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四川大学学报. 自然科学版, 2005 作者利用常温恒流和恒压电晕充电及充电后的等温表面电位衰减测量、热刺激放电(Thermally Sti mulated Discharge,TSD)电流谱分析和热脉冲技术对电荷重心的测量和分析等方法,研究了以恒流和恒压电晕充电形成ETFE驻极体对其驻极态的影响.结果说明与恒压电晕充电相比较,恒流电晕充电时由于流过薄膜体内的电流恒定,可增加注入电荷在体内能阱被捕获的概率,致使薄膜体内沉积电荷密度上升,能改善驻极体的储电能力.
沈莉莉 +3 more
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Gaoya dianqi, 2017 为了研究高海拔地区特高压分裂导线的起晕特性和电晕损失特性,研制了一套集成化光电式电晕损失测量系统。测量系统由远端光通信采集模块,本地合并单元和上位机软件组成。远端光通信采集模块与本地合并单元之间采用光纤传输,通过光脉冲触发保证导线电晕电流和电压的精确同步采集。采用Labview开发了上位机软件,本地合并单元与上位机之间以UDP通信协议通讯。在实验室用信号发生器对测量系统进行角差、比差测定,测量结果表明 ...
刘云鹏 +5 more
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Gaoya dianqi, 2001 本文采用模拟实验的方法 ,分析了不同极性单个电晕脉冲产生的干扰水平和频域范围 ,指出正电晕脉冲是干扰的主要来源 ,膜状电晕的产生能有效地抑制干扰 ...
宋小坚
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Dianci bileiqi, 1994 盘形悬式绝缘子电晕的研究绝缘子元件电晕放电会产生噪音。为了提高决定噪音水平的绝缘子容许电压，开展了悬式绝缘子电晕的研究。连续地升高工频电压，就可求出发生可见流光电晕的电压与其结构的关系。还求出了与水泥胶合剂端场强最大部位的圆断面的半径的关系。［摘译自...
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Gaoya dianqi, 2019 高压输电线路表面磨损会对线路电晕放电造成影响。粗糙系数是根据导线表面状态预测起晕场强的重要参数。文中研究了表面粗糙度与高压直流导线起晕场强以及粗糙系数之间的关系,基于触针法测量了圆截面导线的表面粗糙度,利用圆柱电晕笼获得了导线正负极直流起晕电压,得到了粗糙系数与导线表面粗糙度之间的变化规律。导线粗糙度在0.5μm到2.5μm的范围内变化时,粗糙系数随表面粗糙度增大而减小。与正极相比,表面粗糙度对负极电晕放电影响更大。表面粗糙度越大,粗糙度变化对粗糙系数的影响越明显。
王东来 +4 more
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Gaoya dianqi膜蒸馏技术因能量需求与盐度无关，尤其适合处理高盐度水体，但低膜通量是限制其广泛应用的技术瓶颈。文中采用电晕放电协同膜蒸馏的手段，在不同电极结构、电压极性和放电强度下，研究了电晕放电对聚偏氟乙烯（polyvinylidene fluoride，PVDF）疏水膜膜蒸馏过程的影响。实验发现：膜通量促进效果与电极结构有关，且存在极性效应。在单针和多针电晕放电下，PVDF膜通量可由0.108 g/（cm2·h）提高到0.146 g/（cm2·h），电晕停止后，膜通量恢复至初始水平。文中研究表明 ...
杨国清 +4 more
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Dianci bileiqi, 2018 采用针-板电极装置,分别对室温硫化硅橡胶试样施加幅值相同的负极性直流电压与交流电压,观测不同电晕形式对RTV防污闪涂料性能的影响。通过对比试验现象并对试样进行憎水恢复性测量、扫描电镜分析、傅里叶红外光谱测试、X射线光电子能谱分析,发现交直流电晕对硅橡胶材料的影响程度不同,具体表现为交流电晕老化后的试样表面破坏更严重,内部特征基团峰面积变小,憎水恢复性比直流电晕老化后的试样差。直流电晕老化后的试样生成大量含C=O、-OH基团的物质。交直流电晕老化均使试样表面C元素含量减少,O元素含量增加。
郝璐 +9 more
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Dianci bileiqi, 2019 尖端电晕放电是闪电先导触发的基础,而气溶胶作为电晕离子的载体,其浓度的不同可能会引起电晕放电特征的不同,进而影响闪电先导特征,但具体的影响程度尚未明确。为此,基于二维电晕粒子对流扩散模型,研究了不同气溶胶浓度（Na）下的电晕放电特征,通过讨论雷暴云电场环境下,不同Na对60 m高的塔尖周围电晕粒子时空演变的影响,揭示了尖端电晕电流(icor)、空间电场（E）以及电晕电荷浓度（ρ）随Na的变化关系。研究发现:1)当Na低于1010m-3时,其对电晕放电的影响较小;当Na高于1010m-3时,其影响相对明显。
郭秀峰 +5 more
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Gaoya dianqi, 2003 论述了绝缘子串在高电压作用下的电晕电流特性,并通过试验进行了验证。试验表明,绝缘子电晕电流具有统计特性,它与外加电压、绝缘子表面污秽程度及空气湿度等参数有关。用电晕电流法在线检测绝缘子运行状况是完全可行的。
聂一雄, 尹项根, 刘春, 文远芳
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[How I treat vasovagal syncope in children]. [PDF]
Zhongguo Dang Dai Er Ke Za ZhiZou RM, Wang C.
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