Results 121 to 130 of about 13,698 (193)
A Multifunctional Reducing Molecular Dopant for 16% Efficient Tin Perovskite Solar Cells
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT Although lead‐based photovoltaics have seen remarkable progress, tin‐based perovskite solar cells (Sn‐PSCs) continue to face challenges due to their limited power conversion efficiency and insufficient operational stability. The primary cause of this performance gap is the susceptibility of Sn2+ to oxidation, which promotes rapid defect ...
Xianyong Zhou +12 more
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Study on Ohmic Contact of AZO/N--+-Si [PDF]
, 2011 文章介绍了AzO/n+-SI欧姆接触特性的研究和AzO/n+-SI欧姆接触的制备新方法。实验发现AzO/n+-SI的退火温度和时间对其欧姆接触特性有很大的影响,在最优的退火温度和时间条件下,测得最小比接触电阻为7.32x10-4Ω.CM2。它满足多晶硅太阳能电池的要求,可用于高效率硅太阳能电池透明电极的制备。The fabrication method and electrical characteristics of AZO/N+-Si(polycrystalline silicon) contact
杨倩, 陈朝
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Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT High‐power piezoelectric ceramics which have a wide operating temperature range are essential for sensor and actuator applications in extreme conditions. However, their development is fundamentally hindered by the inherent trade‐off among key parameters (TC, d33, Qm).
Rui Yan +10 more
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Investigation of transparent Al-doped ZnO films for high performance GaN-based light emitting diodes [PDF]
, 2008 多晶的或无定形的透明导电氧化物(Transparentconductingoxides，简称TCOs)，由于其独特的光学和电学性能，成为近年来研究的热点。其中，铝掺杂氧化锌（Al-dopedZnO,简称AZO）因具有低电阻率和高可见光区透过率，成为主要的透明导电氧化物材料之一，加上其原材料丰富，价格低廉且无污染，在光电器件领域有望替代ITO成为最理想的透明导电材料。本文采用射频磁控溅射技术首次在室温下，以ZnO:Al2O3(98：2wt%)为靶材，在石英玻璃衬底上制备多晶AZO透明导电薄膜 ...
杨伟锋
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Policy &Internet, Volume 18, Issue 1, March 2026.ABSTRACT This article investigates how TikTok Shop reproduces the e‐commerce model of Douyin Shop against a backdrop of divergent regulatory challenges and geopolitical distrust. One of the strategic changes we observe in TikTok Shop is the shift of consumer goods suppliers from local merchants to China‐based sellers.
Shuaishuai Wang, Jing Meng, Yitong Li
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Gaoya dianqi, 1996 综述了现有的描述自能灭弧室中电弧和气流特性的几种主要数学方法,并说明了每种方法的特点,根据自行设计的自能灭弧室,提出了灭弧过程中两阶段的电弧与气流场的数学描述方法;特别注意列电弧旋转运动时的湍流和辐射能量的吸收问题。
贾志鸿, 郭文元
doaj
Effect of RF power on the structure and properties of ZnO∶Al films deposited by magnetron sputtering [PDF]
, 2008 采用RF磁控溅射技术以ZnO:Al2O3(2 wt%Al2O3)为靶材在石英玻璃衬底上制备多晶ZnO:Al(AZO)薄膜,通过XRD、AFM、AES以及Hall效应、透射光谱、折射率等手段研究了RF溅射功率(50~300 W)对薄膜的组织结构和电学,光学性能的影响。分析表明:所制备的AZO薄膜具有c轴择优取向,并且通过对不同功率下薄膜载流子浓度与迁移率的研究发现对于室温下沉积的AZO薄膜,晶粒间界中的O原子吸附是影响薄膜电学性能的主要因素。同时发现当功率为250 W时薄膜的电阻率降至最低(3.995 ...
刘著光 +4 more
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Al-doped ZnO (AZO) thin film deposited by RF magnetron sputtering and its application on multicrystalline solar cell [PDF]
, 2011 掺Al的ZnO薄膜（简称AZO）不但制备简单、价格低廉、无毒无害而且具有透明、导电等优良特性。本文试图将AZO这些特性用于多晶硅半导体太阳电池制备中，希望能降低电池的成本、提高电池的性能。本文主要的工作和成果如下： 1.研究了室温下工艺条件（溅射功率、氩气流量）对AZO薄膜电学、光学、结构、表面形貌等性质的影响，获得AZO薄膜制备的最佳工艺条件：溅射功率150W，氩气流量60sccm（气体压强为0.6Pa）。 2.研究了退火对磁控溅射AZO薄膜性能的影响。在N2氛围中的退火 ...
杨倩
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Influence of p-GaN annealing on the properties of GaN-based LED wafers and devices [PDF]
, 2013 GaN基宽禁带半导体材料具有优异的物理和化学性质，已被广泛用于全彩显示、信息指示和照明领域，成为当今半导体技术发展的热点。目前，GaN及GaN基器件的研究已经取得了巨大的进展，但是GaN的生长和器件制备方面还存在一些困难。p型掺杂困难是限制GaN基材料和器件发展的主要因素之一。热退火是用于提高p型GaN空穴浓度的常用方法，但具体的实验条件还有待进一步优化。本文针对GaN基材料的p型掺杂问题，将GaN基LED样品分别在800℃，N2氛围下退火20min和500℃，O2氛围下退火6min ...
孙丽
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Flexoelectric effect on the Electromechanical Coupling Response of Piezoelectric Nanobeam under the Different Boundary Conditions [PDF]
, 2017 挠曲电效应是材料极化强度（或电场强度）与应变梯度之间的耦合关系，对于新型微纳米传感器，致动器和俘能器的性能具有重要影响。本文以挠曲电压电材料为研究对象，采用压电线性理论，并在电Gibbs自由能密度函数中考虑应变梯度与电场之间的耦合作用，并通过变分原理获得材料的本构方程，控制方程和边界条件。采用伯努利-欧拉梁理论，分析获得挠曲电压电梁的控制方程和相应的力电边界条件，并对不同力电边界条件下的纳米梁结构进行理论和数值分析。 在压电悬臂梁基础上，对不同电学边界条件的挠曲电效应进行了讨论 ...
杨昌平
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