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Dianci bileiqi绝缘子表面污秽积聚会降低其绝缘性能，获得瓷绝缘子表面污秽积聚规律对输电线路的运行和维护具有重要意义。考虑污秽颗粒在绝缘子表面的碰撞反弹过程，建立了瓷绝缘子多物理场耦合积污模型，与碰撞即黏附模型进行对比，分析了不同因素对积污的影响，以研究污秽颗粒在绝缘子表面的沉积情况。结果表明，颗粒粒径、电压和相对湿度的增大有利于颗粒沉积，其中直流电压对积污的影响明显大于交流电压，直流正极性电压由5kV增大到55kV时，黏附粒子数增加了86%，而交流电压作用下增加了24%；黏附粒子数随风速的增大先增加后减小 ...
赵冲 +4 more
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Gongye shui chuli, 2013 采用溶胶-凝胶法成功制备出高比表面积多孔淀粉,并探讨原淀粉种类、悬浮液浓度、聚乙二醇添加剂量和干燥方式等因素对制备出的多孔淀粉比表面积的影响。结果表明,在可溶性淀粉质量分数为15%、聚乙二醇4 g、采用冷冻干燥方式条件下,获得最大比表面积为96 m2/g的多孔淀粉。在多孔淀粉的基础上,制备了多孔淀粉黄原酸酯,并初步考察了其对Pb2+的吸附性能。多孔淀粉进行交联、醚化和胺化改性,制备了多孔胺化淀粉,并简单研究了其对AG25染料分子的吸附情况。
汪琼芳, 相波, 李义久, 徐晓凯
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, 2010 以Na_2SiO_3为前驱物,研究了碳化合成纳米SiO_2颗粒比表面积的控制机理.正交实验结果表明,影响其比表面积的次序为Na_2SiO_3浓度>PEG6000添加量>反应温度>CO_2/N_2混合气流量.当反应温度80℃、Na_2SiO_3浓度40g/L、PEG60004g/L、CO_2/N_2混合气流量1.2L/min时,所制SiO_2颗粒的比表面积为318.9m~2/g.随Na_2SiO_3浓度增大,SiO_2胶粒在pH>7的碳化液中Ostwald凝聚生长过程相对延长,颗粒的一次粒径增大 ...
古明远, 郭占成, 林荣毅
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, 2005 人们知道聚合物湍流减阻现象已经有半个世纪了,并且在工程实践中得到了广泛的应用。但是,对于这个现象的认识还很不清晰,人们还没有建立起令人信服的物理图像解释,定量的理论更是缺乏。本文致力于聚合物槽道湍流的直接数值模拟,期望达到对聚合物槽道湍流的流场有所了解。本文的数值计算方法采用谱方法,时间积分采用两阶精度的时间分裂格式。本文应用O ...
张劲柏, 何国威
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, 2011 一种有机自由基聚合物电极及其制备和应用，所述电极包括有机自由基聚合物、高比容量碳材料、导电剂和粘结剂，其中有机自由基聚合物和高比容量碳材料是电极活性物质。电极中活性物质的质量含量为50~97%，其中有机自由基聚合物与高比容量碳材料的质量比为1∶0.3~30。电极活性物质中的高比容量碳材料的电导率大于或等于2S/cm，质量比容量大于或等于15mAh/g，比表面积大于或等于900m2/g。采用该发明方法制备的电极，兼具高能量密度和高功率密度，且电极材料价廉易得，制备方法简单易行 ...
陈剑, 刘承梅
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Gongye shui chuli, 2015 采用沉淀分级的方法对所制备的聚丙烯酸钠粗品进行了分级,得到了具有不同分子质量及分布指数的聚丙烯酸钠。通过静态沉积法研究了不同分子质量及分布的聚丙烯酸钠与其阻垢性能的关系。研究结果表明,聚丙烯酸钠分子质量越小(最佳相对分子质量范围为小于1 900)、分布越窄越有利于其对碳酸钙阻垢性能的提高。
崔静, 滕厚开, 靳晓霞, 侯洋
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Gaoya dianqiGIS中盆式绝缘子表面在外施直流电压时会积聚大量电荷使得沿面闪络电压大幅降低，从而引发一系列电气设备故障。基于上述问题，文中分析了盆式绝缘子表面电荷的来源与传导途径，采用有限元仿真计算方法构建了二维轴对称仿真模型以及设定相关参数，研究了电压极性、不同电压幅值以及电压极性反转对盆式绝缘子表面电荷分布的影响。结果表明，在直流电压下，凹面主要积聚与外施直流电压极性相反的电荷，凸面主要积聚与直流电压极性相同的电荷，且凹面积聚的电荷密度更大；在极性反转后-100 kV直流电压下 ...
罗传仙 +7 more
doaj
, 2016 本发明提供一种透明聚合物表面的透明疏水耐磨类金刚石薄膜的制备方法。该方法首先对透明聚合物表面进行等离子体刻蚀处理；然后采用线性离子束沉积法，通入碳源气体沉积类金刚石薄膜，在类金刚石薄膜沉积过程中通入Ar气体，使薄膜沉积和气体刻蚀同时进行。利用该方法制得的类金刚石薄膜在保持良好的耐磨性与透光性的同时，还具有疏水特性，实现了兼具耐磨、透明与疏水于一体的类金刚石薄膜 ...
郭鹏 +5 more
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, 2006 本发明涉及天然物质的提取及其衍生物的制备和应用。通过以玉竹根状茎干粉为原料，先采用高浓度乙醇回流，过滤，滤渣用一定体积和浓度的乙醇浸提，过滤收集滤液，再用高浓度乙醇沉淀，沉淀用无水乙醇、丙酮、乙醚脱水，烘干即得玉竹低聚糖，再通过氯磺酸-吡啶法进行硫酸酯衍生修饰获得玉竹低聚糖的硫酸酯衍生物 ...
何开泽, 杨敏, 蒙义文
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, 2007 在等离子增强化学气相沉积法（PECVD）沉积SiO_2和SiNx掩蔽层过程中，分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg~-受主钝化，同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N_v~+，空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO_2和SiN_x材料，阻碍了H原子向外扩散，使H原子在Ni／Au电极与p-GaN的界面处聚集，造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高，空穴浓度急剧下降，导致Ni／Au透明电极I-V特性严重恶化。选择较低的射频功率（15W，13．56MHz）
严丽红, 陈宇, 王良臣
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