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Dianci bileiqi, 2015 以球磨法制备Zr O2掺杂Zn O压敏瓷,通过扫描电镜对其显微组织进行了分析,探讨了Zr O2掺杂对Zn O压敏瓷电性能的影响并且研究了晶粒的生长。研究结果表明,随着保温时间的延长,致密度和非线性系数均呈现先增加后减小的趋势;而对Zn O压敏瓷的漏电流和电位梯度的影响则呈现先减小后增加的波浪型变化。Zr O2掺杂Zn O压敏瓷的晶粒尺寸要比基础配方Zn O压敏瓷的晶粒尺寸要小,可能是因为Zr原子半径与Zn原子半径接近,Zr O2固溶在氧化锌晶粒中,抑制了氧化锌晶粒尺寸的增长。由计算可得Zr ...
何恺 +6 more
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[Bionic optic nerve based on perovskite (CsPbBr 3) quantum-dots]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2023 Zeng P +7 more
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Dianci bileiqi, 1991 本文论述了氧化锌压敏电阻的电气特性、制造方法、添加剂的作用、晶界特性和特殊应用。引言 （引言部分略,图1略） 电气特性 ZnO压敏电阻的I—V特性可分为三个区域,如图2所示（图2略）。在区域Ⅰ,拐点电压（一般为1μA/cm2的电压）以下,非线性不太显著并与温度的关系较大 ...
沈嘉禄
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[Progress in antibacterial/osteogenesis dual-functional surface modification strategy of titanium-based implants]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi, 2023 Liu P, Fan B, Zou L, Lü L, Gao Q.
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Dianci bileiqi, 2009 综述了近年来稀土掺杂氧化锌压敏瓷中的研究进展。掺杂稀土氧化物可明显的减小ZnO晶粒尺寸,使晶粒尺寸分布均匀;其中掺杂Y2O3可使ZnO-Bi2O3系压敏瓷晶粒尺寸由11.3μm降到5.4μm,掺杂Er2O3使晶粒尺寸由1.60μm减小到1.06μm。显著提高了ZnO压敏瓷的电位梯度、降低了漏电流。其中在ZnO-Bi2O3系压敏瓷中掺杂Y2O3,可获得电位梯度约为270 V/mm、漏电流为3μA、压比为1.66的电阻片,在ZnO-PrA6O11系压敏瓷中掺杂Er2O3,电位梯度可提高到416.3 V/mm,
巫欣欣 +4 more
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Dianci bileiqi, 2010 专利申请号:CN200710104342.8公开号:CN101064430公开日:2007.10.31请人:桂林工学院本发明公开了一种智能电源避雷器,综合采用物理的和智能的方法实现劣化后的脱扣保护机制,它由智能化的嵌入式控制系统和温度传感器组成,温度传感器嵌入在电源避雷器的氧化锌压敏电阻表面,并与氧化锌压敏电阻进行电气的绝缘处理,另有一个温度传感器感测环境温度 ...
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Dianci bileiqi, 1990 西德Philips公司生产了一种非线性极高的氧化锌电阻片,特别适合于作为电子设备过电压保护使用。为此研制了额定电压从14至550V,保护性能优良,能量吸收能力极高从0.1～1W,动作时间小于20ns,寿命极长大于1百万次冲击的交流压敏电阻 ...
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Gaoya dianqi为了比较不同类型冲击电流对氧化锌（ZnO）压敏电阻直流老化的影响，将相同类型的ZnO压敏电阻样品分别开展2 ms方波（峰值为2 kA）耐受试验和4/10 μs冲击电流（峰值为100 kA）试验。实验结果表明，在1~3轮（3~9次）的冲击耐受下，2 ms方波对ZnO压敏电阻的老化特性能起到一定优化作用，而4/10 μs大电流冲击则使得ZnO压敏电阻老化特性持续劣化。利用扫描电子显微镜（SEM）、光谱仪、数字源表研究其微观结构以及电气性能参数变化。结合实验结果分析原因，4/10 ...
赵江泽 +4 more
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[Surface modification of multifunctional ferrite magnetic nanoparticles and progress in biomedicine]. [PDF]
Sheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi, 2023 Zhang L +7 more
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