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, 2003 发现PECVD生长的系列掺杂氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜中纳米硅晶粒（nc-Si）有择优生长的趋势。用Raman、XRD、AFM、HRTEM等方法研究其微观结构时发现：掺磷的nc-Si:H薄膜XRD峰位的二倍衍射角约为33~°。掺硼nc-Si:H薄膜的XRD峰位的二倍衍射角约为47~°。用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析得到：较高的衬底温度引起序参量改变，使掺磷nc-Si:H薄膜中nc-Si的晶面择优生长。适当的电场作用引起序参量改变，导致掺硼nc-Si:H薄膜在一定的身由能密度范围内nc ...
李国华 +3 more
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, 2003 利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）生长的系列掺硼氢化纳米硅（nc-Si:H）薄膜中纳米硅晶粒（nanocrystalline silicon，简称nc-Si)有择优生长的趋势。用HRTEM、XRD、Ramam等方法研究掺硼nc-Si:H薄膜的微观结构时发现：掺硼nc-Si:H薄膜的XRD只有一个峰，峰位在2θ≈47°，晶面指数为（220），属于金刚石结构。用自由能密度与序参量的关系结合实验参数分析掺硼nc-Si:H薄膜择优生长的原因是：适当的电场作用引起序参量改变 ...
李国华 +5 more
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, 2015 本发明提供一种掺杂类金刚石薄膜的制备方法，其包括如下步骤：a根据第一性原理计算模拟金属原子与碳原子的成键特征，筛选出与碳原子具有反键特征的掺杂金属元素；b通过离子束法形成类金刚石薄膜，并在类金刚石薄膜的成膜过程中通过磁控溅射法向所述类金刚石薄膜掺杂至少一种该掺杂金属元素，得到掺杂类金刚石薄膜，其中该掺杂金属元素的原子百分含量为0.13％～40 ...
徐胜 +5 more
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Gongye shui chuli对硝基苯酚废水具有高化学需氧量（COD）、生物危害性和难降解性等特点，采用传统方法难以高效处理。利用硼掺杂金刚石（BDD）薄膜电化学氧化法降解对硝基苯酚。考察了电流密度、溶液流量和对硝基苯酚初始质量浓度对对硝基苯酚降解效果的影响，发现随着电流密度、溶液流量增大，对硝基苯酚去除率增加；而随着对硝基苯酚初始质量浓度增加，对硝基苯酚去除率反而减小。利用叔丁醇和甲醇作猝灭剂验证羟基自由基（·OH）和硫酸根自由基（SO4·-）的活性作用，发现添加叔丁醇和甲醇猝灭剂后，对硝基苯酚去除率从99.5%下降至76.2 ...
江晶, 崔兆伦, 张楚燕, 黄楠
doaj +2 more sources
, 2004 通过溶胶凝胶法制备了以不同方式和不同浓度掺Mo的TiO2薄膜。通过X射线衍射(XRD)、UV—VIS透射光谱、电化学阻抗谱分析了Mo对TiO2薄膜晶粒结构、光吸收性能、阻抗的影响。甲基橙光催化降解实验表明，钼的最佳掺杂方式为在薄膜底层掺杂，在表层及体相掺杂的效果均比未掺杂的TiO2差；其中以Mo的摩尔分数为1．0％、在薄膜底层掺杂时TiO2薄膜的光催化活性最佳 ...
陈俊涛 +4 more
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复合绝缘子芯棒用高导热环氧树脂氮化硼复合材料表面耐电痕特性研究
Dianci bileiqi超/特高压输电线路复合绝缘子运行环境恶劣，运行过程中承受着电、热、力多场耦合作用，加之复合绝缘子芯棒环氧树脂材料自身热导率低，致使局部积累的热量难以快速消散，极易引起复合绝缘子异常发热，导致其绝缘过早失效。因此制备具有高导热性能环氧树脂对提升复合绝缘子可靠性，并延长其使用寿命具有重要意义。文中选取微、纳米BN粒子作为导热填料，制备了不同微米、纳米掺杂比例下环氧树脂复合材料，测试了不同微纳掺杂下环氧树脂复合材料的电、热性能，获得了复合材料沿面放电及电痕破坏特性，并分析了微纳米氮化硼粒子掺杂对环氧树脂电 ...
刘会斌 +11 more
doaj
, 2015 本发明公开了一种氮掺杂多孔碳薄膜的制备方法，采用磁控溅射的方法，以富碳材料作为溅射靶材，以氮气或者氮气与氩气的混合气体作为溅射气氛，以金属、无机半导体材料或无机绝缘材料作为衬底制备氮掺杂碳膜，所述衬底温度为20～500℃；在真空、氮气气氛或惰性气氛中，在300～1000℃下，氮掺杂碳膜经热处理10秒～20小时后，得到所述的氮掺杂多孔碳薄膜材料。本方法无需模板，不消耗有机溶剂，简单易行；本方法制备的氮掺杂多孔碳薄膜材料具有N含量、孔尺寸可调的特点，N含量最高可达30 ...
曹鸿涛, 陈浩, 诸葛飞
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, 2014 本发明涉及一种用于糖蛋白富集的纳米金掺杂整体材料的制备。所述的纳米金掺杂整体材料是以甲基丙烯酸缩水甘油酯（GMA）和聚乙二醇二丙烯酸酯（PEGDA）作为单体，采用原位聚合的方式，得到亲水性聚合物整体材料基质。然后利用基质表面的环氧基团，采用化学衍生法，使基质表面富含巯基，从而，修饰纳米金颗粒；最后在基质中纳米金表面共修饰巯基苯硼酸和巯基乙胺，基于苯硼酸亲和色谱法富集糖蛋白。本发明的材料借助了单体聚乙二醇二丙烯酸酯的亲水性，降低了基质材料对蛋白质的非特异性吸附，提高了富集选择性 ...
梁玉 +4 more
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本发明公开了一种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，该方法包括；选用Si(001)单晶作为衬底；用B靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，在该B靶上覆盖有一位置可调的Si靶作为Si掺杂立方氮化硼薄膜生长的掺杂源；采用两个考夫曼宽束离子源沉积Si掺杂立方氮化硼薄膜，主离子源采用Ar+离子轰击B靶和Si靶，同时以Ar+及N2+的混合离子束作为辅助离子源轰击薄膜；对制备的Si掺杂立方氮化硼薄膜在N2保护下进行高温快速热退火。本发明提供的这种制备n型掺杂的立方氮化硼薄膜的方法，过程简单、成本低 ...
范亚明, 应杰, 张兴旺
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, 2016 本发明涉及一种碳纤维热塑复合材料的焊接方法及其中所用到的掺杂树脂，属于复合材料连接固定技术领域。该掺杂树脂包括基体材料和掺杂材料，所述基体材料为透明的热塑性树脂，所述掺杂材料为能够吸收光能转换为热能的有色颗粒，所述掺杂材料在所述掺杂树脂中的体积百分比为0.01％-1％。该掺杂树脂可用做碳纤维热塑复合材料焊接的填充树脂，在焊接时，于待焊接的碳纤维热塑复合材料之间填充一层上述掺杂树脂，并以激光照射该掺杂树脂，激光束在此掺杂树脂内部传输，被该掺杂树脂吸收形成一条热源带 ...
王强 +4 more
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