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Gaoya dianqi, 2012 为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,
邱志斌, 黄道春, 阮江军
doaj
, 2018 设计了可集成于滑油管道的同轴电容传感器,可用于原位检测滑油中碎屑从而诊断航空发动机健康状态。建立同轴电容传感器的数学模型,采用数值仿真方法对电容传感器相关参数进行分析。结果表明:圆筒式电容传感器的电容值随碎屑数量的增加而增大,且大致呈现线性关系,随碎屑尺寸的增加而增大,且有较好的线性关系。确定合适的传感器设计参数,搭建试验台对同轴电容传感器进行初步实验验证,试验结果表明同轴电容传感器具有可行性。中央高校基本科研业务费项目 ...
卿新林, 孙虎, 王奕首, 韩志斌
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Gaoya dianqi, 2016 高速列车车顶高压设备易出现电晕放电甚至沿面闪络,而电场分布特性是影响放电的重要因素之一。笔者结合实际运行中的某高速列车车顶高压设备的设计方案,利用有限元方法仿真计算了其电场分布,得到并分析了车顶高压设备电场分布的规律及特点,并优化了部分场强过高的金具结构。结果表明,车顶高压设备电场分布无轴对称性且极不均匀,设备伞裙的最高场强位于伞裙与高压端金具连接的部位;部分金具表面场强超过起晕控制场强,可能引发电晕放电,经优化后的金具表面场强满足起晕控制场强的要求。
邓志祥, 彭宗仁, 尹桂来
doaj
Experimental Study On Mass-spun Nanofibers Via Tip-induced Electrospinning [PDF]
, 2013 纳米纤维在生物医学、能源、空气及水体过滤等领域有着极大的潜在应用价值，近年来成为纳米科学领域的关注热点，实现纳米纤维的批量化制造是其获得工业化应用的关键。静电纺丝是生产纳米纤维的重要方法，以其结构简单，工艺可控性好，制备成本低廉等优势，成为最具工业化生产潜力的纳米纤维制造技术之一。本文通过介绍近年来的批量电纺方法和典型批量静电纺丝商业化设备的发展现状，对比分析了各电纺方法存在的优缺点以及制约纳米纤维批量制造设备发展的重要因素，提出需基于多针尖诱导批量电纺方法 ...
黄翔宇
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Dianci bileiqi, 2020 为了较全面地了解RTV涂层对绝缘子电场分布的影响,使用有限元法建立绝缘子模型进行数值计算,分析了RTV涂层的厚度、介电常数以及非均匀喷涂方式对10 kV支柱瓷绝缘子导线附近和支柱表面电场分布的影响。结果表明:绝缘子电场的分布不但受涂层厚度的影响还受涂层喷涂形状的影响,合适的喷涂方式有利于改善绝缘子电场分布;随着涂层厚度的增加,涂料的介电常数对绝缘子电场分布的影响程度也越大。所得结果可为绝缘子涂层的优化提供新的理论依据。
夏欣, 淡淑恒, 李翔宇
doaj
Light Trapping Structures Based On UV Soft Nanoimprint Lithography [PDF]
, 2016 摘要 随着科技的进步，很多器件在微纳尺寸下展现出很多与大块材料不同的性质，而这些性质中有很多具有很强的应用前景，这推动了微纳器件的加工方法的提高与性质的研究。 本文的第一章与第二章简单介绍了常见的纳米加工方法，包括电子束光刻（EBL）、微纳自组装法及纳米压印技术。通过分析各种加工方法的优劣，介绍了纳米压印技术的优势：它可以在保证加工精度较高同时又能降低其生产成本，而这两个优点为纳米压印的工业化做了很好的铺垫。在第二章中，通过对常见的三种纳米压印技术做出分析，并结合现有的设备 ...
白彦强
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Gaoya dianqi, 2015 高压绝缘套管是气体绝缘金属封闭开关设备（GIS）高电压与地电位绝缘的重要元件,其均匀的电场分布与合理的结构是GIS安全运行的保证。笔者针对252 k V GIS高压绝缘套管结构设计与电场分布问题,以电磁场理论为基础,通过建立高压绝缘套管电场分布计算的数学模型和基于ANSYS软件的套管电场分布的仿真分析,对套管接地内屏蔽附近电场分布对套管外表面局部区域电场强度的影响进行研究,并据此对套管内屏蔽进行结构设计。套管内屏蔽结构参数的优化结果表明,套管外表面的最大切向场强降低了约29%,使其绝缘性能有了明显的提高。
金立军 +4 more
doaj
A Two-dimensional Analytical Model to GAT′s Gate Shielding Effect [PDF]
, 2000 【中文摘要】 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。 【英文摘要】 A two dimensional analytical model of the electric potential and field distribution in GAT’s collector depletion space in the cut off ...
庄宝煌 +3 more
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Research on simulation and application of mine dipole-dipole advance detection device by direct current method [PDF]
Advanced detection using the direct current (DC) method in underground coal mines is a primary technique for identifying water-bearing structures ahead of the driving face.
Danyang XI +5 more
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Modeling of the photoelectronic characteristics of a new 4H-SiC avalanche photodiode [PDF]
, 2015 紫外波段的光电探测器广泛应用于火箭发射、导弹跟踪、火焰探测、紫外通信以及紫外辐射测量等领域，具有很高的应用价值。采用4H-SiC半导体材料制备的紫外光电探测器具有低漏电流、高的量子效率、紫外可见抑制比高、抗辐射和耐高温等优点，是目前最具应用前景的紫外光电探测器。国内外多个课题组都对4H-SiC基紫外光电探测器进行了研究，成功制备出了多种结构的性能优越的4H-SiC紫外光电探测器，并在继续探索新结构的性能更优越的光电探测器。 本文基于传统的PIN结构和吸收-倍增-分离(SAM)结构的4H ...
钟金祥
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