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Dianci bileiqi, 1991 本文论述了氧化锌压敏电阻的电气特性、制造方法、添加剂的作用、晶界特性和特殊应用。引言 （引言部分略,图1略） 电气特性 ZnO压敏电阻的I—V特性可分为三个区域,如图2所示（图2略）。在区域Ⅰ,拐点电压（一般为1μA/cm2的电压）以下,非线性不太显著并与温度的关系较大 ...
沈嘉禄
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Dianci bileiqi, 2009 综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,
巫欣欣 +4 more
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[Application of electronic skin in healthcare and virtual reality]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2023 Zhao G, Yao K, Liu Y, Huang X, Yu X.
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Dianci bileiqi, 2010 专利申请号:CN200710104342.8公开号:CN101064430公开日:2007.10.31请人:桂林工学院本发明公开了一种智能电源避雷器,综合采用物理的和智能的方法实现劣化后的脱扣保护机制,它由智能化的嵌入式控制系统和温度传感器组成,温度传感器嵌入在电源避雷器的氧化锌压敏电阻表面,并与氧化锌压敏电阻进行电气的绝缘处理,另有一个温度传感器感测环境温度 ...
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Dianci bileiqi, 1990 西德Philips公司生产了一种非线性极高的氧化锌电阻片,特别适合于作为电子设备过电压保护使用。为此研制了额定电压从14至550V,保护性能优良,能量吸收能力极高从0.1～1W,动作时间小于20ns,寿命极长大于1百万次冲击的交流压敏电阻 ...
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Gaoya dianqi为了比较不同类型冲击电流对氧化锌（ZnO）压敏电阻直流老化的影响，将相同类型的ZnO压敏电阻样品分别开展2 ms方波（峰值为2 kA）耐受试验和4/10 μs冲击电流（峰值为100 kA）试验。实验结果表明，在1~3轮（3~9次）的冲击耐受下，2 ms方波对ZnO压敏电阻的老化特性能起到一定优化作用，而4/10 μs大电流冲击则使得ZnO压敏电阻老化特性持续劣化。利用扫描电子显微镜（SEM）、光谱仪、数字源表研究其微观结构以及电气性能参数变化。结合实验结果分析原因，4/10 ...
赵江泽 +4 more
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[Bionic optic nerve based on perovskite (CsPbBr 3) quantum-dots]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2023 Zeng P +7 more
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Dianci bileiqi, 2014 用MOV（氧化锌压敏电阻）的静态参数（压敏电压U1mA和漏电流IL）判定其劣化程度,只能直观反映压敏电阻的整体性能,而不能及时有效地的表征出压敏电阻的老化劣化趋势。根据MOV的U-I特性,结合肖特基势垒模型及离子迁移理论,提出MOV劣化过程中必然伴随着动态电阻Rd的变化。通过针对同一型号的MOV在不同脉冲电流下的大量实验分析得出:劣化前,8/20下Rd都呈"U"型分布,10/350下Rd呈缓慢递增后急速上升的趋势;劣化后,8/20下Rd没有明显变化,只有局部降低趋势而10/350下的Rd则出现不规则震荡。
徐乐 +4 more
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[Research progress on flexible wearable sensors for health monitoring]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za ZhiChen X, Xu G.
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