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2000-2003连续四年的田间小区试验结果表明,在磷钾底肥基础上施用氮肥在不同地区或不同棉花品种上有不同的增产效应。棉花产量与氮肥施用量之间呈显著的二次相关关系,棉花产量在一定范围内随氮肥用量增加而增加,过量施用氮肥棉花产量有下降的趋势。适量施氮增加棉铃数量,降低脱落率,施氮不足或过量都不利于棉铃生长发育。同时,过量施氮棉田深层土壤中残留大量硝态氮 ...
胡明芳,田长彦,马英杰,王林霞,吕昭智
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项目介绍:缓释长效剂是该所继长效尿素(专利申请号为:91112643.0)和棉花长效专用复合肥(专利申请号为96119508.8)之后又一新的专利产品,专利申请号:98124281.2。该项目的特点:应用该产品生产的棉花专用长效复合(混)肥肥效期可延长110-160天;应用该产品生产的棉花专用长效复合(混)肥能提高肥料利用率15%以上;应用该产品生产的棉花专用长效复合(混)肥属高浓度复合肥,总养分含量>45%;复混肥养分含量更高或按需生产。应用该产品生产的棉花专用长效复合(混 ...
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本文主要介绍了产生预览效应的经典实验范式以及主流理论和行为证据,如视觉标记理论、时间分离假说、自动捕获理论等,并着重讲述了这些理论的发展及其争论。最后对预览效应的未来研究做了展望,即应该整合已有的实验范式 ...
郭艳茹, 张侃
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为提高高压输电线路瓷质绝缘子串劣化或低/零值带电检测的准确性,研制了可用于无人机搭载的自动可变间隙火花放电检测装置。首先结合声-光-电检测实现了绝缘子分布电压的自动和准确测量。其次在实验室搭建了间隙放电试验平台,试验确定了球形间隙放电电压与间隙距离的对应关系,据此整定了可变火花间隙测量装置的间隙距离。最后建立了绝缘子串及检测装置等效模型,利用场路结合法研究了检测装置介入对检测结果的影响。研究结果表明,可变间隙距离的火花放电检测装置对绝缘子串原始电场影响小,高精度检测有助于准确地判断绝缘子片劣化程度 ...
张刚 +5 more
doaj
在一块印刷电路板上通过将自由光电效应器件(SEED)与GaAs埸效应晶体管(FET)进行互连制作了一种简单的场效应晶体管-自电光效应器件(FET-SEED)灵巧像素。这种灵巧像素由一个输入自电光效应器件,一个输出自电光效应器件及一个GaAs场效应晶体管放大器构成。设计了一个光学系统,在这个系统上对这种灵巧像素进行了演示及测试 ...
曹明翠 +8 more
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降低杆塔冲击接地阻抗是提高输电线路耐雷水平、降低雷击跳闸率的重要措施之一。目前采用的工频接地电阻乘以冲击系数得到冲击接地阻抗的方法与实际工况存在差异,随着接地体尺寸、埋设方式、土壤分布和雷电流参数变化,这种差异越来越大,因此研究杆塔接地体在雷电流下的冲击特性具有重要的意义。基于电路理论的方法,采用ATP-EMTP软件,考虑雷电流的高频特性和高幅值特性,建立了对杆塔接地体的细化仿真模型,模拟电感效应和火花效应的实际效果,并利用该模型对雷电冲击下杆塔接地阻抗特性进行研究。
黄欢 +9 more
doaj
荷蘭全年農業生產額約新臺幣一千六百八十億元,其值約佔全國民總生產額之4.5%。其中園藝之總生產額約697億元,其值約佔全國農業生產總額之41.4%其中切花與盆花之生產額為320億元,球根類則約80.6億元,切花、盆花與球根則共佔國民生產頗之1.3%。1978年荷蘭鮮花進口總額約新臺幣12億元,其中50%係來自以色列。進口之鮮花大都由VBA輸入。每年出口的鮮花約200億元,盆花亦有輸出約42億元,故每年出口之花卉約新臺幣242億元“出口的總金額約是進口的20倍。而其中76%的花卉係外銷西德 ...
張碁祥
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【目的】钙火花是胞内基本的钙释放事件,既可以在静息的状态下随机产生,也可以被通过L-型钙通道内流的少量钙离子诱发产生。对钙火花特征和产生机理的研究极大地深化了我们对兴奋-收缩耦联过程的理解。本研究的目的旨在比较同一条件下自发钙火花和由loose-patch方法诱发的可以准确测量的钙火花之间在形态特征上的异同,以加深我们对钙火花的认识。【方法】激光共聚焦显微镜线扫描成像技术可记录到加载有荧光染料fluo-4的成年大鼠心肌细胞中随机产生的自发钙火花 ...
沈建新
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针对近年来雷雨天气愈加频繁而对电对力系统的供电稳定安全性造成的严重的影响这一现象,优化接地装置形状,降低杆塔的冲击接地电阻,从而提高输电线路杆塔的供电可靠性。采用接地体冲击放电时考虑火花放电效应的等效半径的计算方法,建立接地体π型等效模型,以长度为20 m的单根水平接地体为例,利用ATP-EMTP软件仿真计算验证了该计算方法的准确可靠性。应用该方法对相同条件下放射接地极与加上补充树枝状的放射接地极的冲击接地电阻进行了比较分析,得出补充树枝状的放射接地极能够使接地体的冲击接地电阻得到有效的减小 ...
姜锋 +7 more
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用固态分子束外延技术生长了高应变.In0.45Ga0.55As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量子阱中的In—Ga原子扩散为误差函数扩散并解任意形状量子阱的薛定谔方程的方法,对不同退火温度下InGaAs/GaAs量子阱室温光致发光峰值波长拟合,得到了In原子在高应变InGaAs/GaAs量子阱中的扩散系数以及扩散激活能(O.88ev)
苗振华 +5 more
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