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Dianci bileiqi, 2013 棒形悬式复合绝缘子机械可靠性是产品最关键的性能之一,根据采用界面压接金具和芯棒互相作用的机理和特点,使用同时控制压接力和压接尺寸的UC控制压接机,在选择合适的压接模具和操作模式连接下,达到优异的机械性能。声发射技术是监测复合绝缘子压接界面结构组装性能的有效手段,能即时反馈复合绝缘子端部压接界面状态。利用压接曲线的分析应用和声发射波形的监测,来确定复合绝缘子的压接参数和监测产品界面压接的质量,极大的提高了压接界面可靠性,保证了特高压复合绝缘子产品稳定的机械性能。
刘铁桥, 何发亮, 何耀兵
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, 1999 讨论壁面有引射的滑移边界条件的提法。利用Chapman-Enskog速度分布函数，通过分析 Knudsen层外缘和壁面处的质量、动量和能量等通量守恒，得到了有壁面引射的多组元气体有催化反应的壁面滑移边界条件方程组。利用粘性激波层方程和所得的边界地钝头体绕流驻点的流场进行计算 ...
沈青, 唐锦荣, 赵静野
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四川大学学报. 自然科学版, 1989 本文以围线区域面积计算的一般算法为基础,以集合变换为理论依据,导出了围线区域面积计算的双边界法,给出了双边界法围线区域面积计算的方法和实验结果。
罗代升, 马代兴
doaj
Kongjian kexue xuebao为揭示微重力条件下PCM液桥相变过程流动特征及相变演化规律, 建立PCM液桥数理模型, 采用数值模拟的方法系统研究了不同工况下PCM液桥相变过程中固液界面的演化过程, 分析不同高径比和温差对液桥形状、固液界面演化规律、相变速度和热毛细流动的影响. 研究结果表明, 在大温差条件下热毛细流动更加强烈, 处于外部壁面处的相变材料的相变速度也会更快, 外壁处的相变界面与壁面的夹角会更小. 大的高径比条件下会有同样的效果, 同时也会产生更多的涡胞结构, 热毛细对流效果更明显.
张 永春 +6 more
doaj +1 more source
, 2001 直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度，是退火温度和时间的函数，界面反应激活能决定着成键的行为。硅片键合能随退火温度分两步增加,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能.将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较.硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大 ...
王启明, 韩伟华, 余金中
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, 2017 表面电势是微纳流控芯片中流体流动的重要参数。本文介绍了基于AFM胶体探针技术测量液固界面DLVO力并进一步测量表面电势及表面电荷密度的方法。本文改进了胶体探针制作的技术手段，并提出用双探针法测量胶体探针的弹性系数。在0.1-1mM浓度范围内的NaCl溶液中，测量了硅、二氧化硅和氮化硅液固界面双电层内的DLVO力及表面电势。实验结果表明胶体探针技术可以很好地测量液固界面的DLVO力，尤其对静电力指数变化段非常敏感。通过DLVO力曲线可以间接测量表面电势、表面电荷密度等重要参数 ...
李战华, 田维芳, 徐征, 郑旭
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, 2006 针对激光淬火基体后再镀铬复合工艺提高镀铬身管寿命的实际工程问题,采用多裂纹拉伸技术证明该复合镀铬工艺可以提高界面剪切强度,并从材料学角度给予解释.离子冲击技术对界面强度的定性分析表明:激光淬火基体在消除铬层和基体之间过渡层的同时也提高了界面附近材料的强度.化学腐蚀去基体法研究表明,铬层界面材料强度的提高是晶粒细化的结果 ...
张国祥 +4 more
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, 1996 在超高真空中用电子束蒸发在抛光的(1102)取向的蓝宝石(a-Al_2O_3)衬底上蒸镀500 nm的Ti膜,在恒温炉中退火,然后用XRD(包括一般的和小角度的X射线衍射),AES和SIMS等表面分析技术详细研究了从室温至850℃,Ti与a-Al_2O_3的固相界面反应.首次系统提出了不同反应温区相应的化学反应式,讨论了采用体材料数据作热力学计算来预言Ti/a ...
陶琨 +4 more
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渭北黄土高原刺槐林-草地景观界面土壤水分影响域及其动态变化规律研究
Shuitu Baochi Xuebao, 2007 对渭北黄土高原刺槐林—草地景观界面土壤水分影响域及其时空动态变化规律进行了研究。采用移动窗口法分析得出刺槐林—草地景观界面土壤水分影响域为林内4 m到林外12 m之间,宽度16 m,为渐变型界面,由此可将刺槐林—草地景观划分为3个区域：草地区、界面区和刺槐林区。经典统计分析表明,历经3个区域,不同层次的土壤水分在水平方向上随着水平距离梯度的变化表现出不同的上升或下降的趋势,在界面区域土壤含水量变化最为显著。基于标准差和变异系数两个指标,可将草地和林地区域土壤剖面水分垂直变化划分为4层,界面区域划分为3层。
张永 +4 more
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, 1999 该文研究了以InAlGaAs作垒层的InAlGaAs/GaAs量子阱的低压金属有机化合物化学汽相淀积(LP-MOCVD)生长及其界面特性，发现在适当生长条件下可以解决InGaAs和AlGaAs在生长温度范围不兼容的问题，得到了高质量的InAlGaAs/GaAs量子阱材料。同时用X光和低温光致发光(PL)谱研究了量子阱结构的界面特性，表明适当的界面生长中断不仅可以改善界面平整度 ...
郑联喜, 韩勤, 胡雄伟
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