Results 71 to 80 of about 526,660 (157)
Gaoya dianqi, 2010 云—广特高压直流输电工程直流侧采用的三调谐滤波器只有一个处于高电位的电容器,该高压电容器承受几乎全部直流电压和大部分谐波电压降,导致容易在运行中发生电压击穿损坏。因此有必要对它的故障原因和故障特征进行深入分析和探讨。笔者讨论了直流高压电容器的内部结构和工作条件,接着分析了电容器单元故障时不平衡电流的大小和特征,并基于PSCAD/EMTDC工具建立详细的三调谐直流滤波器高压电容的模型,证明了其故障时不平衡电流大小与两桥臂电流之和成固定比例的关系,最后对高压电容器应配置的保护方式提出了建议。
朱革兰, 魏春枝, 王钢
doaj
, 2003 针对所研制的电容式微传声器在理想模式下的工作原理，建立了有限元分析模型和声－电模型，从理论上分析了器件的机械性能、灵敏度以及频响特性，得出了结构优化的设计原则，即要想得到高灵敏度的微传声器器件，必须考虑采用尽可能小的空气隙厚度和声学孔尺寸以及具有较小内应力的声学振模 ...
刘忠立, 宁瑾
core
Gaoya dianqi, 1960 在社会主义大跃进的新形势下,我厂的新产品不断地试制成功。目前在高压电力电容器方面已经试制成功了一种OY110—0.0066型高压耦合电力电容器。 OY11—0,0066型高压耦合电力电容器是用作高压和超高压输电线路上的高频通讯,遥控和保护装置,还可以用来在高压线路上抽取电力。 这种新型高压耦合电力电容器的技术数据如下: 1.额定电容量 6600微微法; 2.额定电压 110仟伏; 3.试验电压。 260仟伏(交流 ...
梁义
doaj
, 2006 设计了一种新型的与MS/RF CMOS工艺全兼容、带深n阱(DNW)、浅沟槽隔离(STI)的双光电探测器,分析了其工作机理,用器件模拟软件ATLAS对其暗电流、响应电流、光调制频率响应和波长响应进行了模拟.采用TSMC 0.18 μm MS/RF CMOS工艺进行了流片,对芯片进行了暗电流和响应度的测试.模拟和测试结果均表明,该探测器与常规双光电探测器相比 ...
黄家乐 +3 more
core
Gaoya dianqi, 2007 介绍了一种新的金属氧化物避雷器（MOA）阻性电流分量的测量方法——电容电桥法,以电容电桥的电容器臂的电容电流作为补偿参考信号,来平衡、补偿MOA全泄漏电流中的容性电流成分,以得到流过MOA的阻性电流分量。实验结果表明,电容电桥的减法功能可以在很大程度上使MOA和泄漏电流上的谐波与电容器臂的电容电流上的谐波相抵消,且实现简单、易行,可以在实验室将波形显示在示波器上,并进行清晰地观察和对比。
宫建立, 秦松林
doaj
, 2013 本文制备了两种离子液体电解液用于高电压超级电容器,实验结果表明,虽然两种电解液在CV扫描中都表现了较好的稳定性,但在长时间的充放电循环后采用1#电解液的电容器容量衰减严重;而采用加入了少量的PP13TFS1的2#电解液的电容器则相当稳定,因此 ...
陈仕谋 +5 more
core
Gaoya dianqi, 2004 电力系统中使用真空断路器切除无功补偿用并联电容器时,容易产生重燃过电压,严重影响并联电容的安全运行。笔者对10kV系统中切除并联电容器时所产生的重燃过电压进行了模拟计算,着重分析了影响重燃过电压大小的因素,并研究了利用MOA对并联电容器进行过电压保护的效果。
杜斌 +4 more
doaj
, 2005 为实现光纤通信系统中的单片光电集成，采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器，讨论了光电探测器的机理，提出了五种新的探测器结构，并采用TSMC0．18μmMS／RF CMOS工艺进行了流片．利用半导体测试仪对芯片进行了测试，包括探测器的暗电流、响应度和结电容，并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响．结果表明，利用标准MS／RF ...
黄家乐 +5 more
core
, 2001 Silicon-on-insulator (SOI)集成光电子器件的工艺与标准CMOS工艺完全兼容，采用SOI技术可以实现低成本的整片集成光电子回路 ...
张小峰 +5 more
core