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ABSTRACT The communication of political leaders towards voters has become increasingly important in modern democracies – even more so during crises. This article addresses the question of which factors influence the presence of heads of government during crisis communication?
Lore Hayek +2 more
wiley +1 more source
一、基本原理 电磁场的数值分析法,可分为两大类:一类是先把待求电磁场问题提成偏微分方程和边界条件组成的定解问题,然后用差分法或有限元法求解;另一类则先用积分方程表示场源和场量之间的关系,再用矩量法或模拟电荷法等计算待求场量。 根据等效场源的观点,可把同一电场看成由单层形式分布的表面电荷或双层形式分布的表面电荷或点电荷、线电荷、面电荷等不同形式电荷分布的某种组合激发的。由于场源分布的不同,联系场量和场源的积分方程也不同。
陆忠亮, 肖衍明
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为了揭示复合绝缘子在污秽潮湿环境中运行时的电场分布特性,笔者基于复合绝缘子的污闪理论,研究了绝缘污秽电场模型和计算方法,采用污层表面电导率和模拟导电污层的电阻层边界条件,应用有限元电场计算软件ElecNet对复合绝缘子污秽电场进行了交流时谐电场计算分析,比较了污层沿绝缘子轴向均匀分布和不均匀分布两种情况下的绝缘子电场分布,分析了污层表面电导率大小(即不同的污秽度)以及污层分布状态对绝缘子表面电场分布的影响。得出,当伞裙上表面电导率高于下表面时,沿泄漏路径的电位分布线性度降低 ...
王仲奕, 王琪, 陈青
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Study on the synthesis and the application of Au-magnetic nanocomposites [PDF]
近年来,随着纳米技术和科学的发展,具有各种不同功能的金纳米材料和金-磁性复合纳米材料相继被合成并应用于生物医药、纯化分离、分析检测、化学催化等多个领域。目前关于制备多功能金-磁性复合纳米材料的方法的报道已有很多,但是其中大部分都需用到有毒或昂贵的化学试剂、制备过程比较繁杂,而且一些制备方法得到的磁性复合纳米材料稳定性较差、性能不理想,很难满足研究的需求。因此,发展合成过程简单可控、成本低廉、绿色环保的方法制备出性能优异的金-磁性复合纳米材料显得尤为重要。 考虑到金纳米环(AuNRs ...
刘永良
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利用ANSYS有限元分析软件,对几种典型不均匀污秽绝缘子的三维电场及电位分布进行了计算;依据污闪放电机理,对干燥带出现后电场分布的变化及其位置的影响进行了计算。分析了污秽绝缘子表面电阻模型对电场及电位分布的影响,结果表明:污秽不均匀性对绝缘子电场分布影响显著。连接铁帽、钢脚的湿污秽区能削弱高压电极附近场强;上下表面不均匀污秽对绝缘子电位分布影响显著,周向不均匀污秽影响较弱。干燥带上场强与产生的位置有关,呈"U"形变化趋势。
高博 +4 more
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介绍了正三角形和正方形微腔的类回音壁型模式特性,以及与输出波导连接的正三角形和正方形定向输出微腔激光器.实验表明正三角形微腔激光器作为光探测器应用具有共振增强的响应特性.提出了采用两个定向输出微腔激光器与硅上光波导连接实现芯片上的光互连的设想.国家自然科学基金(批准号:60777028,60723002,60838003);国家重点基础研究发展计划(“973”计划)(批准号:2006CB302804 ...
杨跃德, 车凯军, 黄永箴
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建立数学模型计算了复合绝缘子的沿面电场分布,利用有限元法计算了220kV线路复合绝缘子不安装均压环及安装不同形状尺寸均压环时沿面场强分布和电位分布。分析了均压环各因素变化对电场分布改善效果的影响,指出环径和罩深对端部电压分布改善效果明显,管径对电场分布改善效果好,根据各因素的综合影响,推荐了220kV复合绝缘子均压环的结构参数。
卫李静 +5 more
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光学微腔中偶极子自发辐射受到空间和频谱调制,能实现自发辐射增强或抑制效应,而且其有源区体积可以非常小,有利于极低阈值工作和极高的调制速率。在过去的二十多年来,垂直腔面发射激光器、回音壁模式(whisSperig-gauely mode)微腔激光器以及光子晶体微腔激光器三类光学微腔激光器的研究取得了很大的进展。回音壁模式微腔中,模式光线由于其在微腔界面的入射角大于全反射临界角而受到限制,是一种结构非常简单的光学微腔。微盘激光器作为典型的回音壁模式微腔激光器,可利用普通的边发射激光器外延片材料 ...
杨跃德, 车凯军, 黄永箴
core
为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,
邱志斌, 黄道春, 阮江军
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