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绝缘子ZnS:Cu/BaTiO3复合涂层的闪络强度和缺陷自检测特性研究
Gaoya dianqi绝缘子是电力设备的重要组成部分，但表面绝缘缺陷极易导致突发性沿面闪络事故。为了提高对表面绝缘缺陷的检测能力和绝缘子的沿面闪络强度，文中制备了ZnS:Cu/BaTiO3掺杂的绝缘缺陷自检测复合涂层，将ZnS:Cu电致发光材料引入绝缘系统实现缺陷自检测功能，通过引入高介电常数BaTiO3填料均匀表面电场、提高绝缘子沿面闪络强度。测试了涂层样品的交/直流闪络电压，通过对表面金属微粒缺陷在交流电压下的发光分布和局部放电的观测，考察了涂层对表面缺陷的检测能力。结果表明 ...
刘慕然
doaj
, 2015 采用JF5440-1G高机械强度多胶粉云母带制备了高压电机模拟线棒,研究了线棒主绝缘的介质损耗、介质损耗增量、电气强度、电寿命、导热系数、力学性能和耐冷热循环等性能,并与桐马主绝缘进行了比较。结果表明:高机械强度多胶粉云母带模拟线棒主绝缘的介电性能与桐马绝缘相当,导热系数 ...
夏宇 +5 more
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Dianci bileiqi盆式绝缘子是GIS设备的关键设备，盆式绝缘子的健康状况对GIS以及电网安全运行具有重要影响。对超声导波检测盆式绝缘子缺陷进行有限元仿真，并搭建基于超声导波的盆式绝缘子缺陷检测平台，对不同偏移角度的裂纹缺陷和不同排列方向、数量的孔洞缺陷进行检测，来探究在不同角度缺陷和不同数量缺陷下，超声导波检测盆式绝缘子缺陷时的衰减率变化规律，发现裂纹偏移角度（较水平方向）越大，导波幅值衰减率越大，孔洞数量越多，导波信号幅值衰减率逐渐增大，并且，纵向排列的孔洞信号幅值衰减率要比横向排列方向要快。
李阳 +8 more
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Gaoya dianqi, 2022 软质绝缘遮蔽用具的表面缺陷对其绝缘性能和使用寿命有重要影响，为解决人工检测漏检、误检率高的问题，文中提出基于机器视觉的绝缘毯表面微缺陷智能无损检测方法。针对不同环境下图像特点，选取改进Sauvola算法对图像进行局部阈值分割，结合形态学操作提取特征，实现表面微缺陷的识别；通过搭建沿面放电试验平台获取不同微缺陷对其沿面放电的影响，采用皮尔逊相关性系数分析了微缺陷的单个最大缺陷面积比和全部缺陷面积比与绝缘毯表面放电电压之间的相关性。结果表明：文中方法识别准确率95.3%，单次检测时间0.53 s ...
吴田 +4 more
doaj
, 2008 研究了垂直梯度凝固法（VGF法）生长的掺Si低阻GaAs单晶材料的晶格缺陷和性质,并将VGF法和LEC法生长的非掺半绝缘GaAs单晶进行了比较.利用A-B腐蚀显微方法比较了两种材料中的微沉积缺陷,对其形成原因进行了分析.利用荧光光谱研究了掺Si-GaAs单晶中Si原子和B原子的占位情况和复合体缺陷.Hall测量结果表明,掺Si低阻VGF-GaAs单晶中存在很强的Si自补偿效应,造成掺杂效率降低.VGF-GaAs单晶生长过程中高的Si掺杂浓度造成晶体中产生大量杂质沉积,而杂质B的存在加重了这种现象 ...
占荣, 于会永, 赵有文, 高永亮
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, 2013 通过对有缺陷的光纤端面进行研究,提出了基于灰度图像阈值分割和椭圆边界点选取及拟合的方法来求取缺陷光纤端面几何参数,并利用合格光纤的包层边缘、纤芯边缘为同心圆的特性来提取缺陷光纤边缘点,利用此特性能有效去除干扰点。与常见的两种方法（基于灰度阈值分割及特征数据点采集的方法、基于Canny算子边缘检测和椭圆拟合的方法）进行了对比分析,结果表明 ...
张仁杰, 马秀梅, 刘为, 唐春晖
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Gaoya dianqi, 2009 绝缘子的破损是一种常见缺陷,会影响绝缘子的绝缘性能。特别是线路上运行的绝缘子破损时,可能会导致线路绝缘水平下降,严重时甚至引起电网事故。但传统线路巡检手段难以检测出这一缺陷。笔者采用新兴的紫外成像检测手段,对110kV线路悬式瓷绝缘子串、瓷支柱绝缘子和硅橡胶复合绝缘子含破损缺陷的情况进行人工模拟,观测了不同环境条件下不同破损程度的绝缘子在破损位置不同时的紫外图像。试验结果表明,紫外成像仪作为一种逐渐得到推广的新型线路巡检设备,能有效地检测到部分绝缘子的破损缺陷,从而达到对线路早期故障进行预防的效果。
雷红才 +7 more
doaj
Gaoya dianqi绝缘毯表面缺陷对其绝缘性能和使用寿命有严重影响，针对现有检测方法面对不规则缺陷以及绝缘毯表面纹理干扰造成的检测效率和准确率低的问题，本文提出一种基于改进YOLOv8的绝缘毯缺陷检测算法，引入SPD-Conv卷积神经网络，解决小目标检测特征遗漏问题；引入Deformable-LKA注意力机制自适应调整卷积核大小和形状，增强特征提取能力；针对缺陷形状不规则的问题，改进YOLOv8中的损失函数为Shape-IoU，减少标注框的影响；同时开展模拟缺陷绝缘毯的沿面放电试验，获取不同缺陷对绝缘性能的影响 ...
吴田 +5 more
doaj
, 1999 本文采用集团模型和推广的Hucket分子轨道理论(EHMO)计算c-Si中Er点缺陷及Er-O复合缺陷的原子构型及电子结构。计算结果符合实验及一些文献的第一性原理计算结果,解释了Er有c ...
薛俊明 +6 more
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