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影响线圈式触头产生的纵向磁场大小与均匀性的诸因素

open access: yesGaoya dianqi, 1996
通过计算分析讨论了真空灭弧室线圈式触头产生的纵向磁场的大小与线圈结构尺寸的关系;触头间磁场的均匀性与触头半径、触头开距的关系及触头分开过程中空间纵向磁场强度的变化,以为触头设计提供参考。
王仲奕, 王季梅
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真空灭弧室非对称两极式线圈纵磁触头结构仿真

open access: yesGaoya dianqi, 2017
为改善真空断路器的开断能力,文中设计一款非对称双线圈两极式纵向磁场电极的真空灭弧室触头。建立触头结构三维模型,在考虑涡流效应的影响下,采用有限元法对触头系统进行三维磁场仿真。结果表明,在电流峰值时动、静触头表面及触头间隙中心平面产生的纵向磁场强度有效面积较大且分布均匀。静触头表面最大值0.842 T,动触头表面最大值0.306 T;电流过零时刻触头间隙中心平面剩余磁场小,最大磁滞时间0.87 ms,导体回路电阻29.77μΩ。该非对称触头结构具有较大纵向磁场,电流过零时刻剩余磁场小,磁滞时间小 ...
易荣先, 郭建炎, 杨长洲
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两种不同结构纵—横复合触头磁场计算及电弧实验研究

open access: yesGaoya dianqi, 2021
磁场调控技术是提高真空断路器开断能力的重要方式,通过纵向磁场(AMF)可以使电弧保持扩散态,而横向磁场(TMF)可以驱动电弧在电极间高速旋转以降低触头的烧蚀。近年来,一种新型的复合磁场(TMF-AMF)触头得到了广泛关注,在电流较小时电弧保持扩散态,在电流大到一定程度出现电弧集聚时可以使电弧旋转。文中设计了两种不同结构的复合磁场触头,首先分析了两种触头的磁场,并进行了结构上的优化,然后进行了定开距条件下的触发电弧实验,比较了两种触头结构的电弧特性,研究结果表明:结构1的复合触头能充分利用整个触头盘 ...
王宏达   +4 more
doaj  

铁心式多极纵磁触头及其磁场计算

open access: yesGaoya dianqi, 1997
提出了一种新型真空灭弧室触头结构,利用积分方程法对该灭弧室的磁场分布进行了三维计算,结果证明本结构增强了真空灭弧室的纵向磁场;同时通过计算分析了触头开距、铁心形状等参数对本结构纵向磁场大小和分布的影响。
付军, 李宏群, 张晋, 闫静
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纵向磁场对电弧带电粒子密度的影响

open access: yesGaoya dianqi, 1989
在稳态模型和局域热力学平衡的假设下。推导了在纵向磁场内,真空电弧带电粒子密度的数学表达式,分析了纵向磁场对真空电弧所产生的影响及其阳极斑点形成的机理,
程本成, 郭连权
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一种新型真空灭弧室的触头结构及其纵向磁场计算

open access: yesGaoya dianqi, 1997
介绍了一种新型真空灭弧室触头结构,并对其纵向磁场分布特性进行了计算,结果表明其纵向磁场较强且具有良好的分布特性,适用于开断大电流以及高电压等级的真空灭弧室中,并有利于断路器的小型化。
修士新, 王季梅, 付军
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一种能提高真空灭弧室开断能力的自生电弧扩散电极(SADE)

open access: yesGaoya dianqi, 1998
一、概述 采用常规的纵向磁场(AMF)电极技术来提高真空灭弧室的开断能力,要受到电极表面的熔化而遭致电流过零后重击穿的限制。这些限制已从直接测量阳极的温度和观察到靠近阳极表面的磁场分布现象得出了明确的结论。为了使得纵向磁场在电极表面分布均匀 ...
王季梅
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铁心式双极纵磁触头纵向磁场测量及磁场饱和特性研究

open access: yesGaoya dianqi
铁心式双极纵磁触头是高压真空灭弧室中常用的触头类型之一。为探究铁心式双极纵磁触头真空灭弧室燃弧过程中真空电弧不可控模式出现的成因,对铁心式双极纵磁触头的纵向磁场特性进行了实验与仿真研究。采用霍尔效应传感器阵列搭建了触头磁场测量平台,对1~15 kA下铁心式双极纵磁触头的纵向磁场分布进行了测量,基于实测结果验证了铁心式双极纵磁触头磁场仿真模型的准确性,并利用该仿真模型进一步仿真分析了1~40 kA电流下的触头磁场饱和特性及40 kA电流等级下燃弧过程中触头间纵向磁场的动态变化规律。结果显示 ...
王军   +5 more
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磁化非均匀等离子体的圆柱波导中的横电波

open access: yes, 1984
本文研究了有外加纵向磁场时,非均匀等离子体圆柱波导中的横电波,得到了把超几何级数进行截断而形成多项式所表出的横电波的解析解 ...
康寿万
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纵向磁场对真空断路器截流的影响

open access: yesGaoya dianqi, 1990
作者对纵向磁场如何影响真空断路器截流水平的问题进行了较为全面的实验研究。研究结果表明,在作者所采用的试品条件下,选用合适的触头材料(Cu—W—C)和加上适当的纵向磁场(0.5~2mT),能使真空断路器的平均截流水平低于0.5A,最大截流低于2A。
邹积岩   +3 more
doaj  

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