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传统方式中,利用暴露距离概念来计算雷电绕击闪络率时,直接假定雷电先导垂直向下,笔者将暴露距离概念推导到雷电先导以任何入射角雷击牵引网的情况,并推导出计算不同雷电入射角绕击高速铁路时的闪络率公式,最后进行计算验证分析。改进后的计算方法更能反映雷击实际情况,为高速铁路的防雷提供参考。
罗媚媚, 王思华, 申威
doaj
输电线路本体雷击特征规律是差异化防雷性能评估的重要因素之一,对其进行科学合理的研究,可提高雷害治理方案的有效性。以四川电网500 k V东锦线2013年至2014年雷击暂态监测系统和雷电定位系统监测数据为基础,建立雷击数据统计方法,对雷击特征规律与杆塔高度、雷电空间分布相关性和绕、反击分布规律进行统计研究。结果表明,杆塔高度与雷击次数存在正相关性,相对高度越高的杆塔越易遭受雷击,杆塔沿途地形为平原区域的绕击率和反击率均高于山区。
王韬 +4 more
doaj
电气几何模型能够有效的计算出输电线路的暴露宽度进而求出绕击跳闸率。利用改进电气几何模型将雷击的方向扩至[-π/2,ψmax],通过求出暴露弧、屏蔽弧不同雷电入射角下在地面上的投影,根据先导入射角的概率分布得出绕击跳闸率。该方法表明传统模型中仅仅将雷电流看为垂直向下算得的误差很大,无法反应线路真实情况。最后,通过计算分析220 kV单回输电线路和同塔双回输电线路,并将其与实际情况对比分析,进而验证了此方法的准确性,在实际应用中具有借鉴意义。
王鹏宇, 元乙贺, 李博, 王日辉
doaj
在两种环境温度和三种冲击加载速率下, 对搅拌铸造法制备的碳化硅颗粒增强(wt 8% )6061 Al 基复合材料的冲击拉伸性能进行了试验研究。实验结果表明, 该材料的断裂应变随加载率和环境温度的升高而下降, 模量随加载率和环境温度的升高而上升。材料的应力 ...
尚嘉兰
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分析了几种雷电绕击研究方法或模型,如规程法、电气几何模型、先导发展模型、绕击概率模型。规程法应用简单、方便,对于一般线路的防雷屏蔽设计,能够满足要求;电气几何模型计算方法较为合理、简单,使用该模型来分析特、超高压线路或山区、同塔多回线路较其它模型更具优势;先导发展模型与绕击概率模型能够在物理意义上更合理地解释绕击现象,其计算过程相对复杂,暂不适于工程(如长距离线路)上大范围应用。重点对电气几何模型相关参数的选择进行了讨论,击距及击距系数的计算建议采用IEEE工作组推荐的关系式 ...
赵斌财 +6 more
doaj
规程DL/T620—1997经验公式lgPI=-I/88与佛山地区实际的雷电流幅值概率分布存在较大差异,小电流发生概率偏低,而大电流发生概率偏高。经过拟合分析,结合IEEE推荐,公式PI=1/(1+(I/37)3)能正确表达佛山地区雷电流幅值概率分布,其分布曲线与实际吻合,是指导防雷工作的重要基础。结果表明,处在绕击区段的小电流雷电发生概率高出规程要求20%~30%,这可能是导致绕击事故较多的原因之一。
豆朋, 黄松波
doaj
本实用新型公开了一种PM10颗粒撞击式单级采样器。其主要结构为:进口滤网,进气口,碰撞板,连接件,滤纸收集极,密封垫圈,支撑滤网,以及底座。进行采集时,在底座的出气口处接上抽气泵,载带颗粒物的空气流经进气口喷嘴射出后,由于受到碰撞板的阻挡将作曲线运动以绕开障碍物。当气流发生转弯时,气流中所有大小的颗粒物因其惯性作用,都有在原有方向上保持直线运动的趋势。颗粒物直径越大,其动量越大,因而所具有的惯性也越大,前冲的距离也越长,即颗粒物的截止距离越长。截止距离大到一定程度的颗粒物,即粒径大到一定程度的颗粒物 ...
王卫国 +5 more
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利用振荡型冲击电压进行变压器冲击耐压试验具有波形易于调节、产生效率高的优点,为了研究振荡型类雷电冲击电压和标准雷电冲击电压波形在变压器绕组中分布特性的差异,利用能够产生不同类型冲击电压的发生装置,实际测量了变压器绕组各出线端的电压波形,研究和分析了其分布特性及影响规律。结果表明,相比标准雷电冲击电压波形,振荡型雷电冲击电压波形畸变更为明显,其对变压器绕组首端位置主绝缘和纵绝缘的考核严酷程度更高。
王国利, 杨芸, 高超
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利用EGM击距作图法解释了1998年—2004年日本特高压双回线路上、中、下导线的雷电绕击率依次减少的现象。为了使1 000 kV双回输电线路更加安全可靠地运行,以国内某1 000 kV交流输电线路工程SZC301型双回直线塔模型为研究对象,并且上、中、下横担均挂导线V形串,分雷电流15 k A、30 k A两种情况,并在平地、地面倾角20°条件下,采用EGM击距法,分析了上、中、下横担各挂地线情况下的绕击保护范围,从而得出在防绕击雷方面下横担挂地线较优的结论。
王星涵 +5 more
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将P型晶向的单晶硅加热到一定温度,利用强激光诱导的冲击波对其进行强化处理。采用光学显微镜观察了激光冲击强化处理后单晶硅的表面形貌,采用显微拉曼光谱仪测量了单晶硅表面的残余应力。结果表明:随着温度的升高,激光冲击后单晶硅冲击区的裂纹变小,表面质量提高;在高温下进行激光冲击后硅片表面可以产生百兆帕量级的残余压应力,单晶硅发生了较大的塑性变形;随着激光功率密度的增加,单晶硅冲击区的表面质量、残余压应力先提高后下降,说明高温下对单晶硅进行激光冲击处理时激光功率密度存在优化窗口。随着温度、激光功率密度的改变 ...
王曦, 黄晨光, 柳沅汛, 吴先前
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