Results 41 to 50 of about 1,674 (153)
High-Frequency and High-Voltage Characteristics on Gate Associated Transistors [PDF]
【中文摘要】 建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果 .该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考 【英文摘要】 The two\|dimensional analytical model of the electric potential and field distribution in GAT's collector depletion ...
吴丽清 +4 more
core
对介质阻挡放电空间的电荷传输特性进行研究,可以在实际应用中优化设计、提高放电效率。通过在实验室建立的介质阻挡放电装置,研究了外加电压幅值、气隙距离、阻挡介质的厚度和介电常数等因素对放电空间传输电荷的影响试验结果表明,放电空间在一个周期传输的电荷量随外加电压幅值和介质介电常数的增加而增加,随气隙距离和介质厚度的增加而减小。
方志, 邱毓昌, 王辉, 孙岩洲
doaj
大量研究表明,闪电放电类型与雷暴云空间电荷分布密切相关,但雷暴云电荷分布对闪电放电影响的定量化研究还比较少见。采用空间电荷分布模型、随机放电方案,进行二维高分辨率闪电放电模拟实验,主要研究电荷区域水平尺度范围对闪电放电类型的影响。结果表明:当雷暴云为三极性空间分布时,随着底部电荷水平范围的扩大,闪电类型从正极性云闪向负地闪再向反极性云闪变化。当存在云顶屏蔽层时,情况与三极性的相似,而区别在于发生正常极性云闪的电荷密度范围变小,负地闪的负先导首先会在云区内有一段水平传播的趋势。
王艳辉 +3 more
doaj
在充SF6或N2的尖—板间隙中注入适量正空间电荷能使正极性冲击击穿电压提高,而注入负空间电荷则使正冲击击穿电压降低。用这一实验结果可以解释以前发现的含氯添加气体使尖—板间隙中SF6的正冲击击穿电压提高的实验现象。
邱毓昌
doaj
Investigations of metallic microcontamination on P-type silicon wafer surface [PDF]
当今制造亚微米/纳米器件要求硅片表面必须达到原子水平上的洁净光滑,而硅表面的金属微观污染是造成电子元器件性能失效的重要原因之一。氢氟酸是硅片表面准备过程中最常用的化学试剂,溶液中含有的微量金属离子会对硅片表面产生污染。为了揭示其污染本质,从而控制或消除污染,本论文工作通过采用电化学测试技术(包括直流极化和交流阻抗技术)以及扫描电子显微镜(SEM)、能量散射X射线能谱(EDX)、X光电子能谱(XPS)、俄歇电子能谱(AES)等现代表面分析技术对稀释氢氟酸溶液中含有不同微量(10-6~10-9水平)金属(铜、
郑宣
core
研究直流电压下环氧树脂复合材料的电荷输运特性对推进直流气体绝缘金属封闭输电线路的发展至为重要。文中基于双极性载流子输运模型,通过对0、30、60、105℃下环氧树脂内部的空间电荷分布规律进行数值计算研究,获得了温度对环氧树脂材料内部空间电荷输运特性的影响规律,以及不同温度下环氧树脂复合材料内电场强度分布规律。结果表明:在0℃和30℃下,环氧树脂复合材料内为电子电荷主导,迁移作用使得靠近阳极附近的电场强度升高。随着温度的升高,电荷分布到达稳态所需要的时间随之减少,而电场强度最大值也随之降低。60℃和105℃
秦司晨 +5 more
doaj
为深入理解氦气氛围电介质材料对介质阻挡放电(dielectric barrier discharge,DBD)的电气特性影响,建立单介质覆盖高压电极的1-D流体模型,通过有限元分析法进行数值模拟,采用频率10.0 k Hz、幅值2.0 kV的正弦交流激励,研究了亚稳态氦原子数密度、电子密度、电场强度的时空变化特性,以及介质材料、放电间隙和介质厚度对介质阻挡放电特性的影响。仿真结果表明:随着介电常数增加,电子密度和氦离子数密度均增大,同时介质表面累积的电荷密度增加,放电强度增强,碰撞功率损失变大 ...
李平, 徐俊生, 陈兆权, 许桂敏
doaj
为了能在地面探测空中雷暴云电荷的空间方位,提出了一种利用地面三维大气电场和相对介电常数的测量来确定雷暴云电荷方位的方法。文中分析了空中电荷在地表产生的电场大小和方向关系,建立了雷暴云和大地的静电场分布模型,给出了通过三维大气电场值和地表介电常数值反演空中雷暴云电荷方位的公式。通过自主研发的电场探测系统,发现在干燥土壤,岩石等相对介电常数较小的地表存在较大的水平电场分量,验证了在地面探测雷暴云电荷方位的方法具有可行性。
季鑫源, 行鸿彦, 徐伟
doaj
Microstructure of Nano-porous Silicon and Characteristics of Silicon Electrode Interfaces [PDF]
多孔硅的孔径尺寸在微米到纳米范围内连续可调,但微结构复杂且不稳定,极大地限制了其应用领域。本论文选择重掺杂n(111)和中等掺杂p(100)单晶硅片为基体,采用电化学阳极极化技术在氢氟酸介质中制备了一系列纳米多孔硅样品,并利用扫描电镜、高分辨透射电镜、拉曼光谱、红外光谱和电子探针微区分析技术以及电化学直流极化、计时电流、计时电位和交流阻抗技术,系统地研究了不同外加电位与电流密度、刻蚀时间、氢氟酸浓度及光照强度与光照时间等条件下制备的多孔硅微结构及化学组成,详细分析了纳米多孔硅的电化学制备参数 ...
吕京美
core
主要基于已有的二维雷暴云起、放电模式背景下的上行闪电随机放电参数化方案,来进行二维高分辨率闪电放电的模拟实验,定量探讨了云闪放电过程对上行闪电的触发产生的有利作用。研究结果表明:云闪触发型上行闪电均发生于典型三极电荷结构下,当前次云闪结束后,在上部主正与中部主负电荷区内植入了大量异极性电荷,而底部次正电荷区几乎未受影响。近地面(0-3 km)的空间电位在云闪结束后由负位势转为正位势,负位势阱中心上移甚至消失,地面出现正位势阱中心;云闪放电后,空中原有强电场被摧毁,空间整体电场降低,与此同时,上部主正 ...
周洁晨, 谭涌波, 郑天雪, 陈超
doaj

