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渗Bi热处理对直流ZnO电阻片电稳定性的影响

open access: yesDianci bileiqi
避雷器用ZnO电阻片在运行中难免出现老化,这将导致电阻片电稳定性下降,影响电力系统稳定运行周期。对于ZnO电阻片老化机理以及如何提高ZnO电阻片长期运行的电稳定性成为研究热点。本次研究通过分析显微结构、物相组成、介电频谱以及电气性能探讨渗Bi热处理工艺对ZnO电阻片电稳定性的影响,构建微观本征点缺陷结构与宏观电稳定性之间的关联关系。实验结果表明渗Bi热处理工艺可以使Bi2O3相以及尖晶石相发生转变,改变氧离子的传导率,进而造成氧空位Vo•在耗尽层中的变化,这也使得渗Bi热处理电阻片晶界势垒高度ΦB达到0.
王鑫   +6 more
doaj  

[Research progress of microfluidic technology in competitive sports]. [PDF]

open access: yesSheng Wu Yi Xue Gong Cheng Xue Za Zhi
Hu C, Zhang C, Fan Z, Deng X, Liu M.
europepmc   +1 more source

[Mechanisms of Piezo1-mediated microglial ferroptosis in inhibiting spinal cord injury repair]. [PDF]

open access: yesZhongguo Xiu Fu Chong Jian Wai Ke Za Zhi
Wang Z   +4 more
europepmc   +1 more source

电极留边距离对电流冲击下ZnO电阻片通流性能和故障模式的影响

open access: yesDianci bileiqi
在2 ms方波冲击和4/10 μs大电流冲击下测试了具有不同电极留边距离的ZnO电阻片。结果表明,电极边缘和ZnO电阻片边缘留有一定余量可使冲击下的通流性能表现更稳定、减少分散性,但过多的留边距离则会使承受冲击电流的有限面积减少,留有0.5 mm左右的电极留边距离比较合适。在电流冲击测试过程中,一些ZnO电阻片样品出现故障,包括穿孔、破裂和侧闪。观察发现冲击试验后ZnO电阻片局部微观结构的形态和组成出现变化,被认为是ZnO电阻片劣化或故障的根本原因。
付志瑶, 王博闻, 胡建平, 方针
doaj  

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