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采取提高热处理温度、延长保温时间等措施,改善直径大且厚的电阻片老化性能,取得了较好的效果。试验证明,热处理工艺可使电阻片的压比明显降低;在0.75U1mA下的阻性电流除少数外均有不同程度的增大,总的规律是尺寸大的比小的增大得多;热处理可明显提高电阻片的方波通流能力,并改善其稳定性。欲通过热处理使电阻片的性能获得最佳,必须根据电阻片的尺寸、烧成制度等调试热处理炉的温度制度及装片密度,选定较合理的工艺。采用再次热处理的方法使已抽查试验的电阻片性能得到恢复。通过X衍射试验 ...
王振林, 高奇峰, 姜玉根
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本实用新型主要涉及大电流电阻箱,尤其涉及高压大电流电阻箱的结构。一种高压大电流同轴无电感电阻箱,包括有电阻组(15),外导电连接,内导电连接,外导电连接与内导电连接之间的绝缘体,油箱(18),其主要特点是所述的电阻组(15),外导电连接,内导电连接,外导电连接与内导电连接之间的绝缘体,油箱(18)同轴线。本实用新型的优点是,结构合理,工艺简单,方便拆装。电阻箱整体根据电阻的外型结构和连接方式,设计了外导体,内导体及安装附件,与片式无感电阻构成一个同轴体。新颖的同轴结构,可以保障整体电路的同轴性 ...
高大庆、杨雅清、上官靖斌、辛俊业、黄志海、夏佳文
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介绍氧化锌非线性电阻片侧面高阻层釉的研究情况.结果表明:高阻层釉配方中加入部分阀片本体中的添加剂及助熔成分后,高阻层釉浆涂于阀片生坯侧面一次烧成,具有釉面光滑,烧结致密,釉与坯膨胀系数相适应等表面特性.电阻片能够耐受4/10μs、65kA大电流冲击不闪络,荷电率0.85以上.对提高电阻片的方波通流容量起到了良好的作用.且工艺简单、烧成温度范围宽,适合于工厂大批量生产.
张素兰
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在该文中,一方面对电路参数与硅光电负阻器件的光学双稳态开关时间的关系进行了研究,另一方面对器件在低、中、高三个不同输入光强区的光学双稳态响应的变化趋势进行了研究。硅光电负阻器件包括有各种类型,该文主要对“λ”型双极光电负阻晶体管(PLBT ...
李树荣 +9 more
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高压直流输电系统的操作过电压持续时间长、释放的能量大,为提高避雷器的能量吸收能力,高压直流避雷器一般采用多柱电阻片并联的结构,柱间电流分布的均匀程度直接影响避雷器的整体能量吸收能力。本文选用国内3个避雷器生产厂家的电阻片,试验研究了电阻片整体温升及柱间温差对电流分布特性的影响。研究结果表明,当电阻片温度整体升高时,虽然不同厂家电阻片的电流分布不均匀系数随温度变化的规律具有一定的差异,但由此引起的最大电流分布不均匀系数并不会超过标准限值;当柱间温差增加时 ...
刘婉莹, 文武, 卢文浩, 王光耀
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采用一电阻层来表征键合界面处的阻抗.通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了VCSEL的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布.详细分析了键合界面阻抗对晶片键合结构垂直腔面发射激光器内部的电势分布、温度分布以及有源层中的注入电流密度、载流子浓度 ...
孙永伟 +5 more
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氧化锌是生产电阻片的主要原材料,氧化锌的理化性能对电阻片的质量起着至关重要的作用。通过对氧化锌的理化性能:主含量、杂质含量(钾、钠、铁、镉、铅)、粒度、晶型结构、水分、盐酸不溶物及金属锌含量进行测试分析。根据多年测试经验,对氧化锌测试方法及关键技术条件要求进行了可行性改进,并结合生产实际使用情况,跟踪分析电阻片质量状况,判断氧化锌理化性能要求对电阻片电性能的影响。研究表明,氧化锌中铁、金属锌及钠等杂质含量过多能使电阻片的漏流增大,铅杂质含量过多能使电阻片的方波性能下降,铜 ...
徐东, 李越, 李可菼, 王兰义
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在新型非易失性存储器中,基于电致电阻效应的电阻型存储器(RRAM)以其结 构简单、存储密度高、读写速度快、功耗低、与传统CMOS 工艺兼容性好等优点而 被广泛研究。目前发现的RRAM 候选材料很多,但没有一种材料能完全达到实用化 的要求,RRAM 电阻转变机理仍不明确,因此,开发新型存储材料、揭示RRAM 电 阻转变机制,仍是RRAM 发展的关键。 氧化石墨烯(GO)表面含有大量亲水性官能团,在水中分散性好,易于大面积 均匀成膜,通过改变含氧官能团的含量,可以调节GO 的能带结构和导电特性,因此 ...
何聪丽
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目前使金属氧化物避雷器小型化的重要手段之一就是采用高梯度氧化锌电阻片。然而,随着氧化锌电阻片梯度的提高,其电气性能参数也发生相应变化。笔者通过试验,主要研究了高梯度氧化锌电阻片小电流区域中不同温度下的电压-电流特性。通过对试验结果进行分析发现,随着温度的升高,高梯度氧化锌电阻片的电压-电流特性曲线拐点逐渐向前移动,尤其当温度超过50℃时,高梯度氧化锌电阻片的负温度系数绝对值增大,这对避雷器运行的热稳定性会产生不利影响,为高梯度氧化锌电阻片在工程中应用提出建议和意见。
马勍, 石莉敏
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采用Co、Mn、Al等元素液相掺杂,制得了高能和高压ZnO压敏电阻器,通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较,结果表明,掺同样含量Co时,液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的I-V曲线上翘,将Co的含量减半,得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ZnO压敏电阻器配方中,采用Al液相掺杂 ...
黄淑兰 +3 more
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