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Gaoya dianqi, 2019 气体绝缘金属封闭开关（GIS）以其占地面积小、可靠性高而在电力系统中得到了广泛的应用,但GIS长期运行过程中不可避免的会产生各种各样的内部绝缘缺陷,并伴随产生局部放电现象,甚至会引起系统故障,因此为保障系统可靠运行,对GIS进行局部放电在线监测具有重要意义。局部放电检测具有电学、声学、化学和光学等多种检测方法,其中电学测量手段主要有脉冲电流法和特高频检测法（ultra-high frequency,UHF）。UHF法测量局部放电辐射出来的电磁波的电场强度,而脉冲电流法测量局部放电引起的视在电荷 ...
苏春强 +6 more
doaj
Investigation and Development of the High-Efficiency Vertical Chip [PDF]
, 2015 GaN基LED一般生长在蓝宝石衬底上，由于蓝宝石是绝缘体和不良的导热物质，使得传统的正装芯片在大功率下工作时，容易因散热不佳导致失效。本论文利用外延转移技术把蓝宝石衬底更换成更好的导热导电衬底，制备成薄膜垂直芯片，以利于大电流，大功率下应用。 本论文所述芯片，使用ICPdamage作为电流阻挡层，使用基板键合技术将导电导热衬底和GaN结合，然后用激光剥离方式将蓝宝石衬底去除，为了增加出光效率，对GaN表面进行粗化。 我们发现PCB-ICP条件会导致垂直结构LED在老化过程发生漏电 ...
梁兴华
core
Engineering Geometric Active Sites in Cobalt Spinel Oxides for Energy and Environmental Catalysis
Rare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.ABSTRACT Cobalt‐based spinel oxides (Co3O4 and derivatives) are among the most promising transition metal oxides for electrochemical energy conversion and environmental catalysis due to their abundant active sites, structural tunability, and robust redox flexibility.
Shenning Liu +6 more
wiley +1 more source
Dianci bileiqi, 2000 对不同退火工艺下制得的化学法氧化锌电阻片的微观结构及脉冲电流性能作了对比分析 ,得出了脉冲电流冲击性能与退火温度和时间的关系 ...
王志宏 +4 more
doaj
Fabrication and characterization of two-dimensional Au lattices [PDF]
, 2015 二维结构材料因其独特的对称性和缺失的第三维度具有与体材料截然不同的物理性质，包括独特的能带结构、优异的电学性能以及拓扑保护的表面态等；其固有的柔韧性、坚固性以及超薄等特点，还使得二维结构材料拥有良好的机械属性。这些新奇特性使得二维结构材料在信息领域具有广阔的应用前景，成为当今最热门的研究课题之一。而如何在广泛应用于半导体器件的硅基结构上制备稳定有序的二维材料进而实现器件上的开发和应用，成为人们日益关注的科学问题。因此，本论文着重针对硅基二维金属晶格的制备、结构表征以及性质探索等几个方面展开系统研究 ...
张纯淼
core
Rare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.ABSTRACT Engineering the semiconductor/dielectric interface is crucial for advancing two‐dimensional (2D) nanoelectronics, where device performance is predominantly governed by interfacial defects and dielectric coupling. Optoelectronic doping based on carrier trapping at the h‐BN/SiO2 interface has enabled non‐volatile and reversible carrier ...
Zhe Zhang +6 more
wiley +1 more source
Controllable fabrication and optical properties of Si and tree-like Si/ZnO nanowire arrays [PDF]
, 2015 硅作为一种重要的半导体材料，在微电子器件以及太阳能电池中有着广泛的 应用。近年来一维纳米材料成为人们的研究热点，其中一维硅纳米材料由于有着 优越的光学性能、电学性能以及与硅微电子器件及工艺的兼容性，引起了极大的 关注。相比一维纳米材料，树枝状的纳米材料有着更大的表面积，尤其是不同功 能材料组成的异质结纳米线阵列有着更优良的性能。研究发现枝状Si/ZnO纳米 线异质结阵列能增加光的吸收以及促进电荷分离，在太阳能转化和能量储存装置 中有很大应用潜力。本文着手于Si及树状Si/ZnO纳米线阵列的可控制备及光 ...
杨倩倩
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Optimized Design of Cu‐Ni‐Co‐Si Alloy Combining Machine Learning and Experimental Feedback
Rare Metals, Volume 45, Issue 4, April 2026.ABSTRACT The machine learning method was employed to accelerate alloy design, and experimental feedback was provided to enhance predictive accuracy. A Cu‐2.7Ni‐1.0Co‐0.8Si alloy with superior properties was selected using a double‐objective optimization algorithm.
Shifang Li +3 more
wiley +1 more source
Dianci bileiqi, 2009 通过Y2O3掺杂等工艺手段制备出具有高电位梯度值的ZnO压敏电阻,并进行大电流冲击条件下的电学性能测试。实验结果表明,在掺杂0.08%（摩尔浓度）Y2O3后,试样的电位梯度值达到2 460.5 V/mm,残压比为1.48,最大通流容量达到1 263 A,能量耐受密度达到404.7 J/cm3,具有良好的抵抗大电流冲击的性能。掺杂后的试样晶粒尺寸减小到1.5μm,并且分布比较均匀,细致均匀的微观结构有利于试样电位梯度和大电流冲击下电学性能的提高。
柯磊, 蒋冬梅, 马学鸣
doaj
Modification of Ge surface by plasma technology and its application in GOI and Al/n-Ge contact [PDF]
, 2016 锗材料由于具有比硅材料高的电子和空穴迁移率，在通信波段有较高的吸收系数并且与成熟的硅工艺相兼容等优点，使其成为下一代高性能微电子器件的首选替代材料。然而Ge器件存在着漏电流大的致命缺点，同时Ge器件尺寸的缩小会引入一些小尺寸效应。绝缘体上锗（Germanium-on-Insulator，GOI）结合了Ge材料及SOI（Silicon-on-Insulator）结构的优点，其独特的全介质隔离结构可以很好地解决体Ge材料器件的不足。虽然采用智能剥离技术（Smart-cutTM ...
赖淑妹
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