Results 111 to 118 of about 1,230,281 (118)

氧化气氛下甲烷选择还原氮氧化合物催化剂

open access: yes, 1997
本发明提供了一种氧化气氛下甲烷选择还原氮氧化合物催化剂,其特征在于:该催化剂的活性组分为铟,担载在天然或人工合成分子筛上,分子筛的硅铝比大于等于10,分子筛担载的铟的重量百分含量为0.5—20%。本发明只以甲烷为还原剂,只以铟为催化剂的活性组分,在很宽的温度范围内反应活性优良,氮氧化合物转化率可达90%以上 ...
张涛, 徐竹生, 周显杰, 林励吾
core  

反应控制相转移催化剂催化丙烯环氧化制备环氧丙烷方法

open access: yes, 2014
一种用于反应控制相转移催化剂催化丙烯环氧化制备环氧丙烷的工艺,包括双氧水脱水部分、反应部分、分离部分及尾气处理部分。以磷钨杂多酸季铵盐为催化剂,以双氧水与有机溶剂共沸脱水后生产出无水H2O2有机溶剂为氧化剂,惰性气体存在下,在40~160℃和0.25~10.0MPa条件下进行丙烯环氧化制备环氧丙烷。本发明提供的工艺实现了相转移催化剂催化丙烯环氧化制备环氧丙烷连续生产,整套工艺简单、操作容易 ...
吕迎   +4 more
core  

一种氧气氧化醇制备醛和酮的方法

open access: yes, 2008
本发明涉及氧气氧化醇制备醛或酮的化学反应过程,具体地说是一种利用2,2,6,6-四甲基哌啶氮氧自由基作为催化剂的氧气氧化醇的新方法;在有机溶剂条件下,以氧气作氧化剂,以TEMPO、亚硝酸钠、过渡金属盐作为催化剂,氧化醇生成醛或酮,醇、TEMPO、亚硝酸钠、过渡金属盐的物质的量之比为100∶1-5∶1-10∶1-10,氧气压力为0.1-0.8MPa,反应温度为0~ 80℃,反应时间为1-24h。本发明的优点为:利用氧气作为氧化剂,反应条件温和,操作易于控制,成本低,安全,整个过程对环境友好,不存在污染 ...
徐 青, 梁鑫淼, 刘仁华, 王乃伟
core  

微波强化甲烷氧化偶联-乙烷二氧化碳氧化脱氢耦合反应制乙烯工艺

open access: yes, 2000
一种微波强化甲烷氧化偶联-二氧化碳氧化乙烷脱氢耦合反应制乙烯工艺,依下述过程进行:含甲烷、氧气反应气首先在甲烷氧化偶联催化剂作用下进行甲烷氧化偶联反应;产物不经分离和换热与含乙烷气直接混合,在二氧化碳氧化乙烷脱氢催化剂作用下,生产乙烯;先用常规加热方式将催化剂加热并维持在某一温度300~700℃,再馈入微波能用来触发并维持反应。本发明可以强化甲烷氧化偶联-二氧化碳氧化乙烷脱氢制乙烯反应,特别是第二段的二氧化碳氧化乙烷脱氢吸热反应,提高乙烷处理量,进一步提高乙烯收率 ...
田志坚   +9 more
core  

一种氧化锌电阻片及其制备方法

open access: yes, 2010
本发明公开了一种氧化锌电阻片及其制备方法,所述的氧化锌电阻片包括侧面高阻层,该侧面高阻层由以下质量百分比的原料烧结而成:氧化锌5%~40%、氧化铋10%~40%、氧化锑10%~50%、二氧化硅15%~50%、莫来石0~50%和氧化硼0~10%。所述的制备方法为将配制好的浆料涂覆在电阻片侧面后随电阻片一次烧结而成。该侧面高阻层与基体反应特性好、收缩率一致、耐污耐水性好,能有效抑制氧化锌电阻片侧面闪络,提高电阻片的稳定性,有利于避雷器小型化,其制备方法操作简单、成本低、生产周期短 ...
高奇峰   +4 more
core  

MOCVD生长温度对氧化锌薄膜结构及发光性能的影响

open access: yes, 2010
利用甲醇做氧源,采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)工艺在硅(111)衬底上生长了一系列的氧化锌薄膜,生长温度为400~600 ℃.薄膜的表面形貌及晶体质量分别利用场发射扫描电镜及X射线衍射仪进行了测量.研究表明:随着生长温度的降低,在X射线衍射图谱中氧化锌(101)峰取代了(002)峰成为了主峰.这可能是由于温度过低使得甲醇未完全分解,而甲醇分子抑制了氧化锌沿c轴极性过快的生长所致.室温光致发光光谱结果表明在较高生长温度下获得的样品具有良好的光学性质 ...
朱勤生   +7 more
core  

利用氧化锌提高LED光提取效率的方法

open access: yes
一种利用氧化锌提高LED光提取效率的方法,包括以下步骤:步骤1:取一GaN基发光二极管外延片;步骤2:在GaN基发光二极管外延片的出光面上生长一层ZnO单晶薄膜;步骤3:利用湿法化学腐蚀的方法,腐蚀ZnO单晶薄膜的表面,使ZnO单晶薄膜的表面在位错处出现腐蚀坑;步骤4:光刻生长有ZnO单晶薄膜的GaN基发光二极管外延片,在GaN基LED外延片上形成重复的LED基本结构单元,刻蚀LED基本结构单元的一侧形成一台面,制作出LED的基本芯片结构;步骤5:在LED的基本芯片结构的台面上制作n电极 ...
王晓峰, 段垚, 刘祯, 曾一平
core  

烃类氧化

open access: yes, 1960
中国科学院石油研究所
core  

Home - About - Disclaimer - Privacy