and its applications in 2D optoelectronic devices [PDF]
, 2016 随着半导体材料和器件技术地迅速发展，实际应用中，对于短波长光电器件、高功率和高频率电子器件的开发和需求日益增加，逐步揭示了限制光电子器件发展的问题。首先，大规模生产的新型光电子器件对所需的二维材料有了更高的要求，强烈需要一个大尺寸（晶圆尺寸以上）的薄膜合成。其次，从光电子器件的基本结构角度来看，为了实现光电转换功能，电注入和pn结仍然是主流结构，也就是说从材料合成走向实际器件应用，p、n型导电层的制备通常都扮演着关键性的角色。最后，就是利用材料的各项特性，将其应用到各种研究领域。本文针对这三大方面问题 ...
伍臣平
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Gaoya dianqi, 1999 [问]请介绍一下在进行高电压试验时的大气条件校正方法.[答]试品外绝缘耐受电压与试验时的大气条件有关,而标准中规定的额定耐受电压均为相应于标准参考大气条件的数值.标准参考大气条件温度t0=20℃压力b0=101.3kPa绝对湿度h0=11g/m3因此,若试品在进行耐受电压试验时,试品周围的大气条件不符合标准参考大气条件时,应进行大气条件的校正.耐受电压试验时的耐受值正比于大气校正因数Kt.而Kt又是空气密度校正因数K1和湿度校正因数K2的乘积 ...
陈默
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Investigation and Development of the High-Efficiency Vertical Chip [PDF]
, 2015 GaN基LED一般生长在蓝宝石衬底上，由于蓝宝石是绝缘体和不良的导热物质，使得传统的正装芯片在大功率下工作时，容易因散热不佳导致失效。本论文利用外延转移技术把蓝宝石衬底更换成更好的导热导电衬底，制备成薄膜垂直芯片，以利于大电流，大功率下应用。 本论文所述芯片，使用ICPdamage作为电流阻挡层，使用基板键合技术将导电导热衬底和GaN结合，然后用激光剥离方式将蓝宝石衬底去除，为了增加出光效率，对GaN表面进行粗化。 我们发现PCB-ICP条件会导致垂直结构LED在老化过程发生漏电 ...
梁兴华
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