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一种对Ⅲ-Ⅴ氮化物进行n型和p型掺杂的方法

open access: yes
本发明公开了一种对III-V氮化物进行n型和p型掺杂的方法,在蓝宝石、SiC、GaN等衬底上外延生长的n型和p型III-V族氮化物,使用SiH4和/或Cp2Mg作为掺杂剂,使用交替供源气体的方式来实现n型和p型的有效掺杂。利用本发明,实现了利用Si和Mg对III-V氮化物进行n型和p型的有效掺杂,不但能够改善材料的晶体质量,降低材料的位错,而且能够提高III-V氮化物的n型和p型的掺杂效率和浓度。在提高了n型和p型III-V氮化物的掺杂效率和浓度之后 ...
李晋闽   +6 more
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锰离子控制掺杂二氧化钛薄膜光催化活性增强的机理探讨

open access: yes, 2005
采用溶胶-凝胶法通过工艺控制制备了锰离子以不同形式掺杂TiO2的光催化剂薄膜,并通过XPS和SEM对薄膜的结构进行表征.通过UV-Vis分光光度计及电化学工作站表征了薄膜的光吸收性能和光电化学性能,通过甲基橙溶液的光催化降解脱色率来表征催化剂薄膜的光催化活性.结果表明,以锰离子MT掺杂方式制备的TiO2薄膜可明显增强TiO2的光催化活性,而以MM掺杂方式制备的TiO2薄膜反而降低了TiO2的光催化活性;锰离子MT掺杂方式的最佳掺杂质量分数为0.8%.催化剂薄膜的电化学行为显示,薄膜具有p ...
王俊刚, 徐伟, 李新军, 郑少健
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液相掺杂对ZnO压敏电阻器性能的影响

open access: yes, 1998
采用Co、Mn、Al等元素液相掺杂,制得了高能和高压ZnO压敏电阻器,通过与氧化物掺杂制得的电阻进行比较,结果表明,掺同样含量Co时,液相掺杂的高能压敏电阻器大电流区的I-V曲线上翘,将Co的含量减半,得到了性能全面优于氧化物掺杂的高能压敏电阻器。在高压ZnO压敏电阻器配方中,采用Al液相掺杂 ...
黄淑兰   +3 more
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降低立方氮化硼薄膜应力的方法

open access: yes, 2010
一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:取一硅衬底;步骤2:将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上,用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶,硅靶作为掺杂源;步骤3:将衬底加热;步骤4:离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子源,主离子源采用Ar+离子轰击硼靶与硅靶,同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击衬底,使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜;步骤5:在离子束辅助沉积系统中将衬底降温;步骤6:取出制备后的衬底,进行应力参数测试 ...
范亚明   +3 more
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Mo的掺杂方式对TiO_2光催化活性的影响

open access: yes, 2004
通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验表明,钼的最佳掺杂方式为在薄膜底层掺杂,在表层及体相掺杂的效果均比未掺杂的TiO2差;其中以Mo的摩尔分数为1.0%、在薄膜底层掺杂时TiO2薄膜的光催化活性最佳 ...
陈俊涛   +4 more
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