Results 71 to 80 of about 201,406 (148)
Dianci bileiqi, 2006 对国产直流MOA电阻片%70mm×20mm在不同温度下进行了直流小电流和雷电冲击电流V-A试验研究,结果表明,直流小电流区V-A特性曲线陡峭,呈负温特性,平均电压温度系数在20℃～50℃,为-0.00074℃-1;在50℃～80℃,为-0.00131℃-1。雷电冲击电流工作区V-A特性曲线平坦,呈正温特性,30℃～70℃时,平均电压温度系数为0.0035℃-1左右。将直流MOA电阻片和交流MOA电阻片不同温度下的V-A特性进行了对照分析,交直流电阻片在两个电流区的V-A特性在不同温度下变化趋势相近 ...
余芳, 郭洁
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一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法,包括如下步骤：步骤1：取一氮化镓LED外延片,该外延片由衬底,N型氮化镓,多量子阱,铝镓氮EBL和P型氮化镓组成；步骤2：将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元,每个单元就是一个独立的LED芯片；步骤3：对每个单元上表面的选定区域进行表面处理,使P型氮化镓的表层的中心区域形成电流阻挡层；步骤4：在每个单元上表面制作P电极,该P电极覆盖整个电流阻挡层及P型氮化镓 ...
王国宏 +4 more
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Dianci bileiqi, 2019 基于换流站直流极线近区发生对地短路,直流滤波器的F1避雷器出现的冲击电流特征,分析了多次大电流冲击对F1避雷器用电阻片的性能影响。以平高东芝（廊坊）避雷器有限公司用于F1避雷器的两种电阻片为对象,研究了多次大电流冲击对电阻片老化特性、2 ms能量吸收能力以及保护特性的影响。验证了电阻片性能满足扎鲁特—青州±800 kV特高压直流工程需求。结果表明:多次大电流冲击对电阻片的能量吸收能力、老化特性以及保护性能没有明显影响。
姚玉锁 +6 more
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Dianci bileiqi, 2005 通过掺杂氧化镍、氧化钇,对改善ZnO压敏电阻片电气特性进行了系统研究;分析和讨论了电阻片的电位梯度E、泄漏电流IL、压比Ki、方波、大电流冲击所引起的变化以及老化试验等;掺杂后,不仅提高了电阻片的电位梯度,同时还提高了其能量吸收能力;特别是钇掺杂处于晶界上,抑制晶粒长大,使晶界电压降低,大约为2.2V,是传统电阻片晶界电压的70%。研究获得了电位梯度达260V/mm,方波为800A,能量吸收能力达到300J/cm3的直径为56mm、厚度为9mm的ZnO压敏电阻片。
王玉平, 马军
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, 2017 本发明涉及一种高精度在线动态连续可调输出电源。包括：微处理器，连接模拟采集芯片和数字电位计，用于接收来自模拟采集芯片采集到的电压值，解算出电源芯片的当前电压设置管脚电阻值，通过自身SPI接口配置数字电位计；数字电位计，输出端连接运算放大器和电源芯片，用于在微处理器的配置下，改变电源芯片的电压调整管脚的电阻值；运算放大器，输出端连接模拟采集芯片，用于采集电源芯片的电压设置管脚电阻值所对应的电压值，实现电阻设置的实时监测；模拟采集芯片，用于实时采集数字电位计的输出电阻转换出的电压值 ...
杨帆, 曹云侠, 刘晓源, 罗勇
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, 2018 本文使用高分辨透射电子显微和电子衍射方法研究二硫化钼二维纳米材料薄片的微观结构。实验记录了样品在不同倾转角度下的衍射图,分析确认了衍射图中的一些衍射斑点随倾转角度加大而出现分裂的现象。本文通过一个空间几何模型来解释衍射图中衍射斑点分裂现象的成因,认为样品中含有两片互相之间有一定夹角的二硫化钼纳米薄片。两个二维纳米薄片分别对应分裂衍射斑点中的一组。经过模拟计算,得出这两片二硫化钼纳米薄片的夹二面角为156.6°(23.4 ...
王元斐 +6 more
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Dianci bileiqi避雷器用ZnO电阻片在运行中难免出现老化，这将导致电阻片电稳定性下降，影响电力系统稳定运行周期。对于ZnO电阻片老化机理以及如何提高ZnO电阻片长期运行的电稳定性成为研究热点。本次研究通过分析显微结构、物相组成、介电频谱以及电气性能探讨渗Bi热处理工艺对ZnO电阻片电稳定性的影响，构建微观本征点缺陷结构与宏观电稳定性之间的关联关系。实验结果表明渗Bi热处理工艺可以使Bi2O3相以及尖晶石相发生转变，改变氧离子的传导率，进而造成氧空位Vo•在耗尽层中的变化，这也使得渗Bi热处理电阻片晶界势垒高度ΦB达到0.
王鑫 +6 more
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Dianci bileiqi, 2005 通过对珠海电厂海斗乙线避雷器解体检查及对电阻片进行直流1mA电压U1mA和75%U1mA电压下直流泄漏电流测量试验,发现避雷器缺陷的主要原因是避雷器密封不良潮气进入,导致电阻片直流1mA参考电压降低和泄漏电压超标;额定电压选择偏低（192kV）导致电阻片荷电率偏高;避雷器外表面积污严重不均匀时导致电压分布不均匀等,从而加速了电阻片的老化以及瓷套内表面受潮。
钟定珠, 李谦, 樊灵孟
doaj
用于先进 CMOS电路的 150 mm硅外延片外延生长(英文)
, 2000 随着大规模和超大规模集成电路特征尺寸向亚微米、深亚微米发展，下一代集成电路对硅片的表面晶体完整性和电学性能提出了更高的要求。与含有高密度晶体原生缺陷的硅抛光片相比，硅外延片一般能满足这些要求。该文报道了应用于先进集成电路的150mmP/P~+ CMOS硅外延片研究进展。在PE2061硅外延炉上进行了P/P~+硅外延生长。外延片特征参数，如外延层厚度、电阻率均匀性，过渡区宽度及少子产生寿命进行了详细表征。研究表明:150mm P/P ...
王启元 +3 more
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, 2015 本发明提供了一种电阻测温量热计的测量方法，包括绝热管、固定在绝热管一端的量热片，以及填充在绝热管内的高分子化合物，其中，所述量热片朝向绝热管内部的一侧设置有金属薄膜，所述金属薄膜的两端分别连接有测量引线。上述量热计其通过将薄膜电阻即金属薄膜设置在量热片的背面，可避免热流对薄膜电阻的直接冲刷，可有效的提高薄膜电阻的阻值稳定性，且进一步的提高了测量精度和可靠性；金属薄膜为贵金属结构，因此使量热计具有更好的重复性和更高的灵敏度；且该量热计结构简单 ...
李进平, 张仕忠, 俞鸿儒
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