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基于Ansys静电场的含并联电容的超高压断路器电场分析及设计
Gaoya dianqi, 2012 计算了550 kV双断口间有无并联电容器组时的电压分布。另外,通过对含并联电容器组的550 kV断路器的灭弧室的电场计算分析和试验验证,指出了并联电容器设计时的合理布置至关重要,否则,很可能会引起电容器对金属屏蔽罩间的击穿。
宫瑞磊, 赵江涛
doaj
, 2001 采用高频C-V曲线方法，研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程。二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10~3Gy(Si)剂量下近乎相同，而在大于3×10~3Gy(Si)_剂量下，50nm MOS电容的电荷密度约为15nm MOS电容的2倍。利用电离辐射后的隧道退火效应，计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si ...
刘忠立
core
, 1986 开关、断路器中的电弧研究与等离子体化学是低温等离子体两个通常的应用领域。开断器中电弧物理过程的研究结果可应用于回路开断、限止过失电流及脉冲功率系统中。脉冲功率技术可应用于原子能聚变发电及其模拟。随着电力系统的容量不断增加 ...
顾琅
core
Gaoya dianqi, 2015 真空断路器永磁操动机构的驱动电源多采用储能电解电容器,电容器容量大小对永磁机构的动态特性有重要影响,但如何确定电容器容量大小尚无明确原则。基于此,笔者通过分析永磁机构的电路励磁特征和运动特性,提出一种电容量大小确定方法,即可根据电容放电电流的第1个峰值达到永磁机构动作的临界电流来确定电容容量。在此基础上,以某永磁操动机构为例,具体介绍了电容大小的计算步骤。最后,根据所确定的储能电容大小计算了永磁机构动态特性,计算结果表明,笔者所提出的储能电容大小确定方法既可保证断路器可靠分、合闸,又能使电容量取值最小 ...
谢超 +4 more
doaj
, 2008 微电子技术与光电子技术紧密结合，相互渗透，必将推进信息技术及相关的高新技术进入新的发展阶段。本书共分为9章，从技术基础和实际应用的角度出发，着重对微电子与光电子集成技术相关的工艺基础、基本原理和关键集成技术进行了详细阐述，主要内容包括光发射器件、光电探测器、光波导器件、光电子专用集成电路、硅基光电子集成回路、甚短距离光传输技术以及微电子与光电子混合集成技术等。 微电子与光电子集成技术的实用化进程，必将为21世纪科学技术的发展作出重大贡献。然而，微电子与光电子集成技术是信息技术发展的一个崭新方向 ...
陈弘达
core
[Determination of 40 carbonyl compounds in ambient air by high performance liquid chromatography-triple quadrupole mass spectrometry]. [PDF]
Se PuLi GH +8 more
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, 2009 首先对不同类型光调制器性能做了简单比较,并结合近几年的研究进展情况,对各种电光调制器优缺点进行介绍,尤其对其中具有广泛应用前景的硅基电光调制器作了详尽的介绍,最后讨论了传输线电极设计对各类电光调制器性能的影响 ...
徐海华, 余金中
core
[Research progress of electroactivity graphene-based materials in bone repair]. [PDF]
Zhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za ZhiKang R, Yuan W, Zhu Y.
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Dianci bileiqi断路器投切电容器产生的操作过电压极易引发电力系统过电压事故。通过对某变电站主变跳闸事故的分析可知，事故系35kV真空断路器投切并联电容器过程中产生的操作过电压致使开关柜内绝缘击穿，进而引发三相接地短路所致。基于此，笔者采用阻容吸收器来抑制断路器在投切电容器时产生的操作过电压，并利用现场试验测试的方式验证了该抑制措施的有效性。事故分析和试验测试结果得出：经现场对比测试证明，安装阻容吸收器的保护方案可有效抑制该变电站断路器投切电容器产生的操作过电压；发生过类似事故的变电站 ...
马钶昊 +5 more
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