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, 1979 无作用力磁场在天体物理中有广泛的应用。用磁面函数讨论线性无力场,若无力因子α不等于本征值,给定纵场边值时有唯一的本征值解。文献[2]中用格林函数分析线性无力场时认为,纵场边值不能唯一确定问题的解 ...
胡文瑞
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Gaoya dianqi, 2017 为改善真空断路器的开断能力,文中设计一款非对称双线圈两极式纵向磁场电极的真空灭弧室触头。建立触头结构三维模型,在考虑涡流效应的影响下,采用有限元法对触头系统进行三维磁场仿真。结果表明,在电流峰值时动、静触头表面及触头间隙中心平面产生的纵向磁场强度有效面积较大且分布均匀。静触头表面最大值0.842 T,动触头表面最大值0.306 T;电流过零时刻触头间隙中心平面剩余磁场小,最大磁滞时间0.87 ms,导体回路电阻29.77μΩ。该非对称触头结构具有较大纵向磁场,电流过零时刻剩余磁场小,磁滞时间小 ...
易荣先, 郭建炎, 杨长洲
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, 2010 针对磁控溅射阴极靶磁场分布难以进行定量评价的问题,提出以磁场水平分量Bx的平行率Rk为量化指标,对磁场分布状态进行评价的新方法;采用有限元方法,模拟分析了磁控溅射阴极靶结构参数对磁场分布的影响规律,并利用Rk对结构参数的合理性进行了验证。结果表明,量化指标Rk可以有效地评价磁场分布的优劣 ...
高方圆, 李光, 夏原
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Gaoya dianqi, 2015 干式空心电抗器运行时产生的强磁场是变电站和换流站内电磁污染的主要来源,其产生的强磁场引起了变电站和换流站接地网导体的发热、对周围设备的磁干扰以及对运行人员身体健康的影响等。为此,通过有限元分析软件ANSYS的仿真,探讨了在三相一字形排列的干式空心电抗器最优工频磁场的抑制方式,对比分析了多种屏蔽方式下的磁场屏蔽效果,最终得出了在三相一字型排列的干式空心电抗器底部加钢屏蔽侧围加铝屏蔽的镂空屏蔽罩的最优磁场屏蔽方式,在这种屏蔽方式下,磁场的抑制效果最好,且对电抗器的影响较小。
张宁, 李琳
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新型45°双弯曲磁过滤阴极真空电弧源系统的磁场模拟计算和ta-C薄膜动力学生长研究 [PDF]
, 2010 具有离化率高、沉积速率高、技术成熟等优点的阴极真空电弧沉积技术,目前是制备高性能ta-C薄膜的主要方法之一。然而，薄膜中宏观大颗粒共沉积引起的污染、残余应力高、膜基结合力差等，严重制约了ta-C薄膜的广泛应用。采用不同结构的磁过滤弯管目前被认为是解决上述问题的最有效方法，而磁过滤阴极真空电弧系统中磁场分布对于控制阴极弧斑稳定运动和等离子体高效传输起着关键作用。本论文采用ANSYS软件对新型45双弯曲磁过滤阴极真空电弧沉积系统中磁场分布进行了模拟计算，结合电弧源弧斑运行稳定性 ...
李洪波
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Gongye shui chuli, 2007 通过外加磁场影响膜分离土霉素发酵液过程的实验研究，发现外加磁场有助于提高膜通量，在外加磁场条件下，有利于改善膜分离效果。
王亚卿 +4 more
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Guangtongxin yanjiu, 2018 基于一维光子晶体反射谱性能的可控性,设计了一种磁流体填充的一维缺陷型光子晶体磁场和温度传感结构。应用全矢量有限元法（FEM）对该结构的反射谱及其反射峰值随磁场和温度的变化进行了仿真研究。数值模拟结果表明,反射峰值随磁场和温度发生规律性移动。当周期为7,磁流体厚度为577.58nm时,磁场灵敏度可达136.4pm/mT,温度灵敏度可达-34pm/℃。该传感结构既具有设计简单和线性度较高的特点,又能在同一结构中分别实现对磁场/温度的测量。
徐雪影, 施伟华
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, 1994 利用双势垒结构磁电容曲线，测量了垂直磁场下二维电子态密度。采用高斯型朗道 态密度模型计算了双势垒结构的电容随磁场的变化曲线，与不同偏压和温度下的实验曲线符合得相当好 ...
李承芳 +4 more
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Gaoya dianqi, 2009 变电站投运的空心电抗器产生的强磁场是变电站磁场污染的主要来源之一。建立了计及涡流影响的空心电抗器磁场有限元模型,仿真计算了其磁场分布,并与实测数据进行比较。从职业暴露安全的角度考虑,提出了对电抗器架设防护体以改善职业暴露区磁场分布的措施。通过比较不同材料、尺寸、位置等多种情形下防护体对电抗器磁感应强度分布的影响,最终提出防护体的最优架设方案。
季娟 +4 more
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, 1988 在实际应用中,高频等离子体发生器感应螺管的高度一般与螺管的直径大小相近,因此在高频等离子体理论计算中螺管端部对等离子体电磁场的影响不容忽视.本文在等离子体为均匀电导率、无限长直圆柱的假设下,求解了它在有限长分离螺管中的电磁场分布,得到一些新的结果.指出,等离子体轴心处的磁场与空心螺管轴心处的有很大不同,甚至会出现逆向磁场;而在等离子体半径处的磁感应强度值仅稍大于空心螺管时的值,且其相位差与空心螺管时的也相差甚微 ...
唐福林, 陈允明
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