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Dianci bileiqi, 2005 综述了近年来添加剂对氧化锌电阻片电学性能影响方面的研究进展,分析了不同添加剂对氧化锌电阻片电学性能的影响机理。通过比较发现,纳米添加剂可以降低高温烧成时的烧成温度,进而抑制晶粒长大,改善烧成均匀性,氧化锌晶粒平均尺寸可控制在1μm左右,泄漏电流2μA,通流容量可达250J/cm3。指出纳米添加剂进一步在氧化锌电阻片生产中的应用是今后研究的方向。
马书蕊 +4 more
doaj
Study on Ohmic Contact of AZO/N--+-Si [PDF]
, 2011 文章介绍了AzO/n+-SI欧姆接触特性的研究和AzO/n+-SI欧姆接触的制备新方法。实验发现AzO/n+-SI的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响,在最优的退火温度和时间条件下,测得最小比接触电阻为7.32x10-4Ω.CM2。它满足多晶硅太阳能电池的要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。The fabrication method and electrical characteristics of AZO/N+-Si(polycrystalline silicon) contact
杨倩, 陈朝
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Dianci bileiqi, 1997 给出了化学共沉淀法制备ZnO压敏电阻粉料的原则工艺流程；对用化学法粉料制作的压敏电阻作了初步电性能检测，在进行8／20μs雷电冲击时发现其单位体积可承受较大的冲击能量，并具有小的U1mA变化率。
费自豪 +4 more
doaj
Preparation and Properties of CaCu3Ti4O12 Ceramics with Giant Permittivity and Low Dielectric Loss via Tape Casting [PDF]
, 2014 本论文在固相反应法的基础上结合流延成型制备CaCu3Ti4O12（简称CCTO）陶瓷薄片，研究两步法烧结和Cu不同化学计量比对流延成型CCTO陶瓷致密度、微观结构和电学性能等方面影响；同时对CCTO陶瓷介电机理的表面效应进行初步探讨；成功制备多层CCTO陶瓷基双功能元件，并与铝电解电容器和超级电容器进行性能和充放电特性对比试验。 首先，采用两步法烧结流延成型CCTO陶瓷薄片。第二步保温时间和第二步烧结温度对流延成型CCTO陶瓷的性能都有较大的影响。随着第二步保温时间的延长和第二步烧结温度的升高 ...
李伟
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Dianci bileiqi, 2004 综述了近年来国内外在提高氧化锌电阻片通流能力方面的研究进展。认为影响氧化锌电阻片通流能力的关键因素是电阻片微观结构不均匀性导致电流分布的不均匀性。通过采用湿式化学粉料制备法来提高粉料的均匀性是提高电阻片通流能力的有效途径。而改善粉料的均匀性,从根本上讲是改善添加剂在粉料中的分散均匀性。因此,添加剂在粉料中应尽可能地细化和均匀。
迟屹君 +7 more
doaj
Growth and properties of ultra-thin Ge oxide and thermal annealing effect on HfO2/GeO2/Ge MOS structures [PDF]
, 2012 随着硅集成电路特征尺寸接近其物理极限，具有高迁移，且与硅工艺兼容性好的Ge成为下一代高性能集成电路的候选材料之一。然而由于Ge表面本征氧化层稳定性差，采用高介电常数（高k）介质栅往往会在界面引入高的界面态密度，成为影响器件性能的重要因素之一。研究表明超薄氧化锗可以有效降低高k介质与Ge界面处的界面态密度和界面散射，提高沟道载流子迁移率和器件性能。因此，制备超薄氧化锗并研究其在器件中的界面钝化效果对实现高性能Ge-MOSFET器件具有重要意义。 本文研究了氧化锗对高k介质GeMOS结构界面钝化机理 ...
路长宝
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PEDOT∶PSS掺杂丝素蛋白复合薄膜的半导体性能 [PDF]
, 2019 为了揭示丝素蛋白与有机半导体聚合物聚3,4-乙撑二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸(PEDOT∶PSS)复合薄膜作为有源层的场效应,采用旋涂制膜法在重掺杂氧化硅片上制备了厚度均一、表面平整度较好的场效应...国家自然科学基金(11404272);; 中央高校基础研究基金项目(20720140514);; 福建省自然科学基金(22171024);; 国家教育部博士点专项基金(20130121110018)~
刘向阳, 徐翔宇, 李弘坤, 詹达
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Al-doped ZnO (AZO) thin film deposited by RF magnetron sputtering and its application on multicrystalline solar cell [PDF]
, 2011 掺Al的ZnO薄膜（简称AZO）不但制备简单、价格低廉、无毒无害而且具有透明、导电等优良特性。本文试图将AZO这些特性用于多晶硅半导体太阳电池制备中，希望能降低电池的成本、提高电池的性能。本文主要的工作和成果如下： 1.研究了室温下工艺条件（溅射功率、氩气流量）对AZO薄膜电学、光学、结构、表面形貌等性质的影响，获得AZO薄膜制备的最佳工艺条件：溅射功率150W，氩气流量60sccm（气体压强为0.6Pa）。 2.研究了退火对磁控溅射AZO薄膜性能的影响。在N2氛围中的退火 ...
杨倩
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Preparation and properties of P-type Bi2Te3-based materials with high preferred orientation [PDF]
Using the Bi0.4Sb1.6Te3+3%Te (mass fraction) melting crystal rods as the raw materials, the alloy ingots with good orientation were prepared by water-cooled copper crucible maglev melting technology. The P-type Bi2Te3-based alloy powders were obtained by
CAI Xinzhi +4 more
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Preparation, Characterization and Properties Study of Mo Electrode for Flexible CIGS Thin Film Solar Cell Application [PDF]
, 2013 本文系统研究了铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池背接触钼电极在柔性基底上的制备。主要探究了Mo薄膜电极在柔性PI（聚酰亚胺）基底上直流磁控溅射方法和柔性不锈钢基底上化学涂膜方法的制备工艺，并与两种方法在玻璃基底上制备的Mo薄膜电极进行比较研究，对制备的Mo薄膜电极使用X射线衍射分析（XRD）、扫描电子显微镜分析（SEM）、电阻率、粘附性等测试手段，系统分析了不同实验条件对薄膜制备的影响，讨论了薄膜结构和性能的内在关联，然后优化了两种方法在柔性基底上Mo薄膜电极的制备工艺。 其中 ...
李超
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