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, 2000 本实用新型涉及表面多弧离子镀膜装置。它由在真空室中密封安装通入气体的机构,真空室壁接地为阳极,其上安装至少一个欲镀材料的电弧蒸发源靶,并与直流电源的阴极相连接;在真空室底部有一放置工件的支架,支架下有向工件提供加热的机构和偏压的电源,在所述的真空室内电弧蒸发源靶下方安置至少一个直线型磁场线圈,和所述的支架下向工件提供偏压的电源是脉冲偏压的电源/直流偏压的电源 ...
张勇, 曹尔妍, 李成明
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新型45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧源系统的磁场模拟计算和ta-C薄膜动力学生长研究
, 2010 具有离化率高、沉积速率高、技术成熟等优点的阴极真空电弧沉积技术,目前是制备高性能ta-C薄膜的主要方法之一。然而，薄膜中宏观大颗粒共沉积引起的污染、残余应力高、膜基结合力差等，严重制约了ta-C薄膜的广泛应用。采用不同结构的磁过滤弯管目前被认为是解决上述问题的最有效方法，而磁过滤阴极真空电弧系统中磁场分布对于控制阴极弧斑稳定运动和等离子体高效传输起着关键作用。本论文采用ANSYS软件对新型45双弯曲磁过滤阴极真空电弧沉积系统中磁场分布进行了模拟计算，结合电弧源弧斑运行稳定性 ...
李洪波
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, 2004 本发明属涉及表面多弧离子镀膜装置和方法，它包括在真空室内装有通入反应气体用的机构和安装蒸发源靶，真空系统连接在真空室，真空腔接地为阳极；直流电源的阴极与蒸发源靶相连接，阳极与真空腔连接接地；在真空室底部有一支架，支架下有加热元件并连接加热电源，还包括一个磁场电源，和在电弧蒸发源靶下方安置磁场线圈；磁场电源与磁场线圈电连接，一磁场直流电源和脉冲电源各自一端连接一开关，另一端与蒸发源靶的直流电源电连接，又与真空腔连接接地 ...
张勇, 曹尔妍, 李成明
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, 1998 选择四种不同培养液，控制温度、pH和Ca＋＋Mg＋＋离子的不同水平，进行蛭弧菌HD94－12－7对河流弧菌WY91－24－3的裂解实验，结果表明，在灭菌蒸馏水、灭菌自来水、灭菌池塘水及Trisbuffer培养液中蛭弧菌HD94－12－7均表现出良好的裂解活性；温度在20—35℃时，蛭弧菌的裂解活性最大，低于15℃时，蛭弧菌的裂解能力明显减弱；pH值在6.5—8．1之间，蛭弧菌的裂解强度最大，pH低于5．6或高于8．1时，不利于蛭弧菌的生存。Ca＋＋，Mg ...
李戈强,章勇良,徐伯亥
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, 2015 短周期任务的航天器,在任务结束后要放掉工质,以减轻重量,提高安全性和可靠性。基于两相混合流动及液体闪蒸、闪蒸波理论,结合压力突降过程液态全氟三乙胺闪蒸试验,对1/6 g重力、高真空环境排放流体回路管道内液态全氟三乙胺工质的过程进行分析。结果表明,全氟三乙胺工质向真空排放时会发生闪蒸,回路系统内液体工质的排放时间主要取决于压力排放段、重力辅助排放段和闪蒸波传播段;其中,仅重力辅助排放段依赖于重力,闪蒸波传播段时间最长;试验观测闪蒸波在内径9 mm塑料管内的传播速度为0.23 m/s,比Sim■es ...
赵建福, 徐侃, 郑红阳, 宁献文
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, 2010 本实用新型公开了一种阴极真空电弧源薄膜沉积装置，包括具有高速传输等离子与有效过滤宏观大颗粒的磁性过滤部分，该磁性过滤部分包括管体与设置在管体外部周缘的磁场产生器，管体包括管体入口端面和管体出口端面，管体入口端面与管体出口端面之间至少有一个弯管，并且该弯管两侧管体的轴线之间的夹角为135°。与现有技术相比，本实用新型的阴极真空电弧源薄膜沉积装置可以实现有效过滤宏观大颗粒，同时高速传输等离子体，从而提高了薄膜的质量与沉积速率。通过本实用新型的阴极真空电弧源薄膜沉积装置可以高速沉积薄膜 ...
李洪波, 柯培玲, 汪爱英
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Gaoya dianqi, 2010 在真空开关向高电压方向发展的背景下,高电压真空灭弧室触头间长真空间隙的绝缘特性成为关键问题之一。Slade提出了临界击穿场强理论,解释了真空中平板电极间直流电压临界击穿场强及其与开距的关系。笔者以临界击穿场强理论为基础,以126 kV真空灭弧室触头间隙为研究对象,将临界击穿场强理论应用于长真空间隙（开距60 mm）和交流电压（工频50 Hz）情况下,得到了高电压真空灭弧室触头间长真空间隙的工频临界击穿场强与触头开距的关系。
刘志远 +5 more
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, 2013 本发明主要涉及电真空设备的制造方法，尤其涉及一种可以在高频交流电场或交变磁场下使用的真空管道的制造方法。一种薄壁真空管道的制造方法，包括制管、卷边、设置加强筋等多个步骤，还提供一种由制成的真空管道制造真空室的制造方法，包括焊管、制造液压波纹管装置等工艺，用此工艺程序、参数和方法匹配制造出的薄壁真空管道，整个真空管道尺寸大、通体薄壁，能够满足在高频交流电场或交变磁场下使用要求。
张军辉 +7 more
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