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Finite Element Analysis for Maxwell's Eigenvalue Problems [PDF]
, 2016 在微波工程中，波导和谐振腔都是十分重要的微波器件，这些微波器件广泛地用于 我们的现实生活中.在波导问题中，如果电磁波的频率给定，那么传播常数就是一个非常重要的物理参数.在谐振腔问题中，谐振频率是一个十分重要的物理参数.当波导横截面不规则或者填充有非均匀介质时，此时波导问题的解析解是很难找到的;当腔体的几何结构十分复杂或者填充有非均匀介质时，此时谐振腔问题的谐振频率的精确解也是很难找到的.但是我们往往需要知道这些微波工程器件的这些物理参数，所以通常采用数值方法去近似求解它们 ...
姜威
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Gaoya dianqi电缆中间接头结构复杂易出现故障，一旦出现气隙、杂质等微观缺陷，就可能引发电场畸变进而生成电树枝甚至增加击穿风险。并且电缆接头由于空间电荷积聚及温度梯度引发的场强翻转等问题可能引起绝缘击穿。将±200 kV高压直流电缆中间接头设为研究对象，通过有限元仿真软件研究不同温度梯度（ΔT）下生长及滞长阶段电树枝缺陷对电缆接头稳态、暂态电场分布特性的影响。结果表明，当ΔT达到一定值时，SIR和XLPE绝缘内会发生场强翻转；稳态电场下，生长期内电树枝引发的局部电场最大值远高于无缺陷时场强 ...
王卓 +4 more
doaj
Gaoya dianqi, 2014 传统的特高压直流输电线路离子流场的计算采用二维模型,不能正确反映档距内考虑弧垂时的电场分布。笔者采用模拟电荷法计算标称电场,结合输电线满足的悬链线方程,考虑极导线表面电场的变化,对特高压直流输电线路档距内的离子流场进行了三维仿真计算,将结果与实测值进行了比较并做了分析。考虑弧垂时的地面合成电场值比不考虑弧垂时小,合成电场在垂直输电线方向和沿着输电线方向均呈对称分布,最大场强出现在在最大弧垂点边导线外侧2 m左右,随着远离弧垂最大处,合成电场在垂直和沿着输电线方向逐渐衰减。
李永明, 李稳, 张淮清
doaj
[Determination of 22 mycotoxins in milk by liquid chromatography-quadrupole/orbitrap mass spectrometry]. [PDF]
Se Pu, 2023 Tong LY +8 more
europepmc +1 more source
Tip Enhanced Dark-field microscopy [PDF]
, 2015 表面等离激元(SurfacePlasmonPolaritons,SPPs)是一种由金属表面的自由电子与外界光子相互作用形成的表面电磁振荡模式。在空间上具有高度的局域性,可以突破衍射极限,实现亚波长尺度范围内光的传导与控制。同时也是金属表面电磁场增强的重要来源。理论与实验研究表明,当两个表面等离激元靠得很近时,会产生耦合作用,近场电磁场会重新排布,并在合适的距离范围内产生“热点”。表面等离激元之间的耦合有多种形式：纳米粒子之间耦合LSP-LSP,纳米粒子与金属薄膜之间的耦合LSP-SPP ...
王芳芳
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Gaoya dianqi, 1995 采用等参元有限元法对真空接触器—熔断器组合电器静电场进行了数值计算,介绍了三维静电场等参元的分析方法,剖分单元为15节点五面体单元,场域自动剖分具有几何尺寸可变、单元疏密可调的特点。任意一点电场强度和任意一条电力线长度的计算,使三维静电场逆问题的求解成为现实,为了考核三维静电场数值计算准确度,分别求解两平行圆柱电极间电场的解析解与数值解,并进行了比较。
汪友华 +4 more
doaj
Adsorption，Reactions and Raman Spectra of Water Molecules and Hydrated Species on Noble Metal Cathodes：A Theoretical Study [PDF]
, 2016 水是自然界最常见的物质之一，也是生命赖以生存的物质基础。水与表面的相互作用一直是诸多学科广泛研究的领域。在电化学体系中，水分子是电极/溶液界面最重要的组分之一，水分子的构型和取向直接影响电极/溶液界面的电势分布以及微观化学环境，从而影响界面的电化学反应。同时，在电极/溶液界面还存在着许多寿命短，不稳定，同时又具有着较高的化学活性的表面物种。例如，不饱和氢键的水分子、质子化的水、水合氢原子、水合电子、以及水合氢氧根离子等。 贵金属纳米粒子催化剂有着得天独厚的光催化性能：大的表面积与体积比 ...
庞然
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Growth of HfO2 thin film by Remote Plasma Atomic Layer Deposition and the properties of HfO2/Ge interface [PDF]
, 2016 随着器件等比例缩小难度和成本的不断增加，以Si作为沟道材料SiO2作为栅介质的传统CMOS发展接近物理极限，高K介质HfO2栅高迁移率Ge沟道MOSFET成为未来CMOS集成电路技术发展的潜在选择之一。然而metal/HfO2/Ge结构MOS器件存在界面态密度高、栅极漏电流大等问题，因此研究高质量HfO2薄膜生长技术和减少HfO2/Ge界面态是提高metal/HfO2/GeMOS器件性能的有效途径之一。 本文采用远程等离子体辅助原子层沉积法(RP-ALD)生长HfO2薄膜，优化了HfO2薄膜的生长（温度）
池晓伟
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Dianci bileiqi, 2017 高塔作为频受雷击的群体,研究其周围的雷电电磁环境有助于优化其附近的防雷设施,因此可以更好的对其周围的电力,电子和通讯设备进行雷电防护。利用TL模型推导出来的新的表达式来计算电场和磁场的大小,通过设置不同的参数,在雷击高塔和雷击地面这两种情况下,对不同水平距离处的电场和磁场值进行了分析和对比。得出了以下结论:在高塔存在的理想情况下,高塔近距离处的电场与地面处的电场相比是减小的,这表明高塔对近距离处的电场有屏蔽作用,而其磁场则与雷击地面的情况是相同的。随着[ρtop],[ρbot]值的改变 ...
周宏辉, 郑立, 袁荣杰, 吴召华
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Gaoya dianqi, 2023 针对GIS隔离开关操作时电子式互感器内部电磁干扰问题，文章首先对电子式互感器进行了结构建模，基于偶极子天线的辐射理论模型对电子式互感内部的三维电磁场分布规律和强度开展分析，最终得到电子式互感器内部不同时刻的电磁场强度及其分布规律：在电磁骚扰产生0.5～2.5μs内电子式互感器内部电场强度较大，在3μs之后电场逐渐减小，在相同频率下，y轴方向电场最强，x轴方向磁场最强。
成林 +6 more
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