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真空灭弧室主屏蔽罩电位静态测量分析

Gaoya dianqi, 1993
对中间封装式和瓷柱支撑式两种主屏蔽罩安装方式的真空灭弧室中主屏蔽罩电位进行了静态工频测试,找出了为什么中封式真空灭弧室装入整机后并不比瓷柱式真空灭弧室耐压特性优越的原因,指出在真空断路器设计中,尤其在高电压等级下,真空灭弧室的均压问题应与整机总体设计同时考虑。
王承玉, 王季梅
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AMF与TMF高频磁场特性仿真对比分析

Gaoya dianqi, 2021
真空灭弧室的灭弧性能与真空灭弧室触头的磁场特性密切相关,其中纵向磁场(AMF)灭弧技术与横向磁场(TMF)灭弧技术应用最为普遍。基于人工零点的高压直流真空断路器,引入高频震荡电流帮助开断,为了分析真空断路器开断高频电流情况下的磁场特性,文中建立了两种类型的触头结构进行有限元仿真,对比分析真空灭弧室磁场特性以及触头片涡流情况。结果表明:在高频电流开断情况下,横磁结构触头与纵磁结构触头相比有更好的磁场特性分布;触头片涡流是影响纵磁结构触头磁场特性恶劣的关键因素,而对横磁触头间隙磁场特性几乎没有影响。
李如春, 淡淑恒, 夏欣, 朱小贤, 孔钦   +4 more
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荷兰Holec公司的中压真空断路器

Gaoya dianqi, 1998
Holec公司生产中压真空断路器已有30年以上的历史。它生产的真空灭弧室和真空断路器独具特色。 它的真空灭弧室结构特别。该公司采用软磁性的马蹄形铁片在触头表面形成纵磁场。这保证了直至开断最大短路电流时的真空电弧为扩散型电弧,触头表面烧损微小。 Holec公司制定有专用的真空试验方法。将每个灭弧室置于充100％惰性气体的罐内。只有当每个灭弧室内的真空度与试验前的数值相等时,才合用。
李建基
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真空灭弧室中封强度试验的力学计算

Gaoya dianqi, 1996
当真空灭弧室（特别是玻璃真空灭弧室）受到横向作用力时,其中封部位最易损坏。以玻璃真空灭弧室为例,对其受到横向力及承受横向振动或冲击时中封部位的受力情况进行了分析和计算,其结果可用以指导灭弧室中封强度试验及考柱规范的确定。
倪世龙
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老炼方式对40.5kV真空灭弧室投切背对背电容器组的影响

Gaoya dianqi, 2017
为了降低真空灭弧室在投切背对背电容器组时的重燃率,文中采用试验的方法,研究了电压老炼、电流老炼和纳秒脉冲老炼对40.5 kV真空灭弧室投切背对背电容器组的影响,得出了老炼方式对40.5 kV真空灭弧室投切背对背电容器组的影响。纳秒脉冲老炼可以比较均匀的覆盖整个触头表面,而电压老炼和电流老炼只能覆盖触头表面的局部。纳秒脉冲老炼的真空灭弧室一次性通过投切背对背电容器组试验,电流老炼的真空灭弧室完成16次投切背对背电容器组试验后发生重燃,电压老炼的真空灭弧室完成一次投切背对背电容器组后300 ms发生重燃。
李敏, 王南南
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基于永磁操动机构的混合断路器开断能力探讨

Gaoya dianqi, 2011
论述了基于真空灭弧室和SF6灭弧室串联的混合断路器开断过程,探讨了真空灭弧室与SF6灭弧室对开断能力提升的协同作用,结合混合断路器开断能力提高的机理分析了混合断路器对其操动控制机构的要求。最后设计了一种基于真空断路器与SF6断路器串联的光控模块式混合型断路器实验模型,实验模型采用永磁操动机构解决真空灭弧室和SF6灭弧室的协调问题,可使混合断路器的开断性能得到较好的发挥。
程显, 廖敏夫, 段雄英, 邹积岩, 邱卫东   +4 more
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基于正交设计的真空灭弧室电场特性分析

Gaoya dianqi, 2023
采用有限元法对12 kV真空灭弧室的电场特性进行了单因素分析，结合SPSS软件对其进行了正交回归分析，选取触头圆倒角、触头开距、主屏蔽罩半径、主屏蔽罩卷边半径、主屏蔽罩卷边角度和主屏蔽罩坡度这6个主要参数进行综合优化研究。得到了电场特性和设计参数之间的回归方程，找出了影响电场特性的显著因素。研究结果表明：触头圆倒角和触头开距对真空灭弧室典型点的电场强度有高度显著影响，主屏蔽罩半径对真空灭弧室典型点的电场强度有显著影响；触头圆倒角和触头开距对真空灭弧室触头处最大电场强度有显著影响 ...
王文成, 张朋, 李秀峰, 李平安, 常锦涛   +4 more
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X射线法评估灭弧室真空度的可能性研究

Gaoya dianqi, 2015
笔者主要针对目前中压开关设备中使用非常广泛的真空灭弧室,研究其X射线吸收剂量率与真空度的关系,探讨以X射线吸收剂量率作为参量评估真空灭弧室的真空度的可能性。实验结果表明,经过电压老炼的真空灭弧室,在真空度低于10-2Pa时,也可能通过工频耐压试验,但其X射线发射的起始平均电场强度显著降低。因此X射线测量可与工频耐压试验配合进行,以检测出可通过耐压、但真空度已低于10-2Pa的灭弧室。
郭丽萍, 王德忠
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72.5kV真空灭弧室电位和电场分布研究

Gaoya dianqi, 2012
为分析72.5 kV真空灭弧室的电位分布和电场分布及其影响因素,建立了其轴对称有限元分析模型,计算了其电位分布和电场分布,研究了真空击穿的面积效应,并分析了主屏蔽罩的结构尺寸及多个屏蔽罩对真空灭弧室内部电场分布的影响。结果表明:真空灭弧室动静触头之间、触头和屏蔽罩之间的电位变化比较显著,灭弧室内部电场分布不均匀;随着触头间隙距离、触头半径及倒角部分曲率半径的增大,触头表面有效面积将增大,而灭弧室内部最大场强将有所减小;增大主屏蔽罩的半径和长度,可以使屏蔽罩两端的场强有所减小,在真空灭弧室内安装多个屏蔽罩,
邱志斌, 黄道春, 阮江军
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真空灭弧室生产工艺对灭弧室小型化发展的影响

Gaoya dianqi, 2003
对真空灭弧室生产方式、发展进程及不同生产工艺对灭弧室小型化发展的影响进行了分析,说明了真空灭弧室向小型化方向发展的意义。
王政, 费广成, 刘颖
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