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, 2016 以某冶炼厂氰化尾渣为研究对象,在富集硫铁的同时去除部分砷。以H_2SO_4作为硫活化剂,采用腐殖酸钠和Ca(ClO)_2组合砷抑制剂对该氰化尾渣进行浮选实验。浮选结果显示,精矿中硫品位可达到48%以上,同时砷品位降低到0.2%以下。结合SEM和XRD分析手段对该浮选结果进行分析,研究了氰化尾渣中砷的赋存状态,并对氰化尾渣中硫砷难以分离的原因进行了初步探讨。
付国燕 +5 more
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Gongye shui chuli水体中的镉、砷等重金属污染严重威胁人类的健康安全，其中镉/砷复合污染去除难度更大。通过水中镉/砷复合污染去除试验，探究机械力活化方解石复合硫酸亚铁去除镉/砷复合污染的性能，发现机械力活化方解石可显著提升水中镉/砷复合污染的去除效果。试验结果表明，活化方解石复合硫酸亚铁在30 min内对溶液中镉、砷离子的去除率可达到99%以上。采用SEM-EDS、XRD、XPS等方法对活化方解石复合硫酸亚铁高效去除水中镉/砷复合污染机理进行研究，结果表明，方解石在机械力活化的作用下改变了自身的结晶度和溶解活性 ...
苗艳晖 +4 more
doaj +2 more sources
, 1991 本文着重研究了氧化亚铁硫杆菌（万年2号）对砷黄铁矿和黄铁矿单矿物的氧化规律及其性能之差异，考究其对砷的适应能力及表面活性剂的影响，以求为强化细菌氧化提金工艺提供有用的数据，探索强化细菌氧化浸出的可能途径。经过研究，发现砷对氧化亚铁硫杆菌的生长有较大的抑制作用。木质素磺酸钙浓度较高时对细菌的生长也有抑制作用，低浓度时则对砷黄铁矿的氧化有一定的促进作用氧化亚铁硫杆菌对砷黄铁矿的氧化速率明显快于黄铁矿，前者可达0.2g FeAsS/1·h，大约7倍于黄铁矿的氧化速率 ...
石伟
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, 1999 在返回式卫星上搭载生长砷化镓单晶，Hall分析表明空间生长的砷化镓单晶呈半绝缘特性。空间生长的半绝缘砷化镓单晶的结构特性得到了明显改善，均匀性提高。与地面生长的半绝缘砷化镓单晶相比，空间生长的半绝缘砷化镓单晶的化学配比及其均匀性得到了显著改善。以空间生长半绝缘砷化镓单晶为基底，采用直接离子注入工艺制造的模拟开关集成电路的特性好于地面材料 ...
山田正良 +4 more
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Zhejiang Daxue xuebao. Lixue ban, 2017 采用蛋白核小球藻（Chlorella pyrenoidosa）进行无机砷毒性暴露实验，分析As(III)和As(V)对蛋白核小球藻光合活性的影响差异.结果表明：该藻对无机砷具有较强的耐受性，在砷浓度大于37.5 mg • L-1暴露条件下，小球藻叶绿素a合成、光系统II(PSII)最大光量子产量(Fv/Fm)、实际光量子产量(Yield)及相关参数与无机砷浓度呈显著负相关，As(III)对小球藻光合活性抑制作用显著高于As(V).
XULiping(许荔萍) +3 more
doaj +1 more source
Gongye shui chuli, 2017 采用沉淀法-电絮凝法-气浮法-膜分离法四段组合工艺对含砷废水进行处理，原水含砷180~230 mg/L，经该工艺处理后出水含砷<0.03 mg/L，去除率>99.9%。工程运行实践证明：该系统运行稳定、处理效果高，产出的清水用作生产用循环冷却水，大大降低了生产成本。
柳廷龙 +7 more
doaj +2 more sources
, 2014 对经热水浸出的高砷烟道灰水浸液进行锌砷分离,基于单独使用Fe_2(SO_4)_3和CaO除砷的实验结果,提出了Fe_2(SO_4)_3-CaO耦合分离锌砷工艺.结果表明,在溶液pH=2、摩尔比H_2O_2/As~(3+) 1.3:1, Fe~(3+)/As~(5+) 1:1.5, Ca~(2+)/As~(5+) 1.5:1及反应温度70℃、反应时间1.5 h的条件下,砷脱除率超过80%,锌没有损失 ...
王倩倩 +7 more
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三氧化二砷联合硼替佐米诱导多发性骨髓瘤RPMI8226细胞株凋亡及相关机制的研究
Zhongguo shiyan zhenduanxue, 2012 目的本研究旨在探讨三氧化二砷与硼替佐米联合应用对多发性骨髓瘤（Multiple myeloma,MM）细胞株RPMI8226细胞凋亡的影响及其相关机制。方法 CCK-8法检测三氧化二砷与硼替佐米联合应用对RPMI8226细胞增殖的抑制作用;采用流式细胞术检测两种药物诱导RPMI8226细胞凋亡情况及各药物组处理前后的细胞表面死亡受体4（death receptor 4,DR4）和死亡受体5（death receptor 5,DR5）表达的变化;Western blot检测各药物组Bcl-2 ...
Aadil Yousif +5 more
doaj
Ç nar ve Giresun Ç nar Dergisi üzerinde bir inceleme
, 2020 viii, 122 s. ; 28 cm.
openaire +1 more source
本发明涉及六种采用量子点材料为有源区的砷化镓基短波长超辐射发光二极管。这六种砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管包括砷化镓铝铟/砷化镓铝(InAlGaAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铝铟/砷化镓铝(InAlAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、啁啾结构砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs ...
李新坤, 王占国, 梁德春, 金鹏
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