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Dianci bileiqi, 2005 采取提高热处理温度、延长保温时间等措施,改善直径大且厚的电阻片老化性能,取得了较好的效果。试验证明,热处理工艺可使电阻片的压比明显降低;在0.75U1mA下的阻性电流除少数外均有不同程度的增大,总的规律是尺寸大的比小的增大得多;热处理可明显提高电阻片的方波通流能力,并改善其稳定性。欲通过热处理使电阻片的性能获得最佳,必须根据电阻片的尺寸、烧成制度等调试热处理炉的温度制度及装片密度,选定较合理的工艺。采用再次热处理的方法使已抽查试验的电阻片性能得到恢复。通过X衍射试验 ...
王振林, 高奇峰, 姜玉根
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Dianci bileiqi, 1989 介绍氧化锌非线性电阻片侧面高阻层釉的研究情况.结果表明:高阻层釉配方中加入部分阀片本体中的添加剂及助熔成分后,高阻层釉浆涂于阀片生坯侧面一次烧成,具有釉面光滑,烧结致密,釉与坯膨胀系数相适应等表面特性.电阻片能够耐受4/10μs、65kA大电流冲击不闪络,荷电率0.85以上.对提高电阻片的方波通流容量起到了良好的作用.且工艺简单、烧成温度范围宽,适合于工厂大批量生产.
张素兰
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Dianci bileiqi, 2011 目前使金属氧化物避雷器小型化的重要手段之一就是采用高梯度氧化锌电阻片。然而,随着氧化锌电阻片梯度的提高,其电气性能参数也发生相应变化。笔者通过试验,主要研究了高梯度氧化锌电阻片小电流区域中不同温度下的电压-电流特性。通过对试验结果进行分析发现,随着温度的升高,高梯度氧化锌电阻片的电压-电流特性曲线拐点逐渐向前移动,尤其当温度超过50℃时,高梯度氧化锌电阻片的负温度系数绝对值增大,这对避雷器运行的热稳定性会产生不利影响,为高梯度氧化锌电阻片在工程中应用提出建议和意见。
马勍, 石莉敏
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Dianci bileiqi, 2020 高压直流输电系统的操作过电压持续时间长、释放的能量大,为提高避雷器的能量吸收能力,高压直流避雷器一般采用多柱电阻片并联的结构,柱间电流分布的均匀程度直接影响避雷器的整体能量吸收能力。本文选用国内3个避雷器生产厂家的电阻片,试验研究了电阻片整体温升及柱间温差对电流分布特性的影响。研究结果表明,当电阻片温度整体升高时,虽然不同厂家电阻片的电流分布不均匀系数随温度变化的规律具有一定的差异,但由此引起的最大电流分布不均匀系数并不会超过标准限值;当柱间温差增加时 ...
刘婉莹, 文武, 卢文浩, 王光耀
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Dianci bileiqi, 2019 基于换流站直流极线近区发生对地短路,直流滤波器的F1避雷器出现的冲击电流特征,分析了多次大电流冲击对F1避雷器用电阻片的性能影响。以平高东芝（廊坊）避雷器有限公司用于F1避雷器的两种电阻片为对象,研究了多次大电流冲击对电阻片老化特性、2 ms能量吸收能力以及保护特性的影响。验证了电阻片性能满足扎鲁特—青州±800 kV特高压直流工程需求。结果表明:多次大电流冲击对电阻片的能量吸收能力、老化特性以及保护性能没有明显影响。
姚玉锁 +6 more
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Dianci bileiqi, 2013 氧化锌是生产电阻片的主要原材料,氧化锌的理化性能对电阻片的质量起着至关重要的作用。通过对氧化锌的理化性能:主含量、杂质含量（钾、钠、铁、镉、铅）、粒度、晶型结构、水分、盐酸不溶物及金属锌含量进行测试分析。根据多年测试经验,对氧化锌测试方法及关键技术条件要求进行了可行性改进,并结合生产实际使用情况,跟踪分析电阻片质量状况,判断氧化锌理化性能要求对电阻片电性能的影响。研究表明,氧化锌中铁、金属锌及钠等杂质含量过多能使电阻片的漏流增大,铅杂质含量过多能使电阻片的方波性能下降,铜 ...
徐东, 李越, 李可菼, 王兰义
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Dianci bileiqi, 2005 通过掺杂氧化镍、氧化钇,对改善ZnO压敏电阻片电气特性进行了系统研究;分析和讨论了电阻片的电位梯度E、泄漏电流IL、压比Ki、方波、大电流冲击所引起的变化以及老化试验等;掺杂后,不仅提高了电阻片的电位梯度,同时还提高了其能量吸收能力;特别是钇掺杂处于晶界上,抑制晶粒长大,使晶界电压降低,大约为2.2V,是传统电阻片晶界电压的70%。研究获得了电位梯度达260V/mm,方波为800A,能量吸收能力达到300J/cm3的直径为56mm、厚度为9mm的ZnO压敏电阻片。
王玉平, 马军
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Dianci bileiqi避雷器用ZnO电阻片在运行中难免出现老化，这将导致电阻片电稳定性下降，影响电力系统稳定运行周期。对于ZnO电阻片老化机理以及如何提高ZnO电阻片长期运行的电稳定性成为研究热点。本次研究通过分析显微结构、物相组成、介电频谱以及电气性能探讨渗Bi热处理工艺对ZnO电阻片电稳定性的影响，构建微观本征点缺陷结构与宏观电稳定性之间的关联关系。实验结果表明渗Bi热处理工艺可以使Bi2O3相以及尖晶石相发生转变，改变氧离子的传导率，进而造成氧空位Vo•在耗尽层中的变化，这也使得渗Bi热处理电阻片晶界势垒高度ΦB达到0.
王鑫 +6 more
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