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本发明提供了一种金属掺杂非晶碳薄膜温度传感元件。该温度传感元件由基体、金属掺杂非晶碳薄膜、电极组成,金属掺杂非晶碳薄膜位于基体表面,电极位于金属掺杂非晶碳薄膜表面。与现有的温度传感元件相比,该薄膜温度传感元件的TCR值和电阻率可调控,能够同时具有高TCR值与优异机械性能及摩擦学性能 ...
郭鹏 +5 more
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MOCVD生长碳掺杂GaAs/AlGaAs大功率半导体激光器
利用低压金属有机金属化合物汽相淀积方法,以液态CCl_4为掺杂源生长了高质量C掺杂GaAs/AlGaAs材料,并对生长机理、材料特性以及C掺杂对大功率半导体激光器的影响进行了分析。在材料研究的基础上生长了以C为P型掺杂剂的GaAs/AlGaAs/InGaAs应变量子阱半导体激光器结构,置备了高性能980 ...
马晓宇 +8 more
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[Advances in enrichment and separation of cis-diol-containing compounds by porous organic frameworks]. [PDF]
Zhang A, Zhang J.
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本发明提供一种光纤预制棒的掺杂装置及掺杂方法,其包括加热系统、传输系统和改进的化学气相沉积系统。加热系统包括加热蒸发罐、连通加热蒸发罐的进气导管和出气导管,传输系统包括加热保温传输管和加热保温板,用以通入高纯氧气的氧气管和出气导管分别接入设有相应接口的加热保温传输管中;加热保温传输管的输出端与改进的化学气相沉积系统的旋转部分连通,各个加热蒸发罐内装有不同的有机金属螯合物;其中,至少有一个加热蒸发罐内的有机金属螯合物作为掺杂剂。应用本掺杂装置可以实现全气相掺杂,全程保温,使气体不易凝结 ...
林傲祥 +7 more
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NiF2掺杂LiBH4-LiNH2-CaH2复合储氢材料及其制备方法
本发明涉及一种NiF2掺杂LiBH4-LiNH2-CaH2复合储氢材料的制备方法,特别是利用NiF2掺杂改善LiBH4-LiNH2-CaH2体系放氢性能的储氢材料及其制备方法,属于改性技术领域。该复合材料通过机械球磨法制备而得,当NiF2掺杂量为5wt%时,体系在47°C开始大量放氢,主放氢峰温度为234℃,175℃时5000s内放氢量达到了3.75wt%,5h内放氢5.03wt%,200℃时5000s内放氢量达到了6wt%,270℃时1000s内放氢量达到了6.55wt ...
刘慧 +5 more
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[Field-amplified sample injection and graphene quantum dot dual preconcentration in the analysis of melamine and dicyandiamide by capillary electrophoresis]. [PDF]
Li C, Wang Q, Zhang Z.
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本发明涉及一种掺杂剂辅助的电离源,这种电离源利用了紫外灯照射掺杂剂电离产生的电子以及照射载气产生的光化学反应。它包括两部分:紫外光源和内装填有掺杂剂的容器。紫外光照射易电离的掺杂剂能够产生低能量的光电子。光电子可以吸附到载气中光化学产生的O3上得到O3-,O3-或其水合离子O3(H2O)n可以和空气中存在的大量CO2反应生成CO3-(H2O)n(n=0-3)。CO3-(H2O)n可以作为试剂离子和待测物发生反应,使待测物电离形成产物离子。将掺杂剂辅助的电离源用于离子迁移谱 ...
陈创 +5 more
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一种加入多种掺杂剂提高离子迁移谱仪识别检测的装置及方法,此装置由两个多通路切换切换阀、一个进气口、一个出气口、多个掺杂剂腔体及掺杂剂瓶组成。当选择加入掺杂剂1时,将切换阀1切换至切换阀1的1号位置,同时切换阀2切换至切换阀2的1号位置即可;如需切换选择加入掺杂剂2时,将切换阀1切换至切换阀1的4号位置,同时切换阀2切换至切换阀2的4号位置先进行气路的吹扫清洗,然后将切换阀1切换至切换阀1的2号位置,同时切换阀2切换至切换阀2的2号位置即可。利用多种不同掺杂剂对应的数据库来共同进行实际样品的分析和识别 ...
王卫国 +7 more
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Pathogenesis and preventions of denture stomatitis. [PDF]
Yang F, Yang Y, Lin M, He X, Yang Y.
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首次细致地研究了InAs量子点中直接掺杂Be对其发光特性的影响。光致发光(PL)谱的研究表明,较低掺杂浓度时,发光峰蓝移,同时伴随着发光谱线窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响,发光强度明显变弱 ...
宁东 +6 more
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