Results 51 to 60 of about 13,698 (193)
Dianci bileiqi, 2000 对不同退火工艺下制得的化学法氧化锌电阻片的微观结构及脉冲电流性能作了对比分析 ,得出了脉冲电流冲击性能与退火温度和时间的关系 ...
王志宏 +4 more
doaj
Synthesis of Ⅱ-Ⅵ(ZnO,CdSe) nanostructured materials and its application as photodetector [PDF]
, 2015 本文的研究内容主要分为两个部分：一ZnO纳米材料的制备及其在光电探测领域内的应用；二基于CdSe材料的光电导探测器的研制。 PartAZnO纳米材料的制备及其在光电探测领域内的应用 本部分的研究工作与成果如下： 一:研究不同激光能量密度的248nm脉冲激光对ZnO材料的影响，发现随着能量密度的增加，制备的ZnO薄膜材料的结构发生变化，当能量密度达到2.5J/cm2时，ZnO薄膜变成纳米片结构材料，其原因可能是来自高能量密度激光产生的非线性效应。 二 ...
徐强
core
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT Developing low‐energy‐input electrocatalytic systems for efficient hydrogen production is crucial for advancing sustainable energy technologies. The overall hydrazine splitting (OHzS) has emerged as a promising strategy to reduce the overall energy consumption by replacing the sluggish oxygen evolution reaction.
Haozhou Chen +13 more
wiley +1 more source
Gaoya dianqi, 2019 气体绝缘金属封闭开关（GIS）以其占地面积小、可靠性高而在电力系统中得到了广泛的应用,但GIS长期运行过程中不可避免的会产生各种各样的内部绝缘缺陷,并伴随产生局部放电现象,甚至会引起系统故障,因此为保障系统可靠运行,对GIS进行局部放电在线监测具有重要意义。局部放电检测具有电学、声学、化学和光学等多种检测方法,其中电学测量手段主要有脉冲电流法和特高频检测法（ultra-high frequency,UHF）。UHF法测量局部放电辐射出来的电磁波的电场强度,而脉冲电流法测量局部放电引起的视在电荷 ...
苏春强 +6 more
doaj
Investigation of oxygen precipitates and the stability of denuded zone in Czochralski silicon [PDF]
, 2016 铜在硅中不仅具有很大的扩散速率，而且随着温度的降低它的固溶度迅速下降，这两个特性使得铜原子很容易在器件制备过程中沉淀下来，严重影响硅片性能。虽然科研工作者们已经提出了多种工艺使硅片近表面处形成洁净区，但却很少对硅中的氧沉淀和洁净区的稳定性进行深入探讨。因此，本文通过实验分析了氧沉淀和洁净区的稳定性，得出以下结论： （1）研究了热处理方式和铜引入温度对洁净区的形成及其稳定性的影响。研究发现，只有Ramping-低-高热处理能使硅片内生成大量氧沉淀的同时有效形成洁净区。引入铜玷污后，RTP-低 ...
吕耀朝
core
Carbon‐Insertion‐Engineered WS2 Hierarchical Heterostructure Enabling Superior Sodium‐Ion Storage
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT Tungsten disulfide (WS2) is considered a promising anode material for sodium‐ion batteries (SIBs). However, its practical application is hindered by poor electrical conductivity, large volume changes during cycling, and sluggish ion diffusion kinetics, which lead to unsatisfactory electrochemical performance.
Xiuli Hu +9 more
wiley +1 more source
Capillary – based microarray for multiple sample detection and its mechanism research [PDF]
, 2015 微阵列芯片具有高通量、微量化和自动化等特点，已经在很多领域得到广泛应用。但是微阵列芯片仍然具有不足之处，如所需设备昂贵、分析时间较长、灵敏度不高、多样品平行分析能力不足等。微流控芯片微米级的通道具有相对较大的比表面积和较短的扩散距离，能够显著加快分析速度、提高检测效率、增强分析性能，并且能够加工大量的平行通道用于多样品分析。目前已经有大量文献报道将微流控芯片和微阵列芯片相结合，发展了独特的杂交方式并在实验和理论上分别证明了两者相结合的优势 ...
瞿祥猛
core
Rare Metals, EarlyView.ABSTRACT Early detection of thermal runaway (TR) is essential for lithium‐ion battery (LIB) safety, as unchecked TR risks catastrophic failures in energy storage systems. Gas‐based sensing offers a faster and more direct approach by detecting decomposition products at the molecular level.
Tianshui Liang +9 more
wiley +1 more source
Dianci bileiqi, 2009 通过Y2O3掺杂等工艺手段制备出具有高电位梯度值的ZnO压敏电阻,并进行大电流冲击条件下的电学性能测试。实验结果表明,在掺杂0.08%（摩尔浓度）Y2O3后,试样的电位梯度值达到2 460.5 V/mm,残压比为1.48,最大通流容量达到1 263 A,能量耐受密度达到404.7 J/cm3,具有良好的抵抗大电流冲击的性能。掺杂后的试样晶粒尺寸减小到1.5μm,并且分布比较均匀,细致均匀的微观结构有利于试样电位梯度和大电流冲击下电学性能的提高。
柯磊, 蒋冬梅, 马学鸣
doaj
Investigation and Development of the High-Efficiency Vertical Chip [PDF]
, 2015 GaN基LED一般生长在蓝宝石衬底上，由于蓝宝石是绝缘体和不良的导热物质，使得传统的正装芯片在大功率下工作时，容易因散热不佳导致失效。本论文利用外延转移技术把蓝宝石衬底更换成更好的导热导电衬底，制备成薄膜垂直芯片，以利于大电流，大功率下应用。 本论文所述芯片，使用ICPdamage作为电流阻挡层，使用基板键合技术将导电导热衬底和GaN结合，然后用激光剥离方式将蓝宝石衬底去除，为了增加出光效率，对GaN表面进行粗化。 我们发现PCB-ICP条件会导致垂直结构LED在老化过程发生漏电 ...
梁兴华
core