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, 2009 本发明属于介孔碳材料，具体涉及一种高比表面积的过渡金属掺杂的介孔碳材料的制备方法。其以过渡金属掺杂的高分子为碳化前驱物，以嵌段聚合物为成孔剂，利用两者在易挥发的溶剂中形成的超分子自组装结构，于固化剂存在下，在一定的温度下固化，形成过渡金属掺杂的高分子介观结构。通过在惰性气氛下焙烧除去成孔剂，可以制备过渡金属掺杂的介孔高分子材料。将制得的过渡金属掺杂的介孔高分子材料在惰性气氛下高温碳化，得到过渡金属掺杂的介孔碳材料 ...
包信和, 王春雷, 马 丁
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, 2008 研究了In掺杂n型ZnO体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、X射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行了分析.掺In后容易获得浓度为10~(18)～10~(19)cm~(-3)的n型ZnO单晶,掺入杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,ZnO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In ...
董志远 +4 more
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Dianci bileiqi, 1988 日本富士公司发展了一种氧化锌阀片,其中的添加剂用氧化镨代替氧化铋。显微结构中没有引入锑而形成的尖晶石,呈现二相结构。这种结构提高了阀片的有效截面,使伏安特性、通流能力及寿命得以提高。硼掺杂使阀片边缘晶粒减小,使边缘电流密度减小 ...
doaj
一种深能级杂质掺杂的晶体硅红外探测器,包括：一硅或SOI衬底；一第一掺杂层,制作在硅或SOI衬底上；一第二掺杂层,制作在第一掺杂层上；一迎光面介质钝化层,制作在第二掺杂层上；一第一金属电极,为E字形结构,该第一金属电极制作在第二掺杂层上；一第二金属电极,为E字形结构 ...
毛雪, 韩培德
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, 2014 一种可恒温的掺杂剂组件装置。由本体、上盖、密封圈和掺杂剂玻璃瓶构成。本体是一个可放置掺杂剂玻璃瓶的顶端开放式腔体，该腔体上下端分别连接着一个进气管和一个出气管，本体底部嵌入一个加热棒和一个温度传感器，本体顶端外壁有外螺纹；上盖内壁有内螺纹，上盖内嵌了密封圈；本体与上盖之间通过螺纹而连接在一起，并通过上盖内嵌密封圈来实现密封。通过本体的加热棒、温度传感器等控制单元来控制组件装置的温度并保持恒温，空气通过本体的进气管进入，流经掺杂剂玻璃瓶并与渗透出来的掺杂剂混合，经本体的出气管流出 ...
李京华 +3 more
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, 2002 利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢烯释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量，并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响。发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合，说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用，估算了陷阱能级的位置。曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降，而且还有所上升，薄膜的光敏性有所改善。很可能曝光过程引起了硼受主的退激活，导致费米能级向导带边移动，使有效地复合中心减少 ...
徐艳月 +5 more
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[Research advances on conductive hydrogels and their applications in the repair of diabetic wounds]. [PDF]
Zhonghua Shao Shang Yu Chuang Mian Xiu Fu Za Zhi, 2023 Lyu Y, Chu WL, Chen Y, Li YJ, Ma XL.
europepmc +1 more source
, 2007 硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为重掺杂效应使带隙收缩,另一方面,B的引入还会部分补偿Ge引起的应变,从而改变应变引起的带隙变化.在重掺B的应变SiGe能带结构研究中,采用半经验方法,考虑了B的应变补偿作用对能带的影响,对Jain-Roulston模型进行修正 ...
王启明, 薛春来, 姚飞, 成步文
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Gongye shui chuli以多孔六方氮化硼（p-BN）和PbO2共掺杂制备具有疏水外层的p-BN@β-PbO2电极，并用于电化学氧化降解盐酸强力霉素（DC）。利用SEM、EDS、XRD表征了电极的形貌及组成，通过LSV、CV和EIS测定了电极的电化学性能，并探讨了电压、DC初始浓度、pH、电解质类型及浓度等因素对DC降解效果的影响，分析了DC的降解机理。结果表明，具有疏水外层修饰的p-BN@β-PbO2电极具有较高的析氧电位，更不容易发生副反应，对污染物的降解属于间接氧化，且10% p-BN@β ...
潘云川 +7 more
doaj +2 more sources
, 2006 采用溶胶-凝胶法通过分步控制工艺制备了镍离子不同掺杂方式的TiO2薄膜.通过甲基橙的光催化降解动力学来表征其光催化活性.结果表明：镍离子非均匀掺杂在掺杂量0.5%时可以明显增强TiO2的光催化活性,而均匀掺杂提高TiO2的光催化活性较小.光电化学表征结果显示：镍离子非均匀掺杂TiO2薄膜的瞬时光电流信号较强,说明其光生载流子易于生成且分离效果较好;循环伏安曲线表明,光照时Ni非均匀掺杂的TiO2薄膜改变了体系的氧化还原电位,说明了薄膜内建电场的建立.基于半导体的P ...
徐刚, 于华, 李新军, 郑少健
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