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, 2006 综合深能级缺陷和电学性质的测试结果，证明了半绝缘InP单晶材料的电学性能、热稳定性、均匀性等性能与材料中一些深能级缺陷的含量密切相关．通过分析深能级缺陷产生的规律与热处理及生长条件的关系，给出了抑制缺陷产生，提高材料质量的途径 ...
董志远 +4 more
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, 2010 本文针对磷化铁(FeP_2)气氛下高温退火非掺杂半绝缘磷化铟(IP SI-InP)材料,应用正电子寿命谱及热激电流谱学技术,研究了该材料在电子辐照前后的缺陷情况.研究发现,该材料经电子辐照后缺陷浓度在增大,且形成了复合体的缺陷结构,电子辐照后的正电子湮没平均寿命增加了18 ps,对应的热激电流谱(TSC)也出现了相应的缺陷峰.本文还对缺陷的特性 ...
张丽然 +8 more
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Dianci bileiqi, 2019 绝缘子是保障输电线正常运行的重要部件,而传统通过人工目视判断的绝缘子缺陷检测方式耗材耗力,近年来得到大力推广的无人机电力巡检方式在图像中快速定位并且找出缺陷绝缘子自动化程度不高,效率较低。针对无人机电力巡检方式提出基于深度学习的Faster RCNN方法,识别无人机图像中的绝缘子,并且对其进行缺陷判别。首先,进行绝缘子的样本采集,采集的样本保证种类丰富、数量足够。其次,利用采集的样本训练Faster-RCNN网络模型,对待检测图像进行识别,确定绝缘子所在具体位置。最后,对提取出绝缘子进行图像分割 ...
虢韬 +7 more
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Gaoya dianqi, 2023 太赫兹波在绝缘介质材料传播中不仅具有衰减小，准直性强，穿透性好等优点，而且在成像可视化方面具有较高的分辨率，深受电气设备绝缘缺陷检测领域学者的喜爱。首先概述了太赫兹波的产生和探测技术，介绍了太赫兹时域光谱技术和基于时域、频域信号的特征参量对绝缘缺陷成像的原理，给出了电气设备绝缘缺陷应用太赫兹波检测的典型案例，探讨了目前存在的探测方式选取、缺陷类型识别、在线监测可行性的相关问题，最后对太赫兹技术在电气设备绝缘缺陷检测领域的前景进行了展望。
唐志国, 李阳
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, 2007 研究了原生和高温退火处理后非掺n型和半绝缘InP单晶材料中产生的缺陷.在磷气氛下退火后，n型和半绝缘InP单晶中均明显产生相当数量的深能级缺陷，而在磷化铁气氛下退火后，InP的缺陷数量明显减少.在退火过程中缺陷的产生与磷和铁的内扩散有直接关系.向内扩散的磷原子和铁原子占据晶格中铟位后，分别产生反位缺陷和铁深受主.实验结果表明，铁通过扩散充分占据了铟位，抑制了铟空位、磷反位等缺陷的形成，而磷气氛下退火后产生的缺陷有铟空位、磷反位等 ...
董志远, 赵有文
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Gaoya dianqi, 2018 对GIS开展局部放电检测与分析,能为其绝缘状态的评估提供依据,另外根据放电谱图的特征还可对缺陷类型进行识别。绝缘件缺陷是导致GIS产生局部放电的典型缺陷之一,文中介绍了利用局部放电检测发现的几起GIS绝缘件内部缺陷,基于特高频检测技术准确判断了缺陷类型并对缺陷位置进行了定位,分析发现固体绝缘与金属件接触面上的气隙是产生局部放电根本原因,为该类缺陷的检测分析提供借鉴。
宋东波 +6 more
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, 2000 利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态。通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应，发现带隙内缺陷态的光伏响应主要是由于表面而形成载流子浓度梯度引起的，通过实验表明SPV是一种对SI ...
江德生 +4 more
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Gaoya dianqi, 2020 盆式绝缘子是GIS的重要组成部件,在异常受力时可能导致结构缺陷的产生和发展,甚至造成严重的事故。为了研究盆式绝缘子在不同工况下的力学性能,采用有限元软件Ansys对252 k V盆式绝缘子正常及带有典型缺陷情况下的应力应变分布情况进行仿真计算,并对正常盆式绝缘子水压试验的应变分布进行测试,与仿真结果进行了对照。结果表明,盆式绝缘子仿真得到的应力分布与水压试验结果相吻合,验证了仿真结果的准确性。此外,存在结构缺陷时,绝缘子最大应力超过正常状态的2倍,且表面缺陷的危害程度大于内部缺陷。
吕滨 +7 more
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Dianci bileiqi为了解决传统绝缘子缺陷检测方法存在的绝缘子缺陷识别精度低，且存在误检、漏检等问题，提出一种多尺度特征增强融合绝缘子小目标缺陷检测网络。为了提高网络缺陷目标处的区域信息关注力度，提出一种多尺度特征增强模块，增强了网络对绝缘子缺陷小目标特征提取能力；提出一种动态特征融合模块，实现不同尺度绝缘子缺陷特征的高效融合；在网络头部应用Focaler-IoU损失函数，增强网络对绝缘子缺陷的定位检测能力。构建绝缘子小目标缺陷数据集并进行对比、消融实验，验证所提出算法对复杂环境下的绝缘子小目标缺陷能够实现精确检测。
经少康 +6 more
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, 2008 研究了垂直梯度凝固法（VGF法）生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象 ...
占荣, 于会永, 赵有文, 高永亮
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