Results 91 to 100 of about 79,586 (163)
Gaoya dianqi, 2000 对杯状纵磁真空灭弧室的三维静磁场、三维交变磁场及触头片中的涡流分布进行了有限元计算和分析。计算结果表明，交变磁场的分布与静磁场的分布有所不同，这主要是由涡流引起的。涡流的影响在触头中心处最大，在槽口之间次之，在槽口上方影响最小。
刘志远, 王季梅, 王政, 韩勇
doaj
, 2015 永磁电机温度分布的合理性关乎电机设计的成败,针对使用传统等效热网络法计算盘式永磁电机稳态温度场精度不高的问题,考虑了盘式电机线圈两端气流流动差异,通过计算线圈两端重要部件的散热系数,建立等效热网络模型,计算结果与有限元分析值与实验值吻合。采用改进的等效热网络法 ...
余宁, 余军合, 廖有用, 陈进华
core
基于响应曲面法的马蹄铁型纵磁触头真空灭弧室磁场特性分析及优化
Gaoya dianqi, 2017 为提高马蹄铁型纵磁触头真空灭弧室的磁场特性,文中对其灭弧室磁场特性进行了基于响应曲面法的优化。选取铁片外径、铁片内外径差及铁片间槽口夹角差值作为3个优化参数,以电流峰值时纵向磁感应强度最大,有效磁场区域宽度最宽及磁场滞后时间最短作为3个优化目标,通过有限元方法建立触头计算模型,采用中心复合实验设计方法安排仿真计算,采用响应曲面方法建立二阶回归模型,通过多目标优化的方式对灭弧室磁场特性进行优化。得到了各优化指标随触头结构参数的变化趋势及灭弧室磁场特性最优时的触头结构参数组合——铁片外径90 mm ...
王子寒 +6 more
doaj
, 2000 磁场对于半导体晶体生长过程中的熔体流动模式有着明显的影响，因而可以改善晶体的组分和杂质的分布。在半导体单晶生长过程当中利用超导磁场来抑制熔体的对流，采用这种方式既可以生长出优质的单晶又可以研究熔体的对流与扩散对生长半导体单晶的质量影响。报道了新近自行设计 ...
钟兴儒 +4 more
core
Shiyou jixie, 2012 测量钻井方位角时，置于套管中的磁性测斜仪易受套管磁场干扰，产生测量误差。针对该问题，提出建立套管感应磁场数学模型的方法，通过误差补偿提高测量精度。利用ANSYS软件对套管进行二维与三维有限元电磁仿真，得到了套管的感应磁场分布规律以及套管磁屏蔽系数，并建立了三维感应磁场与磁屏蔽系数之间关系的数学模型。指出沿套管径向的磁屏蔽程度较大，具体大小由套管的内、外半径和相对磁导率决定；沿套管轴向的磁屏蔽程度很小，磁感应强度衰减程度不到1%。根据求得的套管感应磁场分布规律，对测斜仪的测量数据加以补偿 ...
李永慧, 张晓明, 龙达峰, 刘俊
doaj
, 2016 本发明公开了一种提高Ce基永磁材料磁性能的方法，包括：取纯度均大于99.9wt%的高纯Ce、Fe、B作为原材料，制成Ce基永磁速凝带；以及，对所述Ce基永磁速凝带进行热处理，热处理方式包括感应热处理和磁场热处理。进一步的，所述热处理方式包括依次进行的感应热处理和磁场热处理。其中，感应热处理的条件包括不同频段和温度，磁场热处理的条件包括不同磁场强度和温度。所述永磁材料包含Ce基速凝条带以及粉体。藉由本发明的方法可以有效提高Ce基永磁材料的磁性能，而且工艺简单，可控性好，得率高 ...
李东 +4 more
core
, 1990 在太阳活动区AR5395中连续几天内存在着旋转运动,后来演化为磁场被强剪切。根据AR5395演化的分析研究,本文对该活动区产生的耀斑提出两个模型。首先,该活动区的耀斑位形是一个扭转的共生磁流管:许多磁流管的N极一端被旋转运动扭到一起,处于亚稳状态,一旦受到触发就释放出被储存的能量 ...
刘新萍, 李威
core
Gaoya dianqi, 2001 给出了强脉冲磁场的产生方法和单匝线圈产生磁场的理论计算 ,并且用微分环法和法拉第磁光效应法对单匝线圈产生的磁场进行了测量 ,测量结果与理论计算值相符。
石磊, 邱爱慈, 周国振, 沈志康
doaj
[Low-frequency pulsed electromagnetic fields promote osteoblast mineralization and maturation of rats through the PC2/sAC/PKA/CREB signaling pathway]. [PDF]
Nan Fang Yi Ke Da Xue Xue Bao, 2022 He Y +7 more
europepmc +1 more source
四川大学学报. 自然科学版, 2005 制备了2-2型复合磁电材料Li NbO3/Terfenol-D,研究了其在不同频率交流激励磁场和直流偏磁场下的磁电耦合效应.为了充分利用Li NbO3晶体大的压电系数d15和d22使其在横场长度伸缩振动模式和厚度伸缩振动模式中获得较大的压电效应,本文选择了(xzt)41°切型的Li NbO3晶体作为复合材料Li NbO3/Terfenol-D的压电相,通过计算其压电系数从理论上得出了与实验比较一致的结果,即该材料具有较大的磁电耦合系数,在频率为114kHz交流磁场的激励下,当直流磁偏场达到1.9kOe时,
杨盼, 尹媛, 赵可, 朱劲松
doaj