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Gongye shui chuli电容去离子（CDI）是一种低能耗、环境友好的苦咸水脱盐技术，但其性能仍受限于碳基电极的电导性、孔结构、界面润湿性和稳定性。本文以壳聚糖为碳/氮源，氧化石墨烯（GO）为导电支架，硼酸和铁盐分别作为杂原子调控剂和造孔辅助剂，构筑了B/N共掺杂石墨烯增强多孔碳电极（HGBC）。GO有助于形成连续导电骨架并抑制碳层堆叠，硼酸与Fe源协同调控碳骨架结构和表面极性，利于碳化和酸洗过程中Fe释放及介孔结构形成。所得HGBC具有分级微/介孔网络、优异亲水性和低电荷传输阻抗。在1 mol/L NaCl中表现出88 F ...
刘建允 +5 more
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Gongye shui chuli, 2015 采用硼掺杂金刚石(BDD)膜电极对氨氮废水进行处理,重点探讨了氨氮的氧化机理。结果表明:碱性条件下,氨氮在BDD电极上可直接氧化,其氧化率达6%。在氯离子存在条件下,氨氮氧化以间接氧化为主,氨氮去除率可达到87%,其中直接氧化率为8%,间接氧化率为79%,且在氧化过程中活性游离氯更易与氨氮发生反应,转化为N2或硝酸盐,而不是转化为氯酸盐或有害的高氯酸盐。
王春荣 +4 more
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Gongye shui chuli, 2018 电Fenton法通过原位产生的过氧化氢（H2O2）与Fe2+反应生成羟基自由基（·OH）处理难降解有机废水，阴极材料是实现电Fenton高效处理效果的关键因素。简要介绍了电Fenton技术的原理、分类及应用，详细阐述了非金属与金属阴极材料的研究进展。非金属材料主要以碳材料为载体，氮、硼和硫掺杂为主；金属材料主要有Fe、Cu和Ce等。获得高效、廉价的阴极材料是电Fenton技术今后的研究方向之一。
赵庆良, 黄慧彬, 丁晶, 王思宁
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, 2006 光催化具有能耗低、操作简单、无二次污染等突出特点，在污染物处理、有机合成、催化制氢等能源环境领域具有潜在的发展前景。但是光催化活性和转化效率普遍较低仍是光催化应用最大的瓶颈之一。本文通过对TiO2的Zr离子控制掺杂，来探讨提高光催化剂活性的途径，并运用到可见光催化剂InVO4的控制掺杂改性上，最后分析了控制掺杂提高光催化剂活性的机理。 本文采用溶胶-凝胶法，利用控制掺杂工艺，制备了Zr非均匀分布TiO2薄膜催化剂、Ni非均匀分布InVO4薄膜催化剂，并合成了Ni-InVO4复合粉末催化剂。通过XRD ...
樊俊林
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, 2000 利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象。氧的引入并且和铒离子形成发光中心，提高了铒离子的发光强度。退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷，提高了氢的逃逸温度，改善材料的热稳定性，使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高，铒的发光得到增强 ...
王占国 +4 more
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, 2003 在特定温控下对掺杂气体分子的状态和活性进行控制，建立了一套具有自主知识产权的气源分子束外延工艺生长SiGe/Si材料的原位掺杂控制技术。采用该技术生长的SiGe/Si HBT外延材料，可将硼杂质较好地限制在SiGe合金基区内，并能有效地提高磷烷对N型掺杂的浓度和外延硅层的生长速率，获得了理想N,P型杂质分布的SiGe/Si ...
朱世荣 +6 more
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, 2013 本发明公开了一种低硼掺杂下高电导率氢化非晶硅薄膜的制备方法，采用离子束辅助磁控溅射技术，以硼原子的掺杂量为0.02~0.2at%的硼掺杂单晶硅作为磁控溅射靶材进行溅射，本底真空度为10?4~10?5Pa，射频功率为100~300W，溅射气体为氩气和氢气的混合气体，溅射气体总气压为0.1~0.5Pa，衬底温度为100~400℃，以高纯氩气作为辅助离子源形成氩辅助离子束，氩辅助离子束的能量为100~800eV，束流为5~30mA，在衬底的表面溅射沉积形成薄膜的同时氩辅助离子束撞击薄膜表面 ...
黄金华 +6 more
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[Preparation of porous boron nitride-doped polypyrrole-2,3,3-trimethylindole solid-phase microextraction coating for polycyclic aromatic hydrocarbon detection]. [PDF]
Se Pu, 2023 DU J +5 more
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, 2019 目的研究硼(B)掺杂对类金刚石(DLC)薄膜在人工海水介质中耐腐蚀性能和摩擦磨损性能的影响。方法利用非平衡磁控溅射的方法,通过控制碳化硼靶材和石墨靶材电流,在304不锈钢基底表面沉积了一种无掺杂DLC薄膜和两种不同B含量的DLC薄膜(B的原子数分数分别为7.23%、13.27%)。采用扫描电子显微镜、拉曼光谱仪、纳米压痕仪、划痕仪、摩擦实验机对薄膜的化学成分、显微结构、纳米硬度、结合力及摩擦性能进行研究 ...
刘健 +4 more
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, 2004 用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B.选用Si片作衬底,硅烷(SiH4)作硅源,硼烷(B2H6)作掺杂气体, Au作催化剂,生长温度440℃.基于气-液-固(VLS)机制,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制.PECVD法化学成分配比更灵活,更容易实现纳米线掺杂,进一步有望生长硅纳米线pn结,为研制纳米量级器件提供技术基础.…
郝会颖 +10 more
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